第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷及答案(标准word版)

1、得分阅卷复核选错或不答的得0分.第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷15678总分910111213141516本卷共16题，满分200 分.一、选择题本题共 5小题，每小题6分在每小题给出的 4个选项中，有的小 题只有一项符合题意，有的小题有多项符合题意。把符合题意的选项前面的英文 字母写在每小题后面的方括号内.全部选对的得6分，选对但不全的得 3分，有1.2014年3月8日凌晨2点40分，马来西亚航空公司一架波音777-200飞机与管制中心失去联系.2014年3月24日晚，初步确定失事地点位于南纬31o52'、东经115 o 52'的澳大利亚西南城市珀斯附近的海域有一颗绕地球

2、做匀速圆周运动的卫星，每天上午同一时刻在该区域正上方对海面拍照，则A. 该卫星一定是地球同步卫星B. 该卫星轨道平面与南纬 31 o 52'所确定的平面共面C该卫星运行周期一定是地球自转周期的整数倍D地球自转周期一定是该卫星运行周期的整数倍2.23892U （铀核）衰变为22288Rn （氡核）要经过A. 8次a衰变，16次B衰变B.3次a衰变，4次B衰变C. 4次a衰变，16次B衰变D. 4次a衰变，4次B衰变3. 如图，一半径为 R的固定的光滑绝缘圆环，位于竖直平面内；环上有两个相同的带电小球 a和b（可视为质点），只能在环上移动，静止时两小球之间的距 离为R。现用外力缓慢推左球a

3、使其到达圆环最低点c,然后撤除外力.下列说法正确的是A. 在左球a到达c点的过程中，圆环对 b球的支持力变大B. 在左球a到达c点的过程中，外力做正功，电势能增加。C. 在左球a到达c点的过程中，a、b两球的重力势能之和不变D. 撤除外力后，a、b两球在轨道上运动过程中系统的能量守恒4. 如图，O点是小球平抛运动抛出点；在O点有一个频闪点光源，闪光频率为30Hz ;在抛出点的正前方， 竖直放置一块毛玻璃，小球初速度与毛玻璃平面垂直.在小球抛出时点光源开始闪光.当点光源闪光时，在毛玻璃上有小球的一个投影点.已知图中 O点与毛玻璃水平距离 L=1 . 20 m，测得第一、 二个投影点之间的距离为

4、0.05 m .取重力加速度g=10m/s2.下列说法正确的 是A.小球平抛运动的初速度为4m/sB .小球平抛运动过程中，在相等时间内的动量变化不相等C .小球投影点的速度在相等时间内的变化量越来越大D. 小球第二、三个投影点之间的距离0. 15m5. 某同学用电荷量计（能测出一段时间内通过导体横截面的电荷量）测量地磁场强度，完成了如下实验：如图，将面积为S,电阻为”的矩形导线框abcd沿图示方位水平放置于地面上某处，将其从图示位置 绕东西轴转180。，测得通过线框的电荷量为Q仁将其从图示位置绕东西轴转90 o，测得通过线框的电荷量为Q2.该处地磁场的磁感应强度大小应为A.S2 2R |Ql

5、小2R22R I Qi小小2R22一 +Q2 B. v;Qi +Q2C 一J+Q1Q2+Q2D、Qi +Q1Q2 +Q242 SS,22 S，二、填空题把答案填在题中的横线上只要给出结果，不需写出求得结果的过程.6. （10分）水平力F方向确定，大小随时间的变化如图a所示；用力F拉静止在水平桌面上的小物块，在F从0开始逐渐增大的过程中， 物块的加速度a随时间变化的图象如图b所示.重力加速度大小为 10m/s2。由图示可知，物块与水平;物块与水平桌面间的动摩擦因数为 ;在04s时间内，合外得分阅卷复核桌面间的最大静摩擦力为力做的功为o得分阅卷复核为2kg，物块C的质量为7. （10分）如图，物块

6、 A、C置于 光滑水平桌面上，通过轻质滑轮和细 绳悬挂物块B,物块A、B的质量均 1 kg,重力加速度大小为 10m/s2 。（1）若固定物块C,释放物块 A、B，则物块A、B的加速度之比为;细绳的张力为。（2）若三个物块同时由静止释放，则物块A、B和C加速度之比为。得分阅卷复核8.（10分）2011年8月中国发射的宇宙飞船“嫦娥二号”首次从绕月轨道飞向日地延长线上的拉格朗日点，在该点， 一起同步绕太阳做圆固运动.已知太阳和地球的质量分别为在完成探月任务后， “嫦娥二号”和地球 MS和Me,日地距离为R.该拉格朗日点离地球的距离x满足的方程为，由此解得x得分阅卷复核（已知当 入<<

