电力电子技术试题及答案王兆安第一套(2024054642)

1、考试试卷一一、填空题此题共8小题，每空1分，共20分1、电子技术包括 和电力电子技术两大分支，通常所说的模拟电子技术和数字电子技术就属于前者。2、 为减少自身损耗，提高效率，电力电子器件一般都工作在 状态。当器件的工作频率较高时， 损耗会成为主要的损耗。3、 在PWM控制电路中，载波频率与调制信号频率之比称为 ，当它为常数时的调制方式称为 调制。在逆变电路的输出频率范围划分成假设干频段，每个频段内载波频率与调制信号频率之比为桓定的调制方式称为 调制。4、面积等效原理指的是，相等而不同的窄脉冲加在具有惯性的环节上时，其效果根本相同。5、在GTR、GTO、IGBT与MOSFET中，开关速度最快的是

2、 单管输出功率最大的是，应用最为广泛的是。6设三相电源的相电压为 U2,三相半波可控整流电路接电阻负载时，晶闸管可能承受的最大反向电压为电源线电压的峰值，即 ，其承受的最大正向电压为 。7、逆变电路的负载如果接到电源，那么称为 逆变，如果接到负载，那么称为 逆变。&如以下图，指出单相半桥电压型逆变电路工作过程中各时间段电流流经的通路(用V1,VD1,V2,VD2表示)。(1) 0t1时间段内，电流的通路为 ； (2) t1t2时间段内，电流的通路为 ；t2t3时间段内，电流的通路为 ； (4) t3t4时间段内，电流的通路为 ； (5) t4t5时a)b)B、2个C、3个D、4个、选择

3、题此题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分1、单相桥式PWM逆变电路如以下图，单极性调制工作时，在电压的正半周是A、V1与V4导通，V2与V3关断B、V1常通，V2常断，V3与V4交替通断C、V1与V4关断，V2与V3导通D、V1常断，V2常通，V3与V4交替通断2、对于单相交流调压电路，下面说法错误的选项是A、晶闸管的触发角大于电路的功率因素角时，晶闸管的导通角小于180度B、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角时，必须加宽脉冲或脉冲列触发，电路才能 正常工作C、晶闸管的触发角小于电路的功率因素角正常工作并到达稳态时，晶闸管的导通角为180度D、晶闸管的触发角等于电路的功率因素角

4、时，晶闸管的导通角不为180度3、在三相三线交流调压电路中，输出电压的波形如以下图所示，在t1t2时间段内，有 晶闸管导通。4、对于单相交交变频电路如以下图，在t1t2时间段内，P组晶闸管变流装置与 N组晶闸管变流装置的工作状态是A、P组阻断，N组整流C、N组阻断，P组整流B、P组阻断，N组逆变D、N组阻断，P组逆变5、电阻性负载三相半波可控整流电路中，控制角的范围是A、30。150B、 0。120C、15。125 °D、0°150B、延缓功率晶体管的关断D、保护器件6、桓流驱动电路中加速电容C的作用是A、加快功率晶体管的开通C、加深功率晶体管的饱和深度7、直流斩波电路是一

5、种丨变换电路。A、AC/ACB、DC/ACC、DC/DCD、AC/DC&为限制功率晶体管的饱和深度，减少存储时间，桓流驱动电路经常采用A、du/dt抑制电路B、抗饱和电路C、di/dt抑制电路D、吸收电路9、已经导通的晶闸管的可被关断的条件是流过晶闸管的电流B、减小至擎住电流以下D、减小至5A以下B、MOSFET 驱动的 GTR、MOSFET区动的 GTOA、减小至维持电流以下C、减小至门极触发电流以下10、IGBT是一个复合型的器件，它是A、GTR 驱动的 MOSFETC、MOSFET区动的晶闸管D三、简答题共3小题，22分1、简述晶闸管导通的条件与关断条件。7分2、电压型逆变电路的

