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文档简介
1、 TEA1716T1. General description TEA1716T集成了功率因数校正器(PFC)控制器和半桥谐振变换器的控制器(HBC)multi-chip IC。它提供了离散MOSFET的驱动功能在一个上升变换器和两个离散功率场效应管谐振半桥配置。 高效PFC操作是通过实现准谐振软开关技术(QR)操作功能在高功率水平与QR操作谷跳跃在低功率水平。过电流保护(OCP)、过电压保护装置(OVP)和退磁传感在所有条件下确保安全运行。HBC模块是一个高压零开关LLC谐振变换器的控制器。它包含一个高压电平转变电路和保护电路包括OCP,开环保护,电容模式保护和通用门锁保护输入。高压芯片制作
2、用的是专用高压Bipolar-CMOS-DMOS功率逻辑处理能够有效的从电源电压直接启动。低压绝缘硅片(SOI)芯片用于准确、高速的保护功能和控制。TEA1716T控制PFC电路和谐振转换器是非常灵活的。它可以用于广泛的应用在一个宽的电源电压范围。PFC和HBC控制器结合在一个单一的电源控制IC使TEA1716T理想在液晶和等离子电视。使用TEA1716T提供高效、可靠的电力供应从90 W到500 W可以轻松地使用TEA1716T设计,用最少的外部组件。TEA1716T的集成突发模态和电源管理功能使共振的应用程序满足能源使用产品指令(EuP)很多6( Vdet(SUPHV)。 在一个独立的应用
3、是这样,因为C SUPIC最初从高压启动源充电。启动电平是Vstart(hvd)(SUPIC) (20 V)。开始和停止的巨大的差异(Vuvp(SUPIC)电平允许足够的能量来自SUPIC缓冲电容器,直到输出电压稳定。 没有连接或没有电压在SUPHV(VSUPHV Vdet(SUPHV)。 当TEA1716T从外部直流电源供电,这是如此。开启电平是Vstart(nohvd)(SUPIC) (15 V)。IC提供从直流供电时启动。以减少功耗的直流供电必须高于SUPIC引脚,但接近Vuvp(SUPIC)(13 V)。 IC停止运行时VSUPIC Vuvp(SUPIC)。Vuvp(SUPIC)。这个
4、电压是SUPIC引脚低电压保护(UVP)电压(UVP-SUPIC;参见7.9节)。PFC控制器立即停止开关,但HBC控制器继续运行,直到下部MOSFET激活。电流的消耗决于IC状态。 7.3节中描述TEA1716T的运行状态。 使能IC状态 当使用SSHBC / EN引脚失能IC,电流消耗(Idism(SUPIC)非常低。 SUPIC,SUPREG,热,重启和保护关闭状态 保护功能被激活后启动之前在重新启动序列期间或关闭期间只有一小部分的IC是活跃而C SUPIC和C SUPREG充电。PFC和HBC控制器是被禁用。电流消耗仅限于Iprotm(SUPIC)。快速充电状态 PFC控制器开关,HB
5、C控制器关闭。高压启动源足够大的电流供应SUPIC引脚(电流消耗Ich(nom)(SUPIC)。 运行供应状态 PFC和HBC控制器开启。电流消耗是Ioper(SUPIC)。当启用了HBC控制器,开关频率最初很高和额MOSFET驱动电流消耗明显。C SUPIC储存能量供应初始SUPIC电流在SUPIC供应源接管之前。 突发停止模式 只有一小部分的IC是活跃而CSUPREG保持充电且SNSBURST感应输入是执行的。PFC和HBC控制器将停止。电流消耗限于Iburstm(SUPIC)。SUPIC引脚有个低短路检测低电压(Vscp(SUPIC)= 0.65 V)。电流消散在高压启动源被限制的而VS
6、UPIC Vscp(SUPIC)(见7.2.4节)。7.2.2 Regulated supply (SUPREG pin) SUPIC引脚上的电压范围超过外部mosfet的栅极电压。TEA1716T包含一个集成系列稳定器。系列稳定器创建一个精确稳压(为Vreg(SUPREG)= 11.3 V)在缓冲电容器C SUPREG。这个稳定电压用于: 提供内部PFC驱动 提供内部低边HBC驱动 使用外部元件提供内部高边驱动 作为可选的外部电路参考电压SUPREG系列稳定器当C SUPIC已经充满电后启用。充电后使能稳定器确保任何可选的外部电路连接到SUPREG没有消耗的启动电流。 确保外部mosfet收