7、1时，（1+1 + nR12345lmA1. 351. 301. 201. 101. 05I2/A0. 300. 400. 600. 800. 909.（10分）在“利用电流传感器（相当于理想电流表）测定干电池电动势和内阻”的实验中，某同学利用两个电流传感器和定值电阻R°=2000 Q以及滑动变阻器,设计了如图a所示的电路，进行实验.该同学测出的实验数据如下表所示表中11和12分别是通过电流传感器 1和2的电流.该电流的值通过数据采集器输入到计算机，数据采集器和计算机对原电路的影响可忽略.（1）在图b中绘出丨112图线；（2）由|1|2图线得出，被测电池的电动势为 V，内阻为 Q1

8、/. ' mA得分阅卷复核金属球可带的电荷量最多为得分阅卷复核10. （10分）某金属材料发生光电效应的最大波长为沁，将此材料制成一半径为R的圆球，并用绝缘线悬挂于真空室内若以波长为XX的单色光持续照射此金属球，该金属球发生光电效应所产生光电子的最大初动能为 ，此,（设无穷远处电势为零， 真空中半径为r带电量为q的导体球的电势为U=kq .）r三、计算题。计算题的解答应写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤，只写出最后结果的不能得分.有数值计算的，答案中必须明确写出数值和单位.11. （20分）某机场候机楼外景如图 a所示。该候机楼结构简化图如图 b所示： 候机楼侧壁是倾斜的，用钢

9、索将两边斜壁系住，在钢索上有许多竖直短钢棒将屋 面支撑在钢索上假设海边斜壁的质量为m,质量分布均匀；钢索与屋面 （包括短钢棒）的总质量为 m，在地面处用铰链与水平地面连接，钢索固定于斜壁上端以支撑整个屋面，钢索上2端与斜壁的夹角为 30o；整个系统左右对称.求（1j斜壁对钢索的拉力的大小；（2）斜壁与地面的夹角.得分阅卷复核12. （20分）从左至右在同一水平地面上依次有3个质点a、b、c,且三者共线，a与b相距li, b与c相距J现同时将它们从其初始位置抛出.已知质点b以初速度V。竖直上抛，质点c以某一初速度竖直上抛.设在这3个质点的运动过程中，a能碰到质点b和c；并假设质点a的质量远大于质

10、点 b的质量，且a与b碰撞时间极短求质点 c的初速 度vc和质点a的初速度所满足的条件。所求的结果均用题中的已知量表示出来。（20分）有一块长条形的纯净半导体硅，其横截面积为7. 5X10-5m/s,空穴定向移动2. 4X103kg/m3,原子量是 28.电试估算此半导体材料中平均多23102 X10 mol-.13.流2mA时，其内自由电子定向移动的平均速率为 的平均速率为2. 5 >10-5m/s.已知硅的密度为 子的电荷量大小为 e=1 . 6>0-19c.若一个硅原子至多只释放一个自由电子， 少个硅原子中才有一个硅原子释放出自由电子？阿伏伽德罗常数为 N°=6.得

11、分阅卷复核2. 5cm2，通有电-5得分阅卷复核e。B，求在环=t，试导出在环形轨道切线方向感应电场14.（20分）电子感应加速器利用变化的磁场来加速电子.电子绕平均半径为 R的环形轨道（轨道位于真空管道 内）运动，磁感应强度方向与环形轨道平面垂直。电子被感应电场加速，感应电场的方向与环形轨道相切.电子电荷量为（1）设电子做圆周运动的环形轨道上的磁感应强度大小的增加率为形轨道切线方向感应电场作用在电子上的力;（2）设环形轨道平面上的平均磁感应强度大小的增加率为 作用在电子上的力与专的关系;（3）为了使电子在不断增强的磁场中沿着半径不变的圆轨道加速运,求二B和_B之间必须满足的定量关t .：t系

12、.得分阅卷复核A和B高度），横截面积不同，竖直浸没 它们的底部由一细管连通（细mA=2m和 mB=m，活塞与15. （20分）如图，导热性能良好的气缸 均为h（已除开活塞的厚度 在温度为To的恒温槽内。!管容积可忽略）.两气缸内各有一个活塞，质量分别为气缸之间无摩擦，两活塞的下方为理想气体，上方为真空。当两活塞下方气体处I鑒藝认吋理耳图于平衡状态时，两活塞底面相对于气缸底的高度均为。现保持恒温槽温度不2变，在两活塞土上面同时各缓慢加上同样大小的压力，让压力从零缓慢增加，直至其大小等于2mg（g为重力加速度）为止。并一直保持两活塞上的压力不变；系统再次达到平衡后，缓慢升高恒温槽的温度，对气体加热

