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III-V族化合物 24222nmqEn h 2412213.6mqEeVhm是电子的质量(m9.1110-28克)，h称为普朗克常数(h6.63X10-27尔格秒)，q是电子电荷的数值(q4.810-10静库)，n称为主量子数，可取1、2、3、等正整数，1电子伏特为一个电子电荷、电位变化1伏特时所增加的能量1电子伏特1.610-12尔格。24222nmqEn h , (1-3),xyzxPhyPhzPh , (1-3),xyzxPhyPhzPh 电子填充能带遵守两条原理：1，泡利不相容原理，即不可能有两个电子处于完全相同的量子态。2，能量最小原理，即正常状态的电子将处于能量最小的状态。 价带：价电子填充的能带。导带：价带以上的能带基本上是空的，其中最低的一个空带为导带。Ec：导带底的能量Ev：价带顶的能量Eg：禁带宽度，即价带顶和 导带底之间的能量间隔。 Eg = Ec- Ev*常温下，硅的Eg1.120eV；锗的Eg0.67eV

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