7、到足够的驱动电流,电压在SUPREG引脚必须达到Vstart(SUPREG)。此外,SUPIC引脚上的电压必须达到开启电平。IC开始运行当电压达到他们的启动电平。 SUPREG提供低电压保护装置(UVP-SUPREG;参见7.9节)。当VSUPREG Vuvp(SUPREG)(10 V),两个事件触发: IC停止工作,以防止不可靠的开关,因为门驱动器电压太低了。立即PFC控制器停止开关,但HBC控制器一直持续直到低边运行。 最大电流从内部SUPREG系列稳定器降低到Ich(red)(SUPREG)(SUPREG)(5.4 mA)。这个特性减少了耗散系列稳定器当SUPREG引脚发生过载时而SUP
8、IC引脚提供从外部直流供电。7.2.3 High-side driver floating supply (SUPHS pin) 高端驱动程序由外部引导缓冲电容器提供,CSUPHS。自举电容连接在HB引脚,高端参考及高端驱动供应输入SUPHS引脚之间。CSUPHS被充电从SUPREG引脚使用外部二极管DSUPHS。 仔细选择合适的二极管最小电压降在SUPREG 和SUPHS之间,尤其是使用大型mosfet和高开关频率。7.2.4 High-voltage supply input (SUPHV pin) 在一个独立的电源应用程序中,SUPHV引脚连接到增压电压。高压启动源(提供恒流从SUPHV
9、到SUPIC)充电C SUPIC和 C SUPREG使用这个引脚。 SUPIC引脚上的短路保护(SCP-SUPIC;参见7.9节)限制耗散在高压启动源当SUPIC短路到地。当电压在SUPIC小于Vscp(SUPIC)SCP-SUPIC限制电流在SUPHV到Ired(SUPHV)。 在正常操作条件下,启动后SUPIC引脚上的电压迅速超过Vscp(SUPIC)和高压启动源切换到Inom(SUPHV)。 在启动和重新启动期间,高压启动源充电C SUPIC且使用滞后控制调节SUPIC电压。启动电平有一个很小的滞后电压量Vstart(hys)(SUPIC)。当VSUPIC超过启动电平Vstart(hvd
10、)(SUPIC)高压启动源关闭。电流消耗通过SUPHV引脚(Itko(SUPHV)很低。 启动完成后,HBC控制器工作,SUPIC提供从额变压器辅助绕组。在这种运行状态,高压启动源是禁用的。7.3 Flow diagram TEA1716T的工作可以分为许多状态,见图3。图3中使用的缩略语表8中解释。表3。工作状态:No supply: 供应电压在SUPIC和SUPHV太低而不能提供任何功能。低电压保护(UVP-supplies;参见7.9节)执行当VSUPHV Vrst(SUPHV)和VSUPIC Vrst(SUPIC)。IC复位。Disabled IC: IC只能因为SSHBC/EN 非常
11、低。Thermal hold:只要OTP激活执行。IC不工作。PFC和HBC控制器被禁用且C SUPIC和 C SUPREG不充电。SUPIC charge:高压启动源充电IC供应电容器(C SUPIC)。C SUPREG不充电。SUPREG charge:系列调节器充电稳定供应电容器(C SUPREG)。Boost charge:运行的PFC建立增高电压。Operational supply:输出电压产生。PFC和HBC控制器将全面运作。Burst stop: 节电状态突发模态操作。PFC和HBC控制器被禁用,C SUPIC不充电。C SUPREG被充电。Restart:当触发保护功能时激活
12、。重启计时器被激活。在这段时间里,PFC和HBC控制器被禁用,C SUPREG不充电。C SUPIC被充电。Protection shut-down: 当触发保护功能时激活。IC不工作。PFC和HBC控制器被禁用和CSUPIC和 CSUPREG不充电。7.4 Enable input (SSHBC/EN pin) 禁用电源应用程序通过将SSHBC / EN引脚拉低 图4显示了内部功能。A)来自SSHBC / EN引脚。m电压在SUPHV引脚或SUPIC引脚,电流Ipu(EN) (42uA) 如果引脚不是拉低,电流增加电压Vpu(EN)(3 V)。因为上面的电压大于Ven(PFC)(EN)(1.
