常见存储器辨析

1、有关各种存储器速度性能的资料大收集，RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM、FRAM最后面重点捜集r NOR FLASH存储湍的资料。常见存储器概念辨析：RAM. SRAM. SDRAM. ROM. EPROM.常见存储器概念