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文档简介
1、触摸屏镀膜线成套设备技术规格一、镀膜线成套设备技术指标及功能要求:序号指标项技术规格要求1安装场所最大尺寸L29m*W7.3m*H3.5m(其中装卸区H3m)2工件尺寸370mm*470mm;400mm*500mm 厚度0.33mm1.1mm3生产能力每月满足TP sensor产品5万片的生产能力4极限真空1.33*10-4Pa5温度350(基板表面温度)6温度均匀性±5 装片小车范围内所有基板7膜层SiO2;ITO;MOALMO等8靶位配置2MF +6DC9功率密度视用户膜层品质可调整10膜厚及均匀性SiO2:10100nm ±7% ITO:20200nm ±5
2、%MO:20250nm ±5% AL:50250nm ±5%11靶材利用率ITO靶材、金属靶材40%12ITO方块电阻膜厚200nm时,基板内:10/13ITO透过率当=550nm,ITO:200nm时 基板内:93%,以基板为参考14ITO附着性在光玻璃上成膜后,用3M胶带快速拉扯300次;附着性测试后的膜厚,电阻率,透过率变化5%15溅射稳定性异常放电出现机率小于1%16成膜绕射不能绕射到基板背面17颗粒基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况: 装载位置腔内卸载位置. :1 对于颗粒尺寸D20m:3 对于颗粒尺寸17D20m:100 对于颗粒尺寸10D17m18电源品牌M
3、F:德国霍丁格 DC:美国AE19真空泵德国莱宝或日本真空,要求:不能有漏油20等离子清洗和蚀刻通过调节可以满足:1、基板清洁;2、蚀刻10nm金属膜层。21工控方式日本三菱机电或德国西门子22设备稳定性设备连续运行150小时无故障23UTT电力规格:3、50、200V和 380 V冷却水:压力0.5Mpa,18±2压缩空气:0.5 0.7 MPa(标准)气压氮气:0.5 0.7 MPa(标准)气压说明:双面ITO钼铝钼玻璃1)、产品结构:双面玻璃ITO电阻 7090 正面:钼/铝/钼膜层厚度:50um /250um /50um 电阻:小于0.32)、加工玻璃基板规格:最
4、大1500mmx800mm、厚度0.4mm-3.2mm 单面ITO钼铝钼玻璃
5、60;
6、60; 双面ITO钼铝钼玻璃二、 镀膜线成套设备验收标准编号项目规格测量与认证方法说明1真空要求1) 极限压力加热/传送腔、反转腔、溅射腔: 1.3310-4 Pa测量工具:电离真空计 测试值获取条件:在室温下洁净的真空腔中,不放入样品和基板的情况下,并安装内部治具,进行12小时连续排气后测得。2) 排气速度进/出片腔:在50秒内从大气压抽至 26.6Pa 。测量工具:皮拉尼真空计 排气速度的测量:当充满氮气的腔回到大气压后立即进行排气。3) 漏率 加热/传送腔、反转腔、溅射腔:6.7 x 10-4Pa.m3/sec方式:确认到达极限压力后关闭主阀,在10分
7、钟后测量真空腔压力.测量工具:电离真空计 公式:(10分钟后压力 极限压力)×VQ= 10×60秒Q:漏率 (Pa.m3/sec)V:每个腔的内容积(m3)4) 工作压力溅射腔:0.4 1.3 Pa方法:氩气和氧气的P-Q 曲线图.测量工具:测氩气压力用隔膜式真空计 测氧气压力用电离式真空计P-Q曲线图通过调节TMP的旋转速度,以及氩气和氧气的流量来获得。5) 工作压力加热/传送腔、反转腔:0.4 1.3 Pa方法:氩气和氧气的P-Q曲线图 .测量工具:测氩气和氧气压力用电离式真空计P-Q曲线图通过调节氩气、氧气的流量来获得。编号项目规格测量与认证方法说明1真空要求6)腔室
8、从大气状态到抽气完成所需的时间测量工具:电离真空计抽气完成:装、卸片以外的所有腔室气压需1.3310-3 Pa2SiO2溅射要求1) 膜厚:约101000nm2) 膜厚均一性.基板内:7% 基板间:5% 生产节拍:设备设计节拍.基板温度:160.基板尺寸:400×500×0.7 (mm)所用AC阴极:同时用2台溅射压力:大约0.5 Pa测量工具:膜厚台阶测量仪基板:抛光玻璃测量点:9点/基板×2基片架基板公式 基板内:基板间: Tmax::一片玻璃上9点的最大值Tmin:一片玻璃上9点的最小值Tave.max::所有基板平均值的最大值Tave.min:所有基板平均
9、值的最小值测量点请见备注1。3)SIO2折射率=550nm时,折射率1.464)Na+析出44小时水煮实验,Na+析出量10g/dm23ITO溅射要求1) 膜厚:约20200nm2) 膜厚均一性基板内:5% 基板间:5% 生产节拍:设备设计节拍.基板加热温度:300.基板尺寸:400×500×0.7 (mm)所用ITO阴极:同时用2台溅射压力:大约0.5 Pa测量工具:膜厚台阶测量仪基板:抛光玻璃测量点:9点/基板×2基片架基板公式基板内: 测量点请见备注1。编号项目规格测量与认证方法说明3ITO溅射要求1) 膜厚:约20200nm2) 膜厚均一性基板内:5% 基