13、2 V)和Ven(IC)(EN)(2.2 V),启用了IC。 当电压在SSHBC / EN引脚被同时拉低于Ven(PFC)(EN)和Ven(IC)(EN)通过光耦合器,则IC不工作。光耦合被器驱动从HBC变压器二次侧(见图4)。PFC控制器立即停止开关,但HBC控制器继续开启直到下边的管脉冲到来。从另一个在二次侧通过二极管电路还可以控制SSHBC / EN引脚电压。外部下拉电流必须大于内部软启动电流Iss(高频)(SSHBC)。 如果电压SSHBC / EN引脚被拉低到Ven(IC)(EN),但不是在Ven(PFC)(EN),那么只有HBC是禁用的。这个特性很有用,当另一个电源转换器连接到PF
14、C增压电压。 当在使用SSHBC / EN引脚HBC被失能HBC的下边电源开启。7.5 IC protection7.5.1 IC restart and shutdown 除了保护功能影响PFC和HBC控制器工作,提供一些保护功也能禁用这两个控制器。详情参见7.9节中的保护概述,保护功能触发重新启动或保护关闭。 重启:当TEA1716T进入重启状态,PFC和HBC控制器关掉。通过重新启动定时器经过一段时间规定,IC自动重启后正常启动周期。 保护关闭: TEA1716T进入保护关闭状态时,PFC和额控制器关掉。保护关闭状态是锁定,所以IC并不会自动重新启动。它可以通过重置保护关机重启状态以以下
15、方式之一: 降低VSUPIC和 VSUPHV低于各自的重置水平,Vrst(SUPIC)和Vrst(SUPHV) 使用快速关闭复位(见部分7.5.3)。 使用使能引脚(见7.4节) 热控制: 在热状态,PFC和HBC控制器关掉。热控制状态仍然执行,直到IC结温度下降到大约10。C Totp(见部分7.5.6)。7.5.2 Protection and restart timer TEA1716T包含一个可编程定时器可用于时间几个保护功能。定时器可用于两种方式作为保护定时器和重启计时器。定时器设置独立的时时间使用一个外部电阻Rprot和电容器Cprot连接到RCPROT引脚。7.5.2.1 Pro
16、tection timer 某些错误条件允许持续一个时间周期在采取保护行动之前。保护定时器定义保护时期(触发保护功能之前错误能持续多久)。保护功能是使用保护定时器中建立该保护概述在7.9节。 图5显示了保护定时器的操作。当发生一个错误条件时,一个固定的电流Ich(slow)(RCPROT) (100 uA)来自RCPROT引脚和充电Cprot。Rprot导致电压呈指数增加。保护时间流逝当RCPROT引脚上的电压达到上面的开关等级Vu(RCPROT)(4 V)。当保护时间计时,适当的保护执行和Cpro放电。 如果错误条件被移除在RCPROT引脚上的电压达到Vu(RCPROT)之前,Cprot使用
17、Rprot放电和不采取保护行动。外部电路强制重启可以增加RCPROT电压超过Vu(RCPROT)。7.5.2.2 Restart timer IC必须禁用一段时间在某些错误条件。特别是当错误条件导致组件过热。在这种情况下,禁用IC允许电源冷却,再自动重启。重启计时器决定重启时间。在重启重启计时器执行。触发重新启动的保护功能在7.9节中保护概述。 图6显示了重启定时器的操作。通常Cprot放电为0 V。重启时要求,Cprot迅速充电到更高开关电平Vu(RCPROT)水平。然后RCPROT引脚成为高阻抗Cprot通过Rprot放电。重启时间流逝当VRCPROT达到较低的开关电平Vl(RCPROT)
18、 (0.5 V)。IC重启和Cprot放电。7.5.3 Fast shutdown reset (SNSMAINS pin) 锁定保护关闭状态时重置当VSUPIC和VSUPHV电压低于各自重置水平,Vrst(SUPIC)和Vrst(SUPHV)。,典型的PFC增压电容器Cboost必须放电在VSUPIC和 VSUPHV低于它们重置的之前。放电Cboost花很长时间。快速关闭复位导致更快的重置。当电源供应中断时,SNSMAINS引脚上的电压下降。当VSNSMAINS低于Vrst(SNSMAINS)然后通过一个滞后值再增加,IC离开保护关闭状态。增压电容器Cboost不需要放电引发一个新的启动。保
