电子技术基础

1、电子技术基础课程学习指导书第14章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 半导体的导电能力（ c ）。(a) 与导体相同 (b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间 14.2 P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（ c ）。(a) 带正电(b) 带负电 (c) 不带电14.3 N型半导体的多数载流子是电子，因此它应（ c ）。(a) 带负电 (b) 带正电 (c) 不带电14.4 将PN结加适当的反向电压，则空间电荷区将（ b ）。(a) 变窄(b) 变宽 (c) 不变14.5 普通半导体二极管是由（ a ）。(a)一个PN结组成 (b)两个PN结组成 (c)三个PN

2、结组成14.6 电路如图所示，直流电压UI=10 V，稳压管的稳定电压UZ=6 V，则限流电阻R上的压降UR为（ c ）。(a)10V (b)6V (c)4V (d)-4V14.7 电路如图所示，已知uI=3V，则晶体管T此时工作在( b )。(a)放大状态 (b)截止状态 (c)饱和状态二、填空题：14.8 半导体二极管的主要特点是 具有单向导电性 。14.9 理想二极管的正向电阻为 0 。14.10 理想二极管的反向电阻为 无穷大 。14.11 二极管导通的条件是加在二极管两端的电压是 正向电压大于PN结的死区电 。14.12 N型半导体中的多数载流子是自由电子。14.13 P型半导体中的

3、多数载流子是 空穴 。三、计算题14.14 电路如图所示，二极管D为理想元件，US=5 V，求电压uO。 Uo=Us=5V14.15 电路如图所示，二极管为理想元件，=3sint V，U=3V，当=0瞬间，求输出电压uO。 Uo=0v14.16 电路如图所示，输入信号=6sint V时，求二极管D承受的最高反向电压。 U最高反向电压=3v14.17 电路如图所示，二极管为同一型号的理想元件，电阻R=4 k，电位uA=1V，uB=3V，计算电位uF 的值。 UF=UA=1v14.18 用直流电压表测得工作在放大区的某晶体管三个极1，2，3的电位分别为：V1=2V，V2=6V，V3=2.7V，试判

4、别管子的三个管脚，并说明是硅管还是锗管？是PNP型还是NPN型？答：1为发射极E 2为集电极C 3为基极B 硅管NPN型第15章 基本放大电路本章练习题：1、 选择题：15.1 共射放大电路的输入输出公共端是( )。(a) 集电极(b) 发射极(c) 基极15.2 固定偏置放大电路中， 晶体管的50，若 将该管调换为 =80 的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流 IC 将（ ）。 (a)增加 (b) 减少 (c) 基本不变15.3 分压式偏置单管放大电路的发射极旁路电容CE因损坏而断开，则该电路的电压放大倍数将( )。(a) 增大 (b) 减小 (c) 不变15.4 就放大作用而言，射

5、极输出器是一种 ( )。(a) 有电流放大作用而无电压放大作用的电路(b) 有电压放大作用而无电流放大作用的电路(c) 电压和电流放大作用均没有的电路15.5 射极输出器的输入输出公共端是 ( )。(a) 集电极(b) 发射极(c) 基极15.6 两级共射阻容耦合放大电路，若将第二级换成射极输出器，则第一级的电压放大倍数将( )。(a) 提高(b) 降低 (c) 不变15.7 微变等效电路法适用于( )。(a) 放大电路的动态分析(b) 放大电路的静态分析(c) 放大电路的静态和动态分析15.8 直接耦合放大电路产生零点漂移的最主要原因是( )。(a) 温度的变化(b) 电源电压的波动 (c)

6、 电路元件参数的变化15.9 在直接耦合放大电路中，采用差动式电路结构的主要目的是( )。(a) 提高电压放大倍数(b) 抑制零点漂移(c) 提高带负载能力15.10 差动放大电路中所谓共模信号是指两个输入信号电压( )。(a) 大小相等，极性相反(b) 大小相等，极性相同(c) 大小不等，极性相同2、 填空题：15.11 对放大电路进行静态分析的主要任务是 。15.12 固定偏置放大电路中，晶体管的50，若将该管调换为=80的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流IC将 。（增加？减少？不变？）15.13 电路如下图所示，晶体管工作在 状态。 15.14 某两级阻容耦合共射放大电路,不接

