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文档简介

1、（勤奋、求是、创新、奉献）20122013 学年第 2 学期考查试卷学院材料班级 学号 集成电路工艺原理课程试卷 B（本卷时间90 分钟）一、名词解释（共 3 题，每题 5 分，共 15 分）1金属化：2弗仑克尔缺陷：3图形（lithography）试卷第 1 页 共 6 页题号一二三四五总分题分1525202020100得分二、填空题（共 10 题，每空 1 分，共 25 分）1.外延分为和。2.微制造涉及 5 个大的制造阶段：，制造，测试/拣选，和。3.所谓杂质掺杂是将可控数量的杂质掺入半导体内。主要有和两种主要方式。4.净化间沾污有哪五类：，自然氧化层和。点缺陷四种形式：、和。5.6.颗

2、粒必须最小器件特征的一半。7.线缺陷分为和。8. CMP 工艺包括：要抛光的表面、和。9. 光学方法和。 。10. 光刻机性能的三个参数为、和三、单项选择题（共 10 题，每题 2 分，共 20 分）1. 以下哪个属于弗伦克尔缺陷。()ABCD2. 0.18m 的特征不能接触m 以上的颗粒。()A 0.09B0.10C0.20D0.363. 双大马氏革工艺中用的金属是。()A AlBSiCCuDAg试卷第 2 页 共 6 页4.中规模集成电路个器件/()。A>103B<104=105D>108C5.正性抗蚀剂产生的图案与掩膜版上的图案。()A 一样B 相反C 一致D不一样6.

3、套准精度是指后续掩膜版与掩膜版刻在硅片上的图形互相对准的程度。()A 最大B 相等C先前D 之后7.产率是指对一给定的掩膜版，每小时能完成的数量。()A 晶片B 外延层C硅衬底D 淀积层8.尖楔现象是指会在某些接触点像尖钉一样楔进 Si 衬底中，从而使 P-N 结失效。()A SiBAlCCuD硅氧化物9.硅片表面的缺陷检测分为。()A 暗场和亮场B 明场和暗场C 亮场D 暗场10. 化学气相沉积是指通体化合物间的化学作用而形成的工艺。()A 衬底B 外延层C 埋层D氧化物层四、简答题（共 4 题，每题 5 分，共 20 分）1. 简述 IC 工艺前工序和后工序试卷第 3 页 共 6页2.如何

4、用化学方法腐蚀金属 Al 层。其步骤分哪几步，铝的腐蚀速率受哪些因素影响？3.简述菲克一维扩散并写出方程式及各参数的。4.对硅片表面的缺陷检测分为哪两种光学探测类型？各自的工作原理是什么？试卷第 4 页 共 6 页五、工艺图纸标注和计算题（共 3 题，共 20 分）1. 下图所示为 pn 结双极型器件的剖面图，在图中标记出埋层， 并写出该双极型器件的基本工艺流程。（共 5 分）区，晶体管基区，发射区，集电区；2.在图中标明 单晶、多晶和非晶并说出各自的区别。（共 5 分）试卷第 5 页 共 6 页3. 假设经热氧化方式生长厚度为 x 的二氧化硅，请问将要消耗多少硅？（注：每摩尔 Si 的质量是 28.9g, 密度为 2.3

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