lq1半导体器件

1、电力电子技术（一）电力电子技术（一）主讲 刘琼 武科大信息与工程学院电子技术电子技术陈瑞主编21.1 半导体的基础知识1.2 半导体二极管1.3 晶体管1.4 场效应晶体管1.5 半导体器件的测试第1章 半导体器件31.1 半导体的基础知识半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料半导体：导电能力介于导体和绝缘体之间的材料常见的半导体材料有硅、锗、硒硅、锗、硒及许多金属的氧化物和硫化物等。半导体材料多以晶体的形式存在。半导体材料的特性：半导体材料的特性：纯净半导体的导电能力很差；温度升高导电能力增强（如钴、锰、镍的氧化物做成的热敏电阻）；光照增强导电能力增强（如镉、铅等硫化物做成的光敏电阻）；

2、掺入少量杂质导电能力增强。41.1.1 本征半导体完全纯净、具有晶体结构的半导体完全纯净、具有晶体结构的半导体最常用的半导体为硅硅(SiSi)和锗锗(GeGe)。它们的共同特征是四价元素四价元素，每个原子最外层电子数为 4 。+ + +SiSiGeGe5共价键共价键1.1.1 本征半导体在本征半导体的晶体结构中，每个原子与相邻的四个原子结合。每个原子的一个外层价电子与另一原子的一个价电子组成一个电子对，电子对由相邻两原子共有，构成共价键结构。6共价键价电子共价键价电子自由电子自由电子和和空穴空穴同时同时产生产生1.1.1 本征半导体激发自由电子温增和光照外加电压电子电流离开剩空穴原子带正电吸引

3、相邻原子价电子填补空穴好像空穴在运动（正电荷）外加电压空穴电流与金属导电的区别多多硅原子自由电子7硅原子半导体中的自由电子自由电子和空穴空穴都能参与导电半导体具有两种载流子。共价键价电子1.1.1 本征半导体本征半导体中的自由电子和空穴总是成对出现，同时又不断进行复合。在一定温度下，载流子的产生与复合会达到动态平衡，即载流子浓度与温度有关。温度愈高，载流子数目就愈多，导电性能就愈好温度对半导体器件性能影响很大81.1.2 杂质半导体在常温下，本征半导体的两种载流子数量还是极少的，其导电能力相当低。如果在半导体晶体中掺入微量杂质元素，将得到杂质半导体，而杂质半导体的导电能力将大大提高。由于掺入杂

4、质元素的不同，杂质半导体可分为两大类N型半导体和 P型半导体。91. N型半导体当在硅或锗的晶体中掺入微量磷(或其它五价元素)时，磷原子与周围四个硅原子形成共价键后，磷原子的外层电子数将是 9 ，比稳定结构多一个价电子。P+SiSiSiSiSiSiSiPSiSiSiSi多余多余电子电子101. N型半导体掺入磷杂质的硅半导体晶体中，自由电子的数目大量增加。自由电子导电是这种半导体的导电方式，称之为电子半导体或电子半导体或N N型半导体型半导体。在N型半导体中电子是多数载流子、空穴是少数载流子。室温情况下，本征硅中载流子有1.51010个/cm3，当磷掺杂量在106量级时，电子载流子数目将增加几

5、十万倍。11当在硅或锗的晶体中掺入微量硼(或其它三价元素)时，硼原子与周围的四个硅原子形成共价键后，硼原子的外层电子数将是 7 ，比稳定结构少一个价电子。B+SiSiSiSiSiSiSiBSiSiSiSi空穴空穴2. P型半导体12掺硼半导体中，空穴的数目远大于自由电子的数目。空穴为多数载流子，自由电子是少数载流子，这种半导体称为空穴型半导体或空穴型半导体或P P型半导体型半导体。一般情况下，掺杂半导体中多数载流子的数量可达到少数载流子的1010倍或更多，电子载流子数目将增加几十万倍。不论是N型半导体还是P型半导体，都只有一种多数载流子。然而整个半导体晶体仍是电中性的。整个半导体晶体仍是电中性