7、第二级时第一级的电压放大倍数为100倍,接上第二级后第一级电压放大倍数降为50倍, 第二级的电压放大倍数为50倍, 则该电路总电压放大倍数为 倍。15.15 为了放大变化缓慢的信号或直流信号，多极放大器级与级之间必须采用 耦合。三、计算题15.16 放大电路如图所示，设晶体管=50，RC1.5kW，UBE 0.6V，为使电路在可变电阻RW0 时，晶体管刚好进入饱和状态，计算电阻R的取值。15.17 固定偏置放大电路如图所示，已知，晶体管的电流放 大系数=100，欲满足，的要求，试求电阻，的阻值。15.18 放大电路如图所示，已知晶体管，试求:(1)放大电路的静态工作点(设)；(2)放大电路的电

8、压放大倍数。15.19 放大电路如图所示，已知晶体管，试求:(1)放大电路的静态工作点( 设)；(2) 放大电路的电压放大倍数。15.20 电路如图1，已知T1的，要求：(1)画出电路的微变等效电路；(2)计算电路的电压放大倍数和输入电阻，输出电阻；(3)根据以上计算结果，试简要说明放大电路的特点和应用场合。15.21 电路如图所示，已知T2的，要求：(1)画出电路的微变等效电路；(2)计算电路的电压放大倍数和输入电阻，输出电阻；(3)根据以上计算结果，试简要说明放大电路的特点和应用场合。15.22 电路如图所示，已知晶体管的电流放大系数，管子的输入电阻，要求:(1)画出放大电路的微变等效电路

9、；(2)计算放大电路的输入电阻；(3)写出电压放大倍数的表达式。第16章 集成运算放大器本章练习题：一、选择题：16.1 集成运算放大器是( )。(a)直接耦合多级放大器 (b)阻容耦合多级放大器 (c)变压器耦合多级放大器16.2 集成运算放大器对输入级的主要要求是（ ）。(a)尽可能高的电压放大倍数(b)尽可能大的带负载能力(c)尽可能高的输入电阻，尽可能小的零点漂移16.3 集成运算放大器输出级的主要特点是（ ）。(a)输出电阻低，带负载能力强(b)能完成抑制零点漂移(c)电压放大倍数非常高16.4 运算放大器接成图示电路后，其输入输出方式为（ ）。(a)双端输入双端输出 (b)双端输入

10、单端输出(c)单端输入单端输出 (d)单端输入双端输出16.5 集成运算放大器的共模抑制比越大，表示该组件( )。(a)差模信号放大倍数越大(b)带负载能力越强(c)抑制零点漂移的能力越强16.6 理想运算放大器的开环输出电阻ro是（ ）。(a)无穷大 (b)零 (c)约几百欧姆16.7 理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是( )。(a)无穷大 (b)零 (c)约几百千欧二、填空题：16.8 集成运放级间耦合方式是 。16.9 理想运算放大器的开环输出电阻ro是 。16.10 理想运算放大器的开环差模输入电阻rid是 。16.11 理想运算放大器的两个输入端的输入电流等于零，其原因是 。1

11、6.12 理想运算放大器的开环电压放大倍数是 。16.13 电路如图所示，则该电路为 运算电路。 三、计算题：16.14 电路如图所示，输入信号 V，求输出电压。 16.15 比例运算电路如图所示，求电路的电压放大倍数。 16.16 电路如图所示，求平衡电阻R。 16.17 电路如图所示，当R1 =R2=R3时，写出输出电压 的表达式 。16.18 电路如图所示，R1 = R2 = R3 = R4 ， 当=2 V，=2 V，求输出电压 uO。 第17章 电子电路中的反馈本章练习题：选择题：17.1 射极输出器是( )。(a) 串联电压负反馈电路(b) 串联电流负反馈电路(c) 并联电压负反馈电