13、，直至气缸 B中活塞底面恰好回到高度为 -处.求2(1) 两个活塞的横截面积之比Sa： Sb；(2) 气缸内气体的最后的温度；在加热气体的过程中气体对活塞所做的总功。得分阅卷复核16 (20分)如示意图所示，一垂直放置的高为15.0cm的圆柱形中空玻璃容器，其底部玻璃较厚，底部顶点A点到容器底平面中心B点的距离为8.0cm,底部上沿为一凸起的球冠，球心C点在A点正下方，球的半径为1.75cm .已知空气和容器玻璃的折射率分别是n0=1.0和m=1.56.只考虑近轴光线成像。已知：当入1时，sin匸入.(1)当容器内未装任何液体时，求从 B点发出的光线通过平凸玻璃柱，在玻 璃柱对称轴上所成的像的

14、位置，并判断像的虚实；(2)当容器内装满折射率为1.30的液体时，求从 B点发出的光线通过平凸玻璃柱的上表面折射后所成像点的位置，并判断这个像的虚实。第32届全国中学生物理竞赛预赛试卷参考解答与评分标准一、选择题.本题共 5小题，每小题6分.在每小题给出的 4个选项中，有的小题只有一项符合题意，有 的小题有多项符合题意.把符合题意的选项前面的英文字母写在每小题后面的方括号内。全部选对的得6分，选对但不全的得 3分，有选错或不答的得 0分.1 . D2. D 3. BD 4. A5. C二、填空题.把答案填在题中的横线上.只要给出结果，不需写出求得结果的过程.答案：6N3分0.13分24J4分7

15、.(10 分)答案：(1)2: 13 分；8N6. (10 分)3分44分2 :3:(2)8.(10 分)答案：Ms2(R x)(R+x )6 分R(归八3Ms9.(10 分)3 分；1.0( ± 0.1)3 分(2)3.0( ± 0.1)(10 分)答案:hc( X'0 - )5 分；RhC('0 一 )5 分keA九 0二、计算题.,只写出最后结果的不能得分。有数值计计算题的解答应写出必要的文字说明、方程式和重要的演算步骤 算的，答案中必须明确写出数值和单位.10. (20分)设斜壁长度为I,斜壁对钢索的拉力大小为F,斜壁与水平地面所夹锐角为a由力矩平衡

16、条件得1 I-F =mg cosa2 2钢索与屋面作为一个整体受到三个力：两端的拉力大小均为F(与水平方向的夹角为a-30o)，竖直向下的重力 mg,由力的平衡条件得2Fsin( a-30 ° )= 1 mg由式得cosasin(a-30° )=由三角中的积化和差公式有1 1sin( a30 o - a)+ sin( a-30 o + a)=-2 4即 sin(2 a30 o) =1解得a=60 o由式得1F= mg评分参考：式各4分，式各3分.Vx11. (20分)以质点a的初始位置为原点，向右为x轴正向，向上为y轴正向.设a的初速度x和y分量分别为 和Vy.按抛体运动公

17、式，在时刻t质点a、b、c的坐标分别为1 2(Xa, ya)=(Vxt,Vyt-gt )21 2(Xb, yb)=(ll,V0t-gt )21 2(Xc, yc)=( ll + l2,Vct-gt )2，存在时刻ti,使满足1 gtl2 a与b相碰的条件是Vxtl= 111 2Vyt1gt1 = V0t12 21 2Vot 1-gt102式来自于水平地面对质点y坐标的限制。由式得Vy= V0Vx> g 上2Vo由于a与b碰撞时间极短，可忽略重力的影响。在a与b碰撞前后，系统的动量和能量守恒maVx= maV'x+ mbV'bx ma+ mbVby(t1)= maV'

18、;y(t1)+mbV'by(t1 )®1 2 2 1 2 1 2 2 1 2 2maVx + Vy(t1)+mbVby(t1)=maV'x+V'y(t1)+mbV'bx + V'by (t1)02 2 2 2式中，碰后的有关速度用打撇的字母表示.由题意，可认为mb=O.将mb=0代入01式得Vx=V'x , Vy (t1) = V'y (t1)可见，质点b的运动对质点a的运动的影响可忽略。 同理，a与c相碰的条件是，存在时刻t2,使满足Vxt2= 11 + l21 2 1 2Vyt2-gt2 = Vct2-gt22 21 2 n