6、的。2. P型半导体因为载流子带正电或负电，原子则相反带负电或带正电，整个晶体不带电。131.1.3 PN结的形成及特性不论是P型半导体还是N型半导体，都只能看做是一般的导电材料，不具有半导体器件的任何特点。半导体器件的核心是PN结，是采取一定的工艺措施在一块半导体晶片的两侧分别制成P型半导体和N型半导体，在两种半导体的交界面上形成PN结。各种各样的半导体器件都是以PN结为核心而制成的，正确认识PN结是了解和运用各种半导体器件的关键所在。141. PN结的形成PN空间电荷区空间电荷区多数载流子将进行扩扩散散运动；耗尽了载流子的交界处留下不可移动的离子形成空间电荷区空间电荷区；(内电场)也称耗尽

7、层耗尽层一块晶片的两边分别为P型半导体和N型半导体。内电场内电场阻碍了多子的继续扩散，推动少子的漂移运动，最终达到动态平衡，空间电荷区宽度一定。P区区空穴多自由电子少N区区自由电子多空穴少内电场15空间电荷区空间电荷区P区区N区区载流子的运动有两种形式：扩散扩散 由于载流子浓度梯度浓度梯度引起的载流子从高浓度区向低浓度区的运动。漂移漂移 载流子受电场作用电场作用沿电场力方向的运动。耗尽层中载流子的扩散和漂移运动最后达到一种动态平衡，这样的耗耗尽层尽层就是PNPN结结。PN结内电场的方向内电场的方向由N区指向P区。1. PN结的形成162. PN结的单向导电性PN结未加电压时，载流子的扩散和漂移

8、运动处于动态平衡，空间电荷区的宽度基本稳定。1.1. 加正向电压正向电压将电源的”+”接P区、”-”接N区。扩散增强PN内电场方向外电场方向I变窄变窄+- -下面讨论加有外部电压时的PN结特性。外电场作用P区空穴进入PNNN区电子进入PNPPN结内正负离子被抵消PN结变窄电荷易过电阻低内电场弱漂移变弱多子形成正向电流（包括方向一致的空穴电流和电子电流）外电源不断提供电荷维持电流外电源不断提供电荷维持电流172. 2. 加反向电压加反向电压将外电源的正端接N区、负端接P区。外电场与内电场方向相同，空间电荷区变宽。扩散运动变弱，漂移运动增强，参与漂移运动的载流子是少子，反向电流极小。PN内电场方向

9、外电场方向+I0变宽变宽少子是由热激发产生的，即温度愈高少子的数量愈多，故温度对反向电流的影响很大。PNPN结具有单向导电性，即结具有单向导电性，即正向导通、反向截止。正向导通、反向截止。2. PN结的单向导电性181.2 半导体二极管将PN结加上电极引线及外壳，就构成了半导体二极管。 PN结是二极管的核心，也是所有半导体器件的核心。1.2.1 二极管的结构和类型金属触丝金属触丝阳极引线阳极引线N型锗片型锗片阴极引线阴极引线外壳外壳( a ) 点接触型点接触型铝合金小球铝合金小球N型硅型硅阳极引线阳极引线PN结结金锑合金金锑合金底座底座阴极引线阴极引线( b ) 面接触型面接触型阴极阴极阳极阳

10、极 符号符号D191.2.1 二极管的结构和类型二极管的分类根据制造半导体材料 分为硅、锗等；根据二极管的结构 分为点接触、面接触、硅平面型等；根据二极管的工作频率 分为低频、高频等；根据二极管的功能 分为检波、整流、开关、变容、发光、光敏、触发及隧道二极管等；根据二极管的功率特性 分为小功率、大功率二极管等；20 既然二极管二极管是由 PN PN 结结构成的，它自然具有着单向导电性。某种硅二极管的电流-电压关系 (伏安特性)可见图示：由电压零点分为正向区正向区和反向区反向区正向：正向：由死区电压死区电压分为死区死区和导通区导通区门限电压门限电压U Uonon ：Si-0.5V Ge-0.1V

11、Si-0.5V Ge-0.1VU(V)0.400.8-50-25I (mA)20406040200-0.5v:正压低外电场0.5v:正压高外电场内电场内电场大大削弱正向电流大导通压降： Si 0.60.8V Ge 0.10.3V 1.2.2 半导体二极管的特性死区死区导通区导通区 Uon死区电压死区电压21截止区:负压小漂移强(少子)很小反向电流反向饱和电流U(V)0.400.8-50-25I (mA)204060 (A)4020 反向：反向：由击穿电压击穿电压分为截止区和击穿区1.2.2 半导体二极管的特性击穿区:负压大二极管失去单向导电性击穿反向击穿电流不可逆击穿原因：碰撞和非碰撞击穿原因