12、路17.2 电路如图所示，电阻RE1引入的反馈为( )。(a) 串联电压负反馈(b) 串联电流负反馈(c) 并联电压负反馈(d) 并联电流负反馈 17.3 在负反馈放大电路中，随着反馈深度的增加，则闭环电压放大倍数的稳定性将( )。(a) 降低(b) 提高(c) 不变17.4 若要求负载变化时放大电路的输出电压比较稳定，并且取用信号源的电流尽可能小，应选用( )。(a) 串联电压负反馈(b) 串联电流负反馈(c) 并联电压负反馈(d) 并联电流正反馈17.5 同相输入比例运算放大器电路中的反馈极性和类型属于（ ）。(a)正反馈 (b)串联电流负反馈(c)并联电压负反馈 (d)串联电压负反馈17

13、.6 在运算放大器电路中，引入深度负反馈的目的之一是使运放( )。(a)工作在线性区，降低稳定性(b)工作在非线性区，提高稳定性(c)工作在线性区，提高稳定性2、 填空题：17.7 电路如图所示，电阻RE引入的反馈为 。 17.8 放大电路如图所示，RF支路引入的反馈为 。 17.9 欲使放大电路的输入电阻增加，输出电阻减小，应引入 。17.10 电路如图所示，RF引入的反馈为 。三、综合判断题：17.11 电路如图所示，RL为负载电阻，判断RF引入的反馈类型。 17.12 电路如图所示，判断RF引入的反馈类型。 17.13 运算放大器电路如图所示，判断该电路中的反馈极性和类型为。 17.14

14、 电路如图所示，判断RF引入的反馈类型。 第18章 直流稳压电源本章练习题： 一、选择题：18.1 在单相半波整流电路中，所用整流二极管的数量是（ ）。(a)四只 (b)二只 (c)一只18.2 在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有（ ）。(a)电流放大特性(b)单向导电的特性(c)反向击穿的性能18.3 在整流电路中，设整流电流平均值为，则流过每只二极管的电流平均值的电路是（ ）。(a)单相桥式整流电路 (b)单相半波整流电路 (c)单相全波整流电路18.4 在整流电路中，设整流电流平均值为，则流过每只二极管的电流平均值的电路是（ ）。(a)单相桥式整流电路 (b)单相半波整流电路

15、 (c)单相全波整流电路18.5 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为，二极管D所承受的最高反向电压是（ ）。(a) (b) (c)18.6 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为，二极管D所承受的最高反向电压是（ ）。(a) (b) (c)18.7 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为，二极管D所承受的最高反向电压是（ ）。(a) (b) (c)18.8 整流电路如图所示，已知输出电压平均值 是18 V，则变压器副边电压有 效 值 是（ ）。(a) 40 V(b) 20 V (c) 15 V (d) 12.7 V2、 填空题：18.9 在整流电路中，二极管之所以能整流，是因为它具有

16、 。18.10 在单相桥式整流电路中，所用整流二极管的数量是 。18.11 在单相半波整流电路中，设整流电流平均值为，则流过二极管的电流平均值 。 18.12 整流电路如图所示，变压器副边电压有效值为10 V，则输出电压的平均值是 。18.13 电路如图所示，该电路的名称是 。18.14 整流电路如图所示，负载电阻，变压器副边电压的有效值=100 V，直流电流表的读数为 。（设电流表的内阻为零） 18.15 单相半波整流、电容滤波电路中，设变压器副边电压有效值为，则通常取输出电 压平均值 等于 。三、计算题：18.16 图示电路中，二极管为理想元件，ui为正弦交流电压，已知交流电压表的读数为1

17、00V，负载电阻RL=1kW，求开关S断开和闭合时直流电压表和电流表（A）的读数。（设各电压表的内阻为无穷大，电流表的内阻为零） 18.17 整流滤波电路如图所示，二极管量理想元件，负载电阻，电容，变电器副边电压有效值，用直流电压表测a、b两点电压时，其读数为:(1)10V；(2)14V；(3)4.5V。试分析每个读数是在何种情况下出现的。(设电压表的内阻为无穷大) 第20章 门电路和组合逻辑电路本章练习题： 一、 选择题：20.1. 模拟电路中的工作信号为( )。(a) 随时间连续变化的电信号(b) 随时间不连续变化的电信号(c) 持续时间短暂的脉冲信号20.2. 数字电路中的工作信号为(