19、Vct2- gt2 P 02由03 00式得Vc=VyVx> gd2vc由02式得，质点C的初速度Vc为Vc=V0质点a的初速度应满足的条件为、1&VxP g2v0Vy=Vc=V00评分参考：式各2分，0000000各1分.12. (20 分)设此半导体单位体积内有n个自由电子(因此也有n个空穴)，以S表示此半导体的横截面积,Vl和V2分别表示半导体中空穴和自由电子的定向移动速率，h和丨2分别表示半导体中空穴和自由电子定向移动形成的电流则Ii= nevi S 12= nev2S半导体中的总电流为I =Il +I 2由此得n=ev<|S、ev2S由题意知，此半导体单位体积内有

20、瓦个硅原子释放出自由电子单位体积半导体硅内的原子个数为PN= N0 M式中p和M分别为硅的密度和摩尔质量，N°=6.02 x 1023mo1-1是阿伏伽德罗常数由式得IMN = ；7eNoS(v1 V2)=代入有关数据得n5 =1 x 10 N即此半导体材料中，平均约1x 105个硅原子释放出一个自由电子.评分参考：式各4分，式3分,式2分，式3分，式各2分.14.(20 分)(1)设电子做圆周运动的圆轨道上的磁感应强度大小为式得B,方向与环面垂直。由牛顿第二定律和洛伦兹力公2vevB=mR设在圆轨道切线方向作用在电子上作用力为F，按照动量定理有F?t= ?(mv)由式得也BF=eR

21、 -At(2)按照法拉第电磁感应定律毎也t式中圆轨道所张的面上的磁通量为，在电子运动的圆轨道上的感应电动势为g n2B这里，B为圆轨道所张的面上的平均磁感应强度。由式得考虑电子运行一圈感应电场所做的功，由电动势的定义可得e=2 nRE电子在圆轨道切向所受到的力为F=qE由式得，1 :BF= eR -2 -：t(3) 和式所表示的是同样的力的大小B _ 1 B.t = 2 .4.联立式得和二B之间必须满足的定量：t讥这就是为了使电子在不断增强的磁场中沿着半径不变的圆轨道加速运动 关系.评分参考：第问6分，式各2分；第问10分，式各 2分；第问4分，式4 分.15. (20 分)mgSASB(1)

22、平衡时气缸A、B内气体的压强相等，故由式和题给条件得SA:Sb=2:1(2)两活塞上各放一质量为2m的质点前，气体的压强pi和体积 V分别为P1=2mgSamgSb3 -V1= SBh2两活塞上各放一质量为 2m的质点后，B中活塞所受到的气体压力小于它和质点所受重力之和，B中活塞将一直下降至气缸底部为止，B中气体全部进入气缸 A.假设此时气缸 A中活塞并未上升到气缸顶部 ，气体的压 强P2为P2=4mgSa2mgSb设平衡时气体体积为 V2.由于初态末态都是平衡态，由理想气体状态方程有p1V1p2V2To _ To由式得3 3V2=SBh = SAh4 8这时气体的体积小于气缸A的体积，与活塞

23、未上升到气缸顶部的假设一致.缓慢加热时，气体先等压膨胀，B中活塞不动，A中活塞上升;A中活塞上升至顶部后，气体等容升压；压强升T时,该活塞恰位于h处.此时气体的体积变为2至 她 时，B中活塞开始上升，气体等压膨胀。设当温度升至Sb5V3= SBh2气体压强P3=3mgSB设此时气缸内气体的温度为T,由状态方程有p2V2 卩凶3由式得T=5To(3)升高恒温槽的温度后,加热过程中,A活塞上升量为35h- h= h8 8气体对活塞所做的总功为W=4mg 一 h+3mg h=4mgh038 2评分参考：第问3分，式2分，式1分；第问13分，式各2分，01式各1分: 第问4分，003式各2分.16.

24、(20 分)(1)容器底部凸面两侧介质的折射率分别是n1=1.56和no=1.O。如图，由 B点发出的经过球心 C的光线BA经过顶点A后方向不变，进入空气中；由B点发出的与BA成a角的另一条光线 BD在D点折射，设折射角 为0,并与前一条出射光线交于 E点，E点即B点的像点的位置。由折射定律和几何关系得msin 9=nosin 0Y a+ 0°= Y+ 3在三角形BCD和三角形CDE中，由正弦定理可得CD _ BC sin 二 sin -CD _ CE sin ： sin ：由于只考虑近轴光线成像，所以a、伙/ $都是小角度，式可写为ni 9= no $BCD = a BC©CD = pCE由式可得a+ 9 $(1+2D)匹=0.82 $V $BC m所考虑的光线是会聚的，故所成的像为实像由式可得C