12、：碰撞和非碰撞碰撞:强电场中载流子获大能量碰撞晶格价电子弹出，产生电子空穴对即新的载流子再碰撞晶格雪崩反应，反向电流越来越大反向击穿非碰撞:强电场直接将共价键中价电子拉出，产生电子空穴对，形成较大反向电流22二极管的特性不仅可用伏安曲线表示，也可用一些数据进行说明这些数据就是二极管的参数。二极管的主要参数有：1. 1. 最大整流电流最大整流电流I IOM OM 二极管长时间使用所允许通过的最大正向平均电流。2. 2. 反向工作峰值电压反向工作峰值电压U URWM 保证二极管不被击穿而给出的反向峰值电压，为反向击穿电压的1/2至2/3。3. 3. 反向峰值电流反向峰值电流I IRM 二极管加反向

13、峰值电压时的反向电流值。该值愈大说明二极管的性能愈差，硅管的此参数值为微安级以下。1.2.3 二极管的主要参数23+- -如图由RC构成微分电路，当输入电压ui为矩形波时，试画出输出电压uo的波形。(设uc0 =0)uRtouotouitoU1.2.4 半导体二极管的应用应用：整流、检波、限幅、应用：整流、检波、限幅、元件保护、开关元件元件保护、开关元件a、检波、检波+- -+- -+ - -CRDRLuiuRuo充电+ - -反向不通=0=0+ - -+ +- + +0-+ +UR=Ui-UCUR=UC放电正向导通24限幅电路如图，V为直流电源，输入电压ui为幅值Um的正弦波时，试画出输出电

14、压uo的波形。1.2.4 半导体二极管的应用应用：整流、检波、元件应用：整流、检波、元件保护、开关元件保护、开关元件b、限幅、限幅VAVB VD通通uo=Vuit0Vuouit0Vuouit0Vuo+- -+- -RVDuiuoVAB解：解：A点电位表示ui，B点电位表示VVAVB VD通通uo=VVAVB VD断断uo=uiVAVB VD通通uo=VVAV0V=00V-Um若若VUm， uo波形？波形？若若-UmV uo波形？波形？uo=ui正弦波正弦波uo=V直线直线251.2.4 半导体二极管的应用c、钳位、隔离、钳位、隔离AB+3V0VR-12VYDADB锗管如图，VA=+3V，VB=

15、0VR接负电源-12V，求VY多个二极管导通原则：设所有管不通，所有R短路，计算计算各管上电压，谁高谁导通。导通管有压降，剩下各管重新计算电压。大于死区电压导通，否则截止。解：UDA=3-（-12）=15V UDB=0-（-12）=12V DA优先导通， 导通压降设为0.3V VY=3-0.3=2.7V+ - -+ - -UDB=0-2.7=-2.7V DB反向截止。DA起钳位作用，把VY钳住在2.7VDB起隔离作用，隔离输入B和输出Y261二极管的型号 国家标准（GB249-74）规定，国产半导体器件的型号有五部分组成：如，硅整流二极管252 1.2.5 半导体二极管的使用常识 27 2.二

16、极管的选管规则 首先要保证所选管子安全可靠工作，也就是被选用的管子在使用时流过的正向电流不能超过最大整流电流，管子承受的反向电压不能超过最高反向工作电压，并留有一定余量，而且所选用的管子应具有良好的性能。此外，根据不同的技术要求，应结合不同材料和结构的管子所具有的特点，选用经济实用的管子。若要求导通压降小，工作电流小，而频率较高时应选用点接触型锗管；若要求工作电流大，反向电流小，反向电压高且热稳定性较好时，选用面接触型硅管为宜。1.2.5 半导体二极管的使用常识 281.2.6 特殊二极管稳压管是一种特殊的面接触型二极管。它在电路中常用作稳定电压的作用，故称为稳压管。稳压管的图形符号：稳压管的