18、)。(a) 随时间连续变化的电信号 (b) 脉冲信号 (c) 直流信号20.3. 晶体管的开关作用是( )。(a) 饱合时集射极接通，截止时集 射极断开(b) 饱合时集射极断开，截止时集 射极接通(c) 饱合和截止时集射极均断开20.4. 逻辑门电路的逻辑符号如图所示，能实现 FAB 逻辑功能的是( ) 。20.5. 逻辑符号如图所示， 表示“ 与”门的是( ) 。20.6. 逻辑“与”的运算是( )。(a) 逻辑和(b) 逻辑乘(c) 逻辑除20.7. 逻辑“ 或” 的运算是( )。(a) 逻辑加(b) 逻辑减(c) 逻辑乘二、填空题：20.8. 模拟电路中晶体管大多工作于 状态 。20.9

19、. 数字电路中晶体管大多工作于 状 态。20.10. 逻辑符号如图所示，其逻辑式为 。20.11. 逻辑式 ，化简后为 。20.12 逻辑式 A +AB +ABC+AC，化简后为 。20.13. B+C 的“ 与非”逻辑式为 。三、综合题：20.14. 几个与非门串联的逻辑图如图1所示，输入A的波形如图2所示，其余不用的与非门输入端均悬空。要求：(1) 画出 n=5 时输出 F1 的波形；(2) 画出 n=6 时输出F2 的波形。 20.15. 已知逻辑图及其输入波形如图所示，试分别画出各自的输出波形。20.16. 已知某逻辑电路图的输入A、B及输出F的波形，试分别列出状态表，写出逻辑式并画出

20、逻辑图。 20.17. 已知逻辑门及其输入波形如图所示，试分别画出输出F1、F2、F3的波形，并写出逻辑式。 20.18. 已知逻辑电路及其输入波形如图所示 ，试分别画出输出 F1，F2 的波形 。 第21章 触发器和时序逻辑电路本章练习题： 一、选择题：21.1. 触发器按其工作状态是否稳定可分为( )。(a)RS触发器，JK触发器，D触发器，T触发器(b)双稳态触发器，单稳态触发器，无稳态触发器(c)主从型触发器，维持阻塞型触发器。21.2. 触发器输出的状态取决于( )。(a)输入信号 (b)电路的原始状态 (c)输入信号和电路的原始状态21.3. 在RD=SD=“1”时，基本RS触发器

21、( )。(a)置“0”(b)置“1”(c)保持原状态21.4. 逻辑电路如图所示，分析RD，SD的波形，当初始状态为“1”时，t1瞬间输出Q为( )。(a)“0” (b)“1” (c)不定21.5. 某主从型JK触发器，当J=K=“1”时，C端的频率f=200 Hz，则Q的频率为( )。(a)200 Hz (b)400 Hz (c)100 Hz21.6. 某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是（a）。(a)加法计数器(b)减法计数器(c)移位寄存器二、填空题：21.7. 某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是 。 21.8. 某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是 。2

22、1.9. 如果要构成n位二进制计数器，需用双稳态触发器的个数最少为 。21.10. 某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是 。21.11. 某计数器最大输入脉冲数为15，组成该计数器所需最少的触发器个数为 。三、综合题：21.12. 已知主从JK触发器的C脉冲和J、K的波形如图所示。试画出其输出Q的波形（设Q的初始状态为“0”）。21.12. 已知逻辑电路图及C 脉冲的波形 ，试写出各触发器 J，K 及D 的逻辑式，并列出 ， ，的状态表（设， 初始状态均为“0”）。21.13. 逻辑电路图及C脉冲的波形如图所示，试画出触发器输出，的波形（设，的初始状态均为“0”）。21.14. 逻辑

23、电路图及C脉冲的波形如图所示，试画出A和B的波形（设A的初始状态为“0”）。21.15. 逻辑电路图及A ，B，C 的波形如图所示 ，试画出Q 的波形（设Q 的初始状态为“0”）。考试样题郑州大学现代远程教育电工基础课程试卷（电力经济专业适用）一、单项选择题：在下列各题中，将唯一正确的答案代码填入括号内(本大题分10小题, 每小题 3分, 共30 分)1. 半导体的导电能力（c）。(a) 与导体相同 (b) 与绝缘体相同 (c) 介乎导体和绝缘体之间 2. P型半导体中空穴数量远比电子多得多，因此该半导体应（c ）。(a) 带正电(b) 带负电 (c) 不带电3. 共射放大电路的输入输出公共端