19、护关闭状态也可以通过拉低使能输入结束(SSHBC / EN引脚)。7.5.4 Output overvoltage protection (SNSOUT pin) TEA1716T输出提供过压保护(OVP-output;参见7.9节)。使用谐振变压器辅助绕组测量输出电压。使用外部整流器和电阻分压器检测SNSOUT引脚上的电压。一个过电压检测当SNSOUT电压超过Vovp(SNSOUT)(3.5 V)。当一个过电压检测,TEA1716T进入保护关闭状态。额外的外部保护电路,如外部OTP电路,可以连接到这个引脚。使用一个二极管连接到SNSOUT引脚以确保一个错误条件触发一个OVP事件。7.5.5
20、Output failed start protection, FSP-output (SNSOUT pin) TEA1716T输出提供失败开启保护(FSP输出;参见7.9节)。在启动过程中,输出电压小于Vfsp(SNSOUT)一段时间。如果没有比预期持续时间更长这个电压降不被认为是一个错误条件。因为这个原因当VSNSOUT Vfsp(SNSOUT)保护定时器启动。在正常情况下,输出电压在保护时间到期之前,也没有采取保护行动。当保护时间到达如果FSP输出事件仍然是运行的重启状态被激活。7.5.6 OverTemperature Protection (OTP) 准确的内部TEA1716T提供的
21、超温保护。当结温超过超温保护活化温度中能容忍(Totp= 150。C),IC进入热状态。TEA1716T退出的热状态当温度下降时约中能容忍-10.摄氏度。7.6 Burst mode operation (SNSBURST pin) HBC和PFC控制器可以在突发模式工作。在突发模式下,控制器开启一段子,然后关闭一段时间。在低载条件下突发模态运行提高效率。SNSBURST引脚上的电压定义了转换从运行供应状态(= burst-on周期)突然停止状态(= burst-off周期)和后面)。SNSFB引脚上的电压代表转换功率电平。使用一个外部电阻分压器是SNSBURST引脚上的电压可以与SNSFB引
22、脚有关。SNSBURST引脚有一个内部开关级电压Vburst(SNSBURST)(3.5 V)和一个固定的只会电压Vburst(hys)(SNSBURST)(24mV)。此外,开关电流流入SNSBURST引脚,Iburst(hys)(SNSBURST)(3uA)和外部的分压器电阻确定有效的滞后。SNSBURST电压小于Vburst(SNSBURST)时有电流。当电压SNSBURST引脚电压低于Vburst(SNSBURST)PFC和HBC控制器操作暂停时。只要增压电压仍低于调节水平PFC持续。然后软停止。当GATELS引脚变得运行HBC几乎直接停止。当PFC和HBC已停止开关进入突发停止状态。
23、在突发模式停止状态,IC的电流消耗低和SNSOUT引脚拉低。SNSOUT信号可用于应用程序的附加功能。当电压SNSBURST增加超过Vburst(SNSBURST)+ Vburst(hys)(SNSBURST)TEA1716T离开突发停止状态,进入运行供应状态。PFC软启动开始运行。HBC没有软启动模式恢复。突发模态不启用操作,直到SNSOUT引脚已达到Vfsp(SNSOUT)一次,避免不必要的激活启动期间突发模态。7.7 PFC controller PFC控制器转换通用整流电源电压转换成一个准确调节增压电压400 V(DC)。它运行在Quasi-Resonant(QR)模式或不连续导电模式
24、(DCM)和使用一个准时控制系统控制。由此产生一个典型的应用电源谐波电流发射程序可以满足class-D MHR需求。PFC控制器使用谷底开关使损失降到最低。一旦前面的二次脉冲结束原边脉冲只启动,通过PFC MOSFET的电压达到最小值。7.7.1 PFC gate driver (GATEPFC pin) 电路驱动功率MOSFET的栅有一个高电流源能力Isource(GATEPFC)0.6 A。它也有一个高电流槽能力Isink(GATEPFC)1.2A。源和电流槽能力启用快速接通和关闭,以确保高效运行。从调节SUPREG电源提供驱动。7.7.2 PFC on-time control PFC运