17、伏安特性：U(V)0.400.8-8-4I (mA)204010-20-1030-12反向正向稳压管的伏安特性曲线与普通二极管类似，只是反向曲线更陡一些。1. 稳压管291. 稳压管 U(V)0.400.8-8-4I (mA)204010-20-1030-12反向正向稳压管工作于反向击穿区，常见电路如下。U iRU oR L在电路中稳压管是反向联接的。当U i大于稳压管的击穿电压时，稳压管被击穿（可逆），电流将增大，电阻R两端的电压增大，在一定的电流范围内稳压管两端的电压基本不变，输出电压U o等于U z 。301、稳定电压Uz 指稳压管正常工作时的端电压稳压管正常工作时的端电压。 同一型号稳

18、压管UZ也不一定相等。2、稳定电流IZ 正常工作的参考电流值正常工作的参考电流值。 每种型号稳压管都规定有一个最大稳定电流IZM，超过它，易发生热击穿（不可逆），稳压管损毁,IZIZM。U(V)0I (mA)反向正向UZIZ1. 稳压管313、动态电阻r rZ Z 稳压管子端电压和通过其电流的变化量之稳压管子端电压和通过其电流的变化量之比。比。稳压管的反向伏安特性曲线越陡，则动态电阻越小，稳压效果越好。U(V)0I (mA)反向正向UZIZZZZIUrIZmIZUZ4、最大允许耗散功耗P PZMZM 保证稳压管不发生热击穿的最保证稳压管不发生热击穿的最大功率损耗。大功率损耗。其值为稳定电压和允

19、许的最大电流乘积ZMZZMIUP1. 稳压管325、电压温度系数 U U说明稳压值受温度影响的参数。如：稳压管2CW18的电压温度系数为0.095% / C 假如在20 C时的稳压值为11V，当温度升高到50 C时的稳压值将为V3 .1111)2050(100095. 011特别说明：特别说明：稳压管的电压温度系数电压温度系数有正负之别。0V6UV6U0V6UUZUZUZ很小因此选用6V左右的稳压管，具有较好的温度稳定性。1. 稳压管33例如图，通过稳压管的电流IZ等于多少？解：UR=20-12=8VIZ=IR=8/1.6=5mA18mA若R1=12k，I1=? IZ=？R1=12kI1=？I

20、1=UZ/R1=12/12=1mAIZ=IR-I1=5-1=4mA+20VIZR=1.6kUz=12VIZM=18mA+DZ-IR34发光二极管简称LED(light-emitting diode) 它是一种将电能转换为光能的半导体器件。符号如图1-13所示。 图1-13 发光二极管符号关于发光二极管作以下说明：（1）发光二极管常用显示器件，如指示灯等。 （2）工作时加正向电压。（4）发光二极管导通时管压降为1.8V2.2V。（3）要加限流电阻，工作电流一般为几毫安至十毫安，电流大，发光强。2. 发光二极管 351.3 晶体管半导体三极管半导体三极管( (晶体管晶体管) )是最重要的一种半导体

21、器件。是最重要的一种半导体器件。广泛应用于各种电子电路中。广泛应用于各种电子电路中。一一. . 基本结构基本结构晶体管最常见的结构有平面型平面型和合金型合金型两种。平面型都是硅管、合金型主要是锗管。它们都具有NPNNPN或PNPPNP的三层两结三层两结的结构，因而有因而有NPNNPN和和PNPPNP两类晶体管两类晶体管。其三层分别称为发射区发射区、基区基区和集电区集电区，并引出发发射极射极(E)(E)、基极基极(B)(B)和集电极集电极(C)(C)三个电极。三层之间的两个PNPN结结分别称为发射结发射结和集电结集电结。本节介绍晶体管的结构、特性及参数的内容。36N型硅型硅P型N型二氧化硅保护膜

22、CBE平面型结构N型锗铟球铟球P型P型CEB合金型结构NNP集电结集电结发射结发射结集电区集电区发射区发射区基区基区CBENPP集电区集电区发射区发射区基区基区集电结集电结发射结发射结CBEBECBEC1.3.1 晶体管的结构及类型可以互换吗？可以互换吗？杂质多杂质多尺寸大尺寸大+ +- - -+ +37NPN型和PNP型晶体管的工作原理相似，本章只讨论前者。如图，对NPN型晶体管加EB和EC两个电源，接成共发射极接共发射极接法法构成两个回路。通过实验及测量结果，得：(1). BCEIII(2). IC(或IE)比IB大得多， (如表中第三、四列数据)5.3704.050.1BCII3.380

23、6.030.2IIBCIB(mA) 0 0.02 0.04 0.06 0.08 0.10IC(mA)0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE(mA)0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05 1.3.2 晶体管电流分配和放大作用384002.080.004.006.050.130.2IIBC(4). 要使晶体管起放大作用，发射结必须正向偏置、集电结 必须反向偏置具有放大作用的外部条件具有放大作用的外部条件。这就是晶体管的电流放大作用，I IB的微小变化可以引起I IC的较大变化(第三列与第四列的电流增量比)。 IB(mA) 0 0.02 0.04 0.