10、板间:5%基板间: Tmax::一片玻璃上9点的最大值Tmin:一片玻璃上9点的最小值Tave.max::所有基板平均值的最大值Tave.min:所有基板平均值的最小值3) ITO方块电阻 基板内:在膜厚为200nm时10/生产节拍:设备设计节拍.基板加热温度:300基板尺寸:400×500×0.7 (mm)所用ITO阴极:同时用2台溅射压力:约0.5 Pa测量工具:4端子方块电阻仪基板:抛光玻璃测量点:9点/基板×2基片架基板测量点请见备注1。4) ITO透过率基板内:在膜厚为200nm时当=550nm, ITO 200nm, 90%以基板为参考生产节拍:设备设
11、计节拍.基板加热温度:300基板尺寸:400×500×0.7 (mm)所用ITO阴极:同时用2台溅射压力:约0.5 Pa测量工具:双波长分光计基板:抛光玻璃测量点:9点/基板×2基片架基板测量点请见备注1。5)ITO附着性附着性测试后膜厚,电阻率,透过率变化率:5% 基板尺寸:400×500×0.7 (mm)测量工具:3M胶带 300次快速拉扯后脱落基板:抛光玻璃4Mo溅射要求1) 膜厚:约20250nm2) 膜厚均一性.基板内:5% 基板间:5%生产节拍:设备设计节拍.基板加热温度:150.基板尺寸:400×500×0.7
12、 (mm)所用Mo阴极:同时用2台溅射压力:大约0.5 Pa测量工具:膜厚台阶测量仪基板:抛光玻璃测量点请见备注1。编号项目规格测量与认证方法说明4Mo溅射要求1) 膜厚:约20250nm2) 膜厚均一性.基板内:5% 基板间:5%测量点:9点/基板×2基片架基板公式:基板内:基板间: Tmax::一片玻璃片上9点的最大值。Tmin:一片玻璃片上9点的最小值。Tave.max::所有基板平均值的最大值。Tave.min:所有基板平均值的最小值。测量点请见备注1。3)百目测试百目后使用3M-610胶带黏贴后无脱落测试基板:ITO玻璃和白玻璃两种5Al溅射要求1) 膜厚:约50250nm
13、2) 膜厚均一性.基板内:5% 基板间:5%生产节拍:设备设计节拍.基板加热温度:150.基板尺寸:400×500×0.7 (mm)所用Al阴极:同时用2台溅射压力:大约0.5 Pa测量工具:膜厚台阶测量仪基板:抛光玻璃测量点: 9点/基板×2基片架基板公式:基板内:基板间: Tmax::一片玻璃片上9点的最大值。Tmin:一片玻璃片上9点的最小值。Tave.max::所有基板平均值的最大值。Tave.min:所有基板平均值的最小值。测量点请见备注1。3)百目测试百目后使用3M-610胶带黏贴后无脱落基板:ITO玻璃和白玻璃两种编号项目规格测量与认证方法说明6加热
14、要求1) 1st溅射腔: 160±5 SiO2成膜前2) 2nd溅射腔: 350±5 ITO成膜前3) 3rd溅射腔: 150±5 Mo&Al成膜前测量范围:装片小车范围内所有基板生产节拍:设备设计节拍.基板尺寸:400×500×0.7 (mm)测量工具:温度测量器 基板:抛光玻璃 测量点:3点/基片 加热条件由设备生产厂家选择。测量点请见备注2。所有加热器规格一样,需保证玻璃基片表面温度可以达到350。7ITO与金属靶材利用率1)靶材利用率:45% wt(重量效率)在靶材耗尽时的利用率公式:重量效率 = (含新靶材的B.P重量含残靶材
15、的B.P.)÷最初靶材重量 ×(靶材厚度÷残靶材的最大腐蚀深度)8颗粒1) 传送颗粒 基片架传送一次后基板内颗粒增加的情况: 装载位置腔内卸载位置. :1 对于颗粒尺寸D20m:3 对于颗粒尺寸17D20m:100 对于颗粒尺寸10D17m生产节拍:设备设计节拍.基板尺寸:400×500×0.7 (mm)测量工具:激光计数器基板:抛光玻璃方程:颗粒的增加 = 腔内传送前后基板的颗粒平均值的差值 (一台基片架) 9SiO2镀膜稳定性1) 膜稳定性:异常放电出现机率小于1%10SiO2绕射1) 绕射程度正面镀SIO2膜(50nm)时,背面不能出现绕
16、射现象检验方法:背面涂正性胶,经过溅射后,再把正型胶剥膜,看是否有正型胶残留来判断。11设备可靠性1)可靠性测试:150小时无故障2) 膜质缺陷率:可靠性测试时特性数据(膜厚分布、方块电阻、透过率/反射率)变化5% 生产节拍:设备设计节拍.基板加热温度:实际工艺条件基板尺寸:400×500×0.7 (mm)编号项目规格测量与认证方法说明12手动操作每种模式的功能检查手动操作检查各部件的操作正常无误.13自动操作每种模式的功能检查检查各种模式的操作正常无误.14互锁机构互锁机构检查检查手动和自动操作中的互锁机构.检查每个报警电路.在持续操作测试中提交内锁清单.15外观检查外观检查通过外观检查确认并无丢失部件,外观无明显缺陷;并且安全测量中并无缺陷。16操作说明操作说明设备操作说明书.保养程序.故障解决方案.安全工作训练. 备注1SiO2, ITO,MoAlMo膜厚均一性,电阻率,透过率/反射率测量点的示意图.基片架搬运方
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