微电子器件(35)(1)

1、 ：VBE 0 、VBC = = 0 时的时的 IE ，即单个发射结的反向，即单个发射结的反向饱和电流。饱和电流。VBEIES EBCN+PN ：VBC 0 、IE = = 0 时的时的 IC ，在共基极电路放大区中，在共基极电路放大区中，CBORCS(1)IIVBCICBO EBCN+PN ：VBC 0 、VBE = = 0 时的时的 IC ，即单个集电结的反向，即单个集电结的反向饱和电流。饱和电流。VBCICS EBCN+PNCBOECIII ：VBE 0 、IC = = 0 时的时的 IE ，EBORES(1)IIVBEIEBO EBCN+PN ：VBC 0 、IB = = 0 时的时的

2、 IC ，在共发射极电路放大区中，在共发射极电路放大区中， CBOCEOCBO1IIIVCEICEO EBCN+PNCEOBCIII 当发射极开路时，当发射极开路时，IE = = 0 ，但这并不意味着，但这并不意味着 VBE = = 0 。那么。那么VBE 应当为多少呢？根据边界条件知，当应当为多少呢？根据边界条件知，当 VBC 0 时，在基区中时，在基区中靠近集电结的一侧，靠近集电结的一侧， 0expBC0pBpkTqVnWnVCBICBOIE = 0浮空电势浮空电势EBCN+PN 基区中的部分少子电子被集电结基区中的部分少子电子被集电结上的反偏扫入集电区，但因上的反偏扫入集电区，但因 IE

3、 = = 0 ，基区少子得不到补充，使在靠近发射基区少子得不到补充，使在靠近发射结一侧结一侧 np(0) np0 ，根据边界条件，根据边界条件 ，这说明发射结上存在一个反向电压这说明发射结上存在一个反向电压 ，这就是这就是 。BCBEEESRCSBCBECESCSexp1exp1 exp1exp1qVqVIIIkTkTqVqVIIIkTkT 已知已知 NPN 管的共基极电流电压方程为管的共基极电流电压方程为(3-59b)(3-59a)np0np(x)0WBP 型基区型基区 将将 IE = = 0 代入方程（代入方程（3-59a），得），得考虑到考虑到 VBC NB NC ，所以，所以 BVCB

4、O 取决于取决于 NC ， BVEBO 取决于取决于 NB ，且，且 BVCBO BVEBO 。 WBN+NP0 集电结上的反向电压增大到其势垒区将基区全部占据时集电结上的反向电压增大到其势垒区将基区全部占据时 ，WB = = 0，这种现象称为，这种现象称为 ，相应的集电结反向电压称为，相应的集电结反向电压称为 ，记为，记为 。 基区穿通时，进入基区中的势垒区宽度与基区宽度相等。基区穿通时，进入基区中的势垒区宽度与基区宽度相等。对于突变结，对于突变结，2BptCBBsC()2NqVNNWN 增大增大 WB 与与 NB 。这与防止厄尔利。这与防止厄尔利效应的措施一致，但与提高放大系数效应的措施一致，但与提高放大系数 与与 的要求相矛盾。的要求相矛盾。12sCdBptBBCB2()NxVWqNNN 基区穿通电压基区穿通电压 在平面晶体管中在平面晶体管中 ，NB NC ，势垒区主要向集电区扩展，势垒区主要向集电区扩展 ，一般不易发生基区穿通。但可能由于材