24、06 0.08 0.10IC(mA)0.001 0.70 1.50 2.30 3.10 3.95IE(mA)0.001 0.72 1.54 2.36 3.18 4.05(3). 当IB=0(基极开路)时，IC也很小(约为1微安以下)。 1.3.2 晶体管电流分配和放大作用391、发射区向基区扩散电子发射区向基区扩散电子电流放大作用原理 内部载流子运动规律发射结处于正向偏置，掺杂浓度较高的发射区向基区进行多子扩散。放大作用的内部条件：放大作用的内部条件：基区很薄且掺杂浓度很低。2、电子在基区的扩散和复合电子在基区的扩散和复合基区厚度很小，电子在基区继续向集电结扩散。（但有少部分与空穴复合而形成I

25、BE IB） 1.3.2 晶体管电流分配和放大作用BECNNPEBRBECIEIBEICEICIBICBO403、集电区收集扩散电子集电结为反向偏置使内电场内电场增强，对从基区扩散进入集电结的电子进行加速，收集电子到集电区，形成集电极电流(I ICE I IC)。由电流分配关系示意图可知发射区向基区注入的电子电流I IE将分成两部分I ICE和I IBE，它们的比值为BCCBOBCBOCBECEIIIIIIII它表示晶体管的电流放大能力，称为电流放大系数。 1.3.2 晶体管电流分配和放大作用少子运动少子运动形成形成反向反向截止电流截止电流BECNNPEBRBECIEIBEICEICBOICI

26、B41 在晶体管中，不仅I IC比I IB大很多；当I IB有微小变化时还会引起I IC的较大变化。根据晶体管放大的外部条件，发射结必须正向偏置，集电结必须反向偏置。则对于NPN型晶体管0BEU0CEU且BECEUU对于PNP型晶体管0BEU0CEU且BECEUU 1.3.2 晶体管电流分配和放大作用BEC+ +- -BEC- -+ +421.3.2 晶体管的特性曲线最常用的是共发射极共发射极接法的输入特性曲线输入特性曲线和输出特性输出特性曲线，曲线，实验测绘是得到特性曲线的方法之一。特性曲线的测量电路见右图。AVmAVECRBIBUCEUBEICEB用晶体管特性图示仪也可直接测量及显示晶体管

27、的各个特性曲线。特性曲线。晶体管的特性曲线是表示一只晶体管各电极电压与电流之间关系的曲线。是应用晶体管和分析放大电路的重要依据。431. 输入特性曲线输入特性曲线输入特性曲线当U UCE为常数时的IB与U UBE之间的关系曲线。00.4200.8406080UBE(V)IB(A)UCE1V3DG6的输入特性曲线对硅管来说，当 U UCE 1V时，集电结已处于反向偏置，发射结正向偏置所形成电流的绝大部分将形成集电极电流， UCE 1V后，输入特性曲线基本重合，只画一条。但IB与U UBE的关系依然与PN结的正向类似。(当U UCE更小， IB才会明显增加)硅管的死区电压为0.5V，锗管的死区电压

28、不超过0.1V。放大状态放大状态 硅NPN管UBE=0.60.8V导通压降导通压降： 锗PNP管UBE = -0.1-0.3V(参见右图)442. 输出特性曲线当IB一定时，UCE超过约1V以后就将形成IC，当UCE继续增加时， IC 的增加将不再明显。这是晶体管的恒流特性。当IB增加时，相应的IC也增加，曲线上移，而且IC比IB 增加得更明显。这是晶体管的电流放大作用。输出特性曲线是在I IB为常数时，I IC与U UCE之间的关系曲线。在不同的I IB下，可得到不同的曲线，即晶体管的输出特性曲线是一组曲线(见下图)。IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(