25、行在工作状态。以下确定PFC MOSFET工作: 误差放大器和循环补偿使用在引脚上COMPPFC电压Vton(COMPPFC)零(3.5 V),工作时间减少到零。在Vton(COMPPFC)max时工作时间最长 电源补偿使用SNSMAINS引脚上的电压7.7.2.1 PFC error amplifier (COMPPFC and SNSBOOST pins) 提高电压分压使用高阻抗电阻分压器。它是提供给SNSBOOST引脚。跨导误差放大器,比较了SNSBOOST电压与使用一个精确的修剪参考电压为Vreg(SNSBOOST),连接到这个引脚。COMPPFC引脚上的外部循环补偿网络过滤输出电流。
26、在一个典型的应用程序中,一个电阻和两个电容器设置调节回路带宽。跨导误差放大器不是常数,它提高了启动行为和瞬态响应。跨导显著增加,当SNSBOOST电压超过80 mV高于或低于参考电压。结果是一个高输出电流到COMPPFC引脚。图7显示的行为跨导放大器。COMPPFC电压被钳位在最大Vclamp(COMPPFC)电压。此钳位避免漫长的恢复时间如果增压电压超过调节水平一个周期。7.7.2.2 PFC mains compensation (SNSMAINS pin)传递函数的数学方程式的功率因数校正器包含电源输入电压的平方。在一个典型的应用程序中,这将导致低带宽低电源输入电压。在高电源输入电压MH
27、R需求难以满足。TEA1716T包含一个校正电路来补偿这种影响。平均使用SNSMAINS引脚测量电源电压。提供的信息到一个内部补偿电路。图8显示了SNSMAINS电压之间的,COMPPFC电压和工作时间关系。使用这种补偿可以保持调节回路带宽恒定完整的电源输入范围。这个特性提供了一个快速瞬态响应动态负载,同时还满足class-D MHR需求。7.7.3 PFC demagnetization sensing (SNSAUXPFC pin) SNSAUXPFC引脚上的电压是来检测变压器退磁。在二次脉冲期间,变压器磁化和电流流入增压输出。在这段时间里,VSNSAUXPFC Vdemag(SNSAUX
28、PFC)和山谷检测开始。MOSFET保持关断。继续确保开关在任何情况下,MOSFET是被迫打开如果变压器的磁化(VSNSAUXPFC Vstop(ss)(PFC)PFC运行停止。在突发停止状态与PFC不运行,SNSCURPFC引脚是保持在最大PFC软启动电压,在突然停止状态后当PFC必须操作使立即开始软启动序列。7.7.7 PFC overcurrent regulation, OCR-PFC (SNSCURPFC pin)最大峰值电流被限制周期通过感应电压通过一个外部检测电阻(Rcur(PFC)连接到外部MOSFET的源。电压测量通过SNSCURPFC引脚和仅限于Vocr(PFC)。电压峰值
29、出现在VSNSCURPFC 当PFC MOSFET开启时由于电容漏极的放电。前沿消隐时间(tleb(PFC)确保过电流感应块不应对这种暂时的高峰。7.7.8 PFC mains undervoltage protection/brownout protection, UVP-mains(SNSMAINS pin) SNSMAINS引脚上的电压连续感应防止PFC试图在非常低的电源输入电压下运行。PFC开关停止当VSNSMAINS Vovp(SNSBOOST)。PFC开关恢复当再次VSNSBOOST Vovp(SNSBOOST)。过电压保护装置也触发当开路在电阻SNSBOOST引脚和地面之间的连接
