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1、第三章第三章 有机发光二极管相关材料的载流子迁移性质有机发光二极管相关材料的载流子迁移性质OLEDPLEDOLED或PLED的典型结构示意图(e)cathodeelectron injection layerETLEMLHTLhoel injection layerITOglass substrate一、空穴注入相关材料一、空穴注入相关材料 Hole injection materials (anode buffer layer)空穴注入问题的提出： 势垒（开启电压）、效率、寿命等ITO功函 4.5 eV 4.75 eV 4.8 eV未处理UV- O3处理O2 plasma处理 5.0 eV有

2、机材料HOMOTPD 5.2 eVPPV 5.1 eV1、无机类空穴注入材料、无机类空穴注入材料 Good results were found for metal oxides (SiO2, Al2O3, CuO, Tb4O7, ZnO, Y2O3, Nb2O5, Pr2O3 etc.). They are good insulators. Poor results were found for metal oxides (TiO2, Ga2O3, and SnO2) because they are generally classified as semiconductors. Good results were also found for Si3N4 and LiF. They are good insulators.无机SiO2的厚度对电致发光性能影响很大2、有机类空穴注入材料、有机类空穴注入材料 CuPc和-6T掺杂类吸附自组装类聚合物类有机CuPcITO/CuPc (20 nm)/TPD (50 nm)/MPS (50 nm)/Alq3 (7 nm)/LiF/AlEL of 8%, 20 cd/A at 5 cd/m2, 16 cd/A at 300 cd/m2MPS6T掺杂自组装加上一层monolayerPolyaniline (PANI)PEDT

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