29、V)912045(1) 放大区放大区特性曲线近于水平的区域。在放大区BCII也称线性区。此时发射结正向偏置，集电结反向偏置。(2) 截止区截止区IB=0曲线以下的区域。 IB=0时IC= ICEO。对于硅管当UBE 0.5V时即开始截止。为了可靠截止常使UBE0。即截止时两个PN结都反向偏置。通常将晶体管的输出特性曲线分为三个工作区：2. 输出特性曲线IB=020A40A60A80A100A36IC(mA )1234UCE(V)9120放大区截止区462. 输出特性曲线当当U UCE U U(BR)CEO时，I ICEO突变，晶体管会被击穿损坏。6. 6. 集电极最大允许耗散功率集电极最大允许

30、耗散功率P PCMCMI IC流经集电结时将产生热量使结温上升，从而引起晶体管参数的变化。在参数变化不超过允许值时集电极所消耗的功率称为P PCM。因此P PCM主要受结温T T j j制约。4. 4. 集电极最大允许电流集电极最大允许电流ICMCM参数参数和和ICBO（ICEO）表明管子优劣）表明管子优劣 ICM、U（BR）CEO和和PCM是极限参数是极限参数51普通晶体管是电流控制元件普通晶体管是电流控制元件，通过控制基极电流达到控制集电极电流的目的。由于信号源必须提供一定的电流才能工作，因此它的输入电阻较低，仅有102104。场效应管则是电压控制元件场效应管则是电压控制元件，它的输出电流

31、取决于端电压的大小，基本上不需要信号源提供电流，所以它的输入电阻很高，可高达109 1014。 1.4 场效应晶体管521.4.1 场效应管的特点和分类场效应管按导电沟道分类增强型耗尽型N沟道P沟道场效应管按结构分类结型场效应管绝缘栅场效应管增强型耗尽型531.4.2 绝缘栅型场效应晶体管GDS高掺杂N+低掺杂P型硅片衬底源极：S (Source)，相当于e极。漏极：D (Drain) ，相当于c极；栅极：G (Gate) ，相当于b极；1、N沟道增强型MOS管GDS绝缘栅型场效应晶体管通常由金属、氧化物和半导体制成，所以又称为金属氧化物半导体场效应管，简称为MOS管。 高掺杂N+SiO2绝缘

32、层栅极和其它电极及硅片之间绝缘，所以称绝缘栅场效应管54GDSN+N+P-UGS+N沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成沟道增强型绝缘栅场效应管导电沟道的形成耗尽层耗尽层 1、N沟道增强型MOS管当UGS=0,UDS无论何值，SD之间两只背靠背的PN结总有一个不通，漏极电流ID=0IDUGS进一步增大时，一方面耗尽层增宽，另一方面将衬底的自由电子吸引到耗尽层与绝缘层之间，形成一个N型薄层，称为反型层，它就是沟通SD的N型导电沟道。UDS当UGS0,UDS=0，产生垂直于衬底表面的电场，吸引P型衬底的电子去表层填补空穴，形成负离子耗尽层。反型层反型层 电场电场55开启电压UGS（th）在一定的

33、漏-源电压UDS下，使场效应管由不导通变为导通的临界栅-源电压，称为开启电压。开启电压。1、N沟道增强型MOS管导电沟道形成后，在UDS作用下，产生漏极ID，管子导通GDSN+N+P-UGS+IDUDS电场反型层 耗尽层PN结 因源极和衬底相连，加入UDS后， UDS沿漏到源逐渐降落在沟道内，漏极和衬底之间反偏最大，PN结的宽度最大。所以加入UDS后，在漏源之间会形成一个倾斜的PN结区，从而影响沟道的导电性。561、N沟道增强型MOS管GDSN+N+PUGSIDUDS反型层 耗尽层 当UDS进一步增加时， ID会不断增加 ，同时漏端的耗尽层上移，会在漏端出现夹断，这种状态称为预夹断预夹断 当UDS继续增加时， 漏端的耗尽层向源极伸展，此时ID基本不再增加，增加的UDS基本上降落在夹断区。GDSN+N+PUGSIDUDS反型层 耗尽层 57无沟道有沟道UDS=常数UGS(V)ID (mA)0)(thGSU转移特性曲线输出特性曲线N沟道增强型场效应管的特性曲线UGS3ID (mA)UDS(V)0（输入电压对输出电流的控制特性）1、N沟道增强型MOS管UGS2UGS1UGS(th)可变电