30、。7.7.10 PFC short circuit/open-loop protection, SCP/OLP-PFC (SNSBOOST pin)PFC电路不开始,直到SNSBOOST引脚上的电压超过Vscp(SNSBOOST)。这对提高电压作为短路保护(SCP-boost)。SNSBOOST引脚拉了一个小的输入电流Iprot(SNSBOOST)。如果这引脚断开时会,剩余电流VSNSBOOST拉下来,引发短路保护(SCP-boost)。这种组合创造了一个开环保护(OLP-PFC)。7.8 HBC controller HBC控制器将PFC的400 V增加电压转换成一个或多个直流稳压输出电压和
31、驱动两个外部mosfet半桥配置连接到一个变压器。谐振电路的变压器形式结合谐振电容和负载在输出端。变压器有一个漏电感和磁化电感。规定使用频率控制实现。7.8.1 HBC high-side and low-side driver (GATEHS and GATELS pins) 两个驱动都有一个相同的功能。每个驱动程序的输出连接到外部高压功率MOSFET的门。下边驱动参考PGND引脚和从SUPREG引脚提供。高端驱动程序是浮动的。参考高端驱动程序是HB引脚,连接到外部半桥网格的中点。高端驱动程序从SUPHS引脚提供连接到外部引导电容器C SUPHS。当下部MOSFET开启,引导电容器被充电从使
32、用外部二极管DSUPHS在 SUPREG引脚。7.8.2 HBC boost undervoltage protection, UVP-boost (SNSBOOST pin) SNSBOOST引脚上的电压被连续感应防止HBC控制器试图运行在增压输入电压非常低。当VSNSBOOST Vstart(SNSBOOST)。HBC switch control HBC开关控制决定当mosfet开启和关闭。它使用的输出从其他几个模块。 分压器用于交替切换的高和低面场效电晶体振荡器周期。振荡器的频率是半桥的两倍的频率。控制振荡器决定关断点。自适应非重叠时间感应决定接通点。这个功能是自适应非重叠时间。几个保
33、护电路和SSHBC / EN输入指定的状态如果谐振转换器可以开启。在启动GATELS引脚很高。节点HB拉到地面和引导电容器CSUPHS充电。在冲关断时间,GATELS和GATEHS都低。失能mosfet防止谐振回路的放电。7.8.4 HBC Adaptive Non-Overlap (ANO) time function (HB pin) 7.8.4.1 Inductive mode (normal operation) 谐振变换器的效率高的特点是功率场效应管零电压开关。零电压也被称为软开关。允许软开关,需要小非重叠时间高在端工作时间和下部的场效应管之间。在这非重叠期间,主谐振电流的充电或放电
34、在地和增压电压之间。充电和放电周期后,MOSFET的体二极管开始进行。因为电压MOSFET为零,当MOSFET开关闭合时没有损耗。这个操作模式被称为感性模式。在感性模式切换频率高于谐振频率和谐振回路电感阻抗。HB过渡时间取决于谐振开关启动时电流振幅。之间存在复杂的关系在这个振幅,频率,增压电压和输出电压。理想情况下,IC开启MOSFET 当HB转换完成后。如果它不再等待,HB电压可以掉头,特别是在高输出负载。先进的自适应非重叠时间使它不必要的选择一个固定的死期时间(总是折中的)。这可以节省外部组件。自适应非重叠感应测量HB斜坡一个MOSFET立即关闭。通常,HB斜坡开始(电压开始上升或下降)。
35、HB节点的转换完成后,边坡结束(电压停止上升/下降)。这坡结束检测通过ANO时间且另一个MOSFET是开启。这样,非重叠p时间自动优化即使HB转换不能完全完成,最大限度地减少损失。图11说明了自适应的操作非重叠时间功能归纳模式。非重叠时间取决于HB斜坡但有上限和下限。一个集成最小非重叠时间(tno(min)在任何情况下防止发生交叉传导。最大非重叠振荡充电时间时间是有限的。如果HB斜坡比振荡充电时间长(14 HB转换时期),MOSFET被迫开启。在这种情况下,MOSFET不是软开关。这个限制确保MOSFET工作时间至少14 HB的切换时间。7.8.4.2 Capacitive mode 说明7.
