课程名称半导体物理

1、课程名称：半导体物理课程编号：课程学分：3.0适用专业：物理学专业半导体物理（Semiconductor Physics）教学大纲一、课程性质与任务：半导体物理是微电子学及半导体物理专业的必修课，该课程在学习固体物理、量子力学等课程的基础之上，使学生掌握半导体物理的基本概念，了解光电子器件、技术的基本概念、基本理论，为今后从事相关工作打下基础。本课程要求学生掌握半导体晶体结构和能带理论，半导体中的电子状态及载流子的输运理论。对半导体的基本性质：半导体P-N结、异质结、半导体表面性质和光学性质等能进行理论分析。 对以上内容要求概念准确，基本理论和运算熟练，并能应用它们解决后继专业课基本理论问题和

2、今后工作遇到的实际问题。二、课程内容及要求：课程主要内容有：半导体中的电子状态、半导体中的杂质和缺陷能级、载流子的统计分布、半导体的导电性、非平衡载流子、金属和半导体的接触、半导体MIS结构。 具体章节：n 前言 绪论n 第一章 半导体中的电子状态 常见半导体的晶格结构和结合性质，能带论的主要结果，半导体中电子的运动及其描述，重要半导体的能带结构，半导体中的杂质能级。n 第二章 半导体中载流子的平衡统计分布 状态密度，分布函数，载流子浓度，本征半导体和杂质半导体。n 第三章 电磁场中的输运现象 载流子的漂移运动，半导体的主要散射机构，迁移率与 杂质浓度和温度的关系，霍尔效应。n 第四章 非平衡

3、载流子非平衡载流子的注入与复合，准费米能级，复合理论，载流子的扩散与漂移运动、连续性方程。 n 第五章 p-n结pn结及其基本概念，pn结电流电压特性，pn结电容，pn结击穿，pn结隧道效应，pn结的光生伏特效应。n 第六章 半导体界面问题 金属-半导体接触和肖特基势垒，半导体表面电场效应，MOS结构的C-V特性。教材及主要参考书 n 教材：半导体物理学刘恩科等编著 电子工业出版社（第四版）2002年n 参考书： （1）Donald A.Neamen: Semiconductor Physics and Devices（U.S.A.）（2）Robert F.Pierret: Semicondu

4、ctor Device Fundamentals(Part1)（3）Chih-Tang Sah： Fundamental of Solid-State Electronics（U.S.A.）（4）钱佑华，徐致中：半导体物理（5）叶良修：半导体物理学（6）李名復：半导体物理学（7）夏建白：现代半导体物理 三、本课程与其他相关课程的联系与分工预修课程：普通物理、统计物理、固体物理、量子力学后续课程：半导体集成电路、半导体工艺原理与技术等四、本课程在使用现代化教学手段方面的要求课程教学采用板书与计算机多媒体Powerpoint相结合五、本课程成绩的考查方法及评定标准总评成绩以百分制计算，由平时成绩和期末考试成绩两部分组成。平时作业成绩和考勤占30%，期末考试成绩占70%。 六、学时分配：（总60学时）章节 内容 讲授学时前言 绪论 2 第一章 半导体中的电子状态 8第二章 半导体中载流子的平