微机原理第3章

1、 与与CPU总线相连，总线相连，CPU对内存可直接访问。对内存可直接访问。 特点：速度快，容量小特点：速度快，容量小 CPU需通过专用接口设备访问外存。需通过专用接口设备访问外存。 特点：容量大，速度慢，需专用驱动设备，可对信特点：容量大，速度慢，需专用驱动设备，可对信息长期保存。息长期保存。 在存储器内部，为了简化译码电路各存储单元一般按照矩阵排列。 数据输入输出引脚用于存储数据的输入输出，其位数与内部存储单元可存放的二进制数据位数相对应。 数据输入输出引脚一般与CPU数据总线相连。 地址引脚用于选择内部存储单元，其位数与内部存储单元数相对应。 位容量：存储单元数与每一存储单元能存放的二进制

2、位数的乘积。 地址引脚一般与CPU地址总线相连。 用于控制存储器件的读写过程。 芯片选择信号（片选）CS：确定芯片是否参与当前总线操作，一般与地址译码器输出相连。 读选通信号OE：控制器件将地址线选中的存储单元内容通过数据输入输出引脚输出，一般与CPU的读控制线RD相连。 写选通信号WE：控制器件将数据输入输出引脚数据置入选中存储单元，一般与CPU的写控制线WR相连。 可在线读写 易失 SRAM多采用几个晶体管构成的触发器作为基本存储电路。 不需刷新，外围电路简单。 易于使用电池作为后备电源。 动作功耗大。 位密度低，价格高。例：6264 8KX8628128 128KX8 DRAM多采用单管

3、线路组成基本存储电路，主要依靠MOS管栅极电容存储电荷的特性保存信息。 需不断刷新，外围电路复杂。 动作功耗低。 位密度高，价格低。例：4164 64K位41256 256K位 可在线读，不能在线写入 非易失 掩膜ROM由芯片厂商根据用户程序数据直接订制生产，制造完毕后内容无法更改。适于大批量产品，如汉字库等。 PROM由二极管熔丝矩阵组成，用户可以根据自己的需要，使用专用设备一次性写入，写入过程就是烧断部分熔丝的过程，熔丝烧断后无法复原，因此PROM内容一旦写入就不能自由更改。 EPROM是一种可以多次擦除和写入的ROM。它是利用特殊场效应管的浮置栅存储电荷的特性存储信息。信息写入需借助编程

4、高压，擦除需使用紫外线照射。例：2764 8KX827010 128KX8 可在线读写 非易失 电擦除 有一定的擦写寿命 可以按字节擦写。 写入时间长。例：2864 8KX828C256 32KX82815 2KX8 （需12V编程电压） 写入时间短。 不能按字节擦除，只能分块或全片擦除。 结构简单，集成度高，价格低。例：29C010A 128KX8 NOR FLASH28F128 16MX8 NOR FLASH K9F1208 64MX8 NAND FLASH 铁电存储器的存储原理是基于铁电材料的高介电常数和铁电极化特性，利用铁电晶体的铁电效应实现数据存储。 可在线读写，读写速度相同（快）。

5、 非易失。 写入次数无限。 超低功耗。 FRAM具备随机存储器和只读存储器两者的优点，使用它可以将系统中的RAM和和ROM整合到一个芯片中，简化系统结构。例：FM20L08 128KX8 通过控制铁磁体中的电子旋转方向来达到改变读取电流大小的目的，从而使其具备二进制数据存储能力。 可在线读写，读写速度相同（快）。 非易失。 写入次数无限。 位密度高。 超低功耗。 MRAM具备随机存储器和只读存储器两者的优点。例：MR4A16B 1MX16 微型计算机的内存一般由一定数量的RAM和ROM构成。 ROM一般用于存放不变的程序和数据，如系统的启动程序，BIOS程序等。8086启动后由单元执行程序，所

6、以这一地址处应放置存储器，才能保证系统上电能获得有效的程序。 RAM主要用于存放经常变化的数据和程序。一般存放在外存中的数据和程序需要加载到内存中使用。 在构建计算机系统时可以使用电擦除存储器取代部分RAM和ROM，但需注意其写入时序与RAM是不同的。 32位微型计算机系位微型计算机系统普遍采用了高速缓存统普遍采用了高速缓存Cache技术，技术， Cache技技术采用术采用SRAM和和DRAM构成一个组合存储系统，构成一个组合存储系统，使之兼有使之兼有SRAM和和DRAM的优点。的优点。 具体是在高速具体是在高速CPU和速度相对较慢的由和速度相对较慢的由DRAM构成的主存间设置一个构成的主存间设置一个小容量的小容量的SRAM作为高速缓存，作为高速缓存，CPU对存储器的访问主要体现在对对存储器的访问主要体现在对SRAM的存取，由于的存取，由于SRAM速度快可以不加等待状态保持高速操作。由于速度快可以不加等待状态保持高速操作。由于CPU对对内存中指令和数据的存取具有明显的时间区域性和空间区域性，加入内存中指令和数据的存取具有明显的时间区域性和空间区域性，加入Cache后可以明显减少后可以明显减少CPU访问主存