36、8.4.1节正常运行开关频率高于共振频率。发生一个错误条件时(例如输出短,加载脉冲太高)的切换频率低于谐振频率。然后谐振回路电容阻抗。在电容式模式下,HB坡不开始MOSFET开断后。打开另一个MOSFET在这种情况下不推荐。没有软场效应管开关损耗增加。在电容式模式,关闭了MOSFET的体二极管就可以开始导通。打开另一个MOSFET在这一刹那会导致立即场效应管的破坏。TEA1716T先进的自适应非重叠时间 总是等到斜坡在半桥节点开始。它保证安全开关mosfet在所有情况下。图12显示了自适应非重叠时间功能运行电容式模式。在电容模式中,一半的共振周期可以运行在谐振电流回到正确的极性和开始充电半桥节
37、点之前。振荡器是慢了下来,直到半桥节点开始允许这种相对较长的等待时间。看到更多的细节部分7.8.5振荡器。MOSFET被迫打开,当半桥斜坡未启动和振荡器电压达到Vu(CFMIN)。开关频率增加,消除相关的问题电容模式操作(参见7.8.11的一节)。7.8.5 HBC slope controlled oscillator (pin CFMIN) 斜坡控制振荡器决定半桥开关频率。振荡器产生一个三角波形在Vu(CFMIN)和Vl(CFMIN)外部电容器Cfmin之间。 两个外部组件确定频率范围:电容器Cfmin 引脚连接Cfmin和地面之间设置最低频率结合修剪一个内部电流源Iosc(min)内部电
38、阻Rfmax设置频率范围,因此最大频率。电阻器Rfmax固定值(18 kO的典型值)振荡频率取决于Cfmin的充放电电流。充电和放电电流包含固定组件,Iosc(min),这决定了最低频率。此外,它包含一个变量组件,为比经电阻Rfmax4.9倍:电压通过电阻Rfmax Vfmin(Rfmax)(0 V)在最低频率电压通过电阻RfmaxVfmax(fb)(Rfmax)(1.5 V在最大反馈频率电压通过电阻Rfmax Vfmax(ss)(Rfmax)(2.5 V)最大软启动频率内部的最大频率振荡器是被限制的。HB频率仅限于flimit(HB)(最低500千赫)。半桥斜坡控制振荡器。振荡充电电流最初设
39、置为低值Iosc(red)(30uA)。当检测到半桥斜坡的开始,这充电电流增加到其正常价值。此功能用于结合自适应非重叠时间功能所描述的部分7.8.4.2和图12。振荡电流低的时间在正常操作条件下可以忽略不计,因为半桥斜坡通常开始在MOSFET后直接关闭之后。7.8.6 HBC feedback input (SNSFB pin) 在一个典型的电源应用程序,输出在二次侧电压进行比较和放大。误差放大器输出到使用光耦合器转移初级侧。可以直接连接到光耦合器SNSFB引脚。光耦合器电流设置可以选择使用外部上拉电阻。SNSFB引脚是一个电压输入。一个SNSFB电压Vfmin(SNSFB)(6.4 V)在频
40、率最低。达到最大频率在Vfmax(SNSFB)(4.1 V)。可以达到最大频率通过使用SNSFB引脚(70%)低于最大频率可以达到通过使用SSHBC / EN引脚。7.8.7 HBC open-loop protection, OLP-HBC (SNSFB pin) 在正常操作条件下,光耦合器之间的电流是Ifmin(SNSFB)和Ifmax(SNSFB)之间和拉低电压在SNSFB引脚。由于一个错误反馈回路,电流可以不到Ifmin(SNSFB)用HBC控制器提供最大输出功率。HBC控制器特性(OLP)开环保护,监视SNSFB电压。当VSNSFB超过Volp(SNSFB),保护启动计时器。重启状态