6、主要特点是什么？8分3、简述实现有源逆变的根本条件，并指出至少两种引起有源逆变失败的原因 分四、作图题共2小题，每题12分，共24分1、三相全控桥，阻感负载，主回路整流变压器的接法是D,y5,采用NPN管的锯齿波触发器，要求在整流与逆变状态运行。同步变压器二侧电压经R-C滤波器滤波后滞后角为30。°接到触发电路。同步变压器的的接法为Y/Y-10,4接法, 如以下图所示，选择晶闸管的同步电压。要给出分析过程，分析依据晶闸管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+ Uu-Uw+ Uv-Uu+ Uw-Uv同步电压X % %2、电路与波形如以下图。1假设在t1时刻合上K，在t2时刻断

7、开K，画出负载 电阻R上的电压波形；2假设在t1时刻合上K，在t3时刻断开K，画出负 载电宽度大于360°a电路图b输入电压U2的波形图、计算题共1小题，共20分1、电路如以下图，单相全控桥式整流电路接大电感负载，R=4Q，U2=220V1触发角为60°时，a试求Ud、Id、晶闸管电流平均值IdVT、晶闸管电 流有效值IVT、变压器副边电流有效值I2；b作出Ud、id、iVT2 > i2的波 形图图标清楚，比例适当。2当负载两端接有续流二极管时，a试求Ud、Id、IdVT、Ivt、Ivd、 IdVD、I2；b作出Ud、id、iVT2、jVD、i2的波形图图标清楚，比例

8、适当。第一套题答案！一、填空题共 8小题，每空1分，共20分1、空1信息电子技术2、空1开关；空2开关3、空1载波比；空2同步；空3分段同步4、空1冲量；空2形状5、空 1 MOSFET ;空 2 GTO ;空 3 IGBT6、空1 -匚；空2 77、空1有源；空2无源8、空 1 VD1 ； 空 2 V1 ； 空 3 VD2 ； 空 4 V2 ； 空 5 VD1、选择题共10小题，前4题每题2分，其余每题1分，共14分6、 A2、D3、 C5、D7、 C9、 A10、 B三、简答题共 3小题，共22分1、 7 分晶闸管导通的条件是：阳极承受正向电压，处于阻断状态的晶闸管，只有在门极加正向触 发

9、电压，才能使其导通。门极所加正向触发脉冲的最小宽度，应能使阳极电流到达维持通态所需要的最小阳极电流，即擎住电流IL以上。导通后的晶闸管管压降很小。3分使导通了的晶闸管关断的条件是：使流过晶闸管的电流减小至某个小的数值一维持电流IH以下。其方法有二：2分1减小正向阳极电压至某一最小值以下，或加反向阳极电压; 2增加负载回路中的电阻。2分2、 8 分(1) 直流侧为电压源或并联大电容，直流侧电压根本无脉动；2分(2) 输出电压为矩形波，输出电流因负载阻抗不同而不同；3分(3) 阻感负载时需提供无功。为了给交流侧向直流侧反应的无功提供通道，逆变桥各臂并联反应二极管。3分3、 7 分1外部条件：要有一

10、个能提供逆变能量的直流电源，且极性必须与直流电流方向一致，其电压值要稍大于 Ud ; 2分2内部条件：变流电路必须工作于3 <90区域，使直流端电压 Ud的极性与整流状态时相反，才能把直流功率逆变成交流功率返送回电网。这两个条件缺一不可。2分当出现触发脉冲丧失、晶闸管损坏或快速熔断器烧断、电源缺相等原因都会发生逆变失败。当逆变角太小时，也会发生逆变失败。3分四、作图题共 2小题，每题12分，共24分1、 12 分同步变压器的钟点数为 Y/Y-10,4晶闸管VT1VT2VT3VT4VT5VT6主电路电压+Uu-Uw+Uv-Uu+Uw-Uv同步电压UsU-UsWUsV-UsUUsW-UsV五、计算题共 1小题，20分1、(1) (a)Ud=0.9U2cos a =0.9 x 220 x cos600=99分 1分l2=ld=24.75A 1 分