24、是(b)。(a) 集电极(b) 发射极(c) 基极4. 固定偏置放大电路中， 晶体管的50，若将该管调换为 =80 的另外一个晶体管，则该电路中晶体管集电极电流 IC 将（a）。 (a)增加 (b) 减少 (c) 基本不变5. 集成运算放大器输出级的主要特点是（a）。(a)输出电阻低，带负载能力强(b)能完成抑制零点漂移(c)电压放大倍数非常高6. 若要求负载变化时放大电路的输出电压比较稳定，并且取用信号源的电流尽可能小，应选用(a)。(a) 串联电压负反馈(b) 串联电流负反馈(c) 并联电压负反馈(d) 并联电流正反馈7. 在整流电路中，设整流电流平均值为，则流过每只二极管的电流平均值的电

25、路是（b）。(a)单相桥式整流电路 (b)单相半波整流电路 (c)单相全波整流电路8. 模拟电路中的工作信号为( a )。(a) 随时间连续变化的电信号(b) 随时间不连续变化的电信号(c) 持续时间短暂的脉冲信号9. 逻辑“与”的运算是( b )。(a) 逻辑和(b) 逻辑乘(c) 逻辑除10. 某时序逻辑电路的波形如图所示，由此判定该电路是（a）。(a)加法计数器(b)减法计数器(c)移位寄存器二、填空题：(本大题分5小题, 每小题 3分, 共15 分)1. 半导体二极管的主要特点是 具有单向导电性 。2. 对放大电路进行静态分析的主要任务是 确定静态工作点Q 。3. 集成运放级间耦合方式

26、是 直接耦合 。4. 电路如图所示，该电路的名称是 单相半波整流电路 。5. 逻辑符号如图所示，其逻辑式为 F 。三、综合题：(本大题共55分)1. （本题10分）电路如图所示，二极管D为理想元件，US= 5 V，求电压uO。解：二极管D正向偏置处于导通状态因此 2. （本题15分）放大电路如图所示，已知晶体管，试求:(1)放大电路的静态工作点(设)；(2)放大电路的电压放大倍数。解：(1) 依 戴 维 宁 定 理 ： (2) 3. （本题10分）电路如图所示，输入信号 V，求输出电压。 解：这是反相比例运算电路 4. （本题10分）几个与非门串联的逻辑图如图1所示，输入A的波形如图2所示，其

27、余不用的与非门输入端均悬空。要求：(1) 画出 n=5 时输出 F1 的波形；(2) 画出 n=6 时输出F2 的波形。 解： (1) 若 n = 5，则 与 反 相; (2) 若 n = 6， 则 与 同 相。5. （本题10分）逻辑电路图及C脉冲的波形如图所示，试画出触发器输出，的波形（设，的初始状态均为“0”）。答习题答案第15章 半导体二极管和三极管一、选择题：14.1 c14.2 c14.3 c14.4 b14.5 a14.6 c14.7 b 二、填空题：14.8具有单向导电性。14.9 零 14.10 无穷大 14.11 正向电压大于PN结的死区电压 14.12 由电子 14.13

28、 空穴三、计算题14.14 5V14.15 0 V 14.16 3V14.17 1 V14.18 1为发射极E，2为集电极C，3为基极B。硅管，NPN型。第15章 基本放大电路3、 选择题：15.1 b15.2 a15.3 b15.4 a15.5 a15.6 a15.7 a15.8 a15.9 b15.10 b4、 填空题：15.11 定静态工作点Q 15.12 增加 15.13 饱和 15.14 250015.15 直接 三、计算题15.16 （72 kW）15.17 15.18 (2) 15.19 (2) 15.20 1)略(2) 15.21 1)略(2) 15.22 (1)略(2) (3) 第16章 集成运算放大器一、选择题：16.1 a16.2 c16.3 a16.4 c16.5 c16.6 b16.7 a二、填空题：16.8 直接耦合 16.9 零 16.10 无穷大 16.11 运放的差模输入电阻接近无穷大 16.12 无穷大 16.13 同相比例 三、计算题：16.14 21.414 sin V 16.15 -( 1/10 ) 16.16 R= R1 / R2 / R3 16.17 ( ) 16.18 为4V 第1