41、被激活后如果OLP条件仍然存在在保护的时间消逝。7.8.8 HBC soft-start (pin SSHBC/EN) 开关频率和输出电流之间的关系并不是固定的。它强烈地依赖于输出电压和增压电压。这种关系可能很复杂。TEA1716T包含软启动功能来确保谐振变换器启动或重新启动安全电流。这个软启动功能强迫启动在这样一个高频率的电流在所有条件下是可以接受的。软启动然后慢慢降低频率。通常情况下,在软启动达到最低频率之前输出电压调节接管频率控制。限制输出电流在启动也限制了输出电压上升速率,防止过度。软启动利用在SSHBC / EN引脚的电压。外部电容器Css(HBC)设置软启动时机。SSHBC / E
42、N引脚也被用作一个使能输入。软启动电压水平高于使电压阈值。7.8.8.1 Soft-start voltage levels 图13显示了软启动电压在SSHBC / EN引脚和振荡电流之间的关系。在初始启动,VSSHBC / EN Vfmin(SSHBC)(8.0 V)。VSSHBC / EN被钳位在最高Vclamp(SSHBC)(8.4 V)(频率至少)和至少(3 V)。下面Vfmax(SSHBC)(最高频率),放电电流降低到最大频率5uA的软启动电流。电压被钳位至少Vpu(EN)(3 V)。两个钳位水平在工作区域 Vfmax(SSHBC)和Vfmin(SSHBC)之间。边缘避免扰动频率在正
43、常输出电压调节,但确保过载调节可以快速响应。7.8.8.2 Soft-start charge and discharge 在初始启动,软启动电容器Css(HBC)被充电获得频率扫描的最大减少到工作频率。软启动功能被用作软启动谐振变换器,用于调节目的(如过电流调节)。Css(HBC)因此可以充电或放电。充电和放电发生在过电流之间的连续交替的调节。以这种方式VSSHBC / EN可以调节,推翻反馈的信号输入。充电和放电电流可以有高值,Iss(hf)(SSHBC)(160uA),导致快速充电和放电。也可以有一个低价值,Iss(lf)(SSHBC)(40uA)产生的一个缓慢的充电和放电。这双速软启动
44、t扫描允许组合谐振变换器的一个简短的启动时间和稳定的调节回路(如过电流调节)。快速充电和放电用于上部的频率范围,V SSHBC / EN Vss(hf-lf)(SSHBC)(5.6 V),在低频率范围的电流变频器频率变化反应强烈。7.8.10.2部分描述双速软启动t功能用于过电流调节。软启动电容器不充电或放电在不工作期间突发模态。在这一时期软启动电压不会改变。7.8.8.3 Soft-start reset 一些保护功能,如过电流保护,需要快速调整的操作频率设置点,但不需要切换到停止。有关详细信息,请参阅第7.9节的保护功能使用这一步的最大频率。对于HBC控制器强迫立即一步最大频率TEA171
45、6T有个特别快软启动重置功能。当使用SSHBC / EN引脚或重启HBC控制器使能软启动重置时也被使用,确保一个安全的开始在最大频率。软启动复位不被使用当在突发模式不停止运行。当保护功能被激活时,振荡器控制输入断开软启动电容器,Css(HBC)-连接在SSHBC / EN引脚和地面之间。立即开关频率设置为最高。设置开关频率最大恢复安全开关操作在大多数情况下。与此同时,电容放电到最大频率水平,Vfmax(SSHBC)。一旦VSSHBC / EN已经达到这个水平,振荡器控制输入再次连接到引脚又正常软启动扫描。图14显示了软启动重置和向下速频率扫描。7.8.9 HBC high-frequency protection, HFP-HBC 通常不在最大频率工作,因为它扫描值要低得多。某些错误条件,如断开变压器,可以使转换器连续操作在最大频率。如果零开关条件不再存在,场效电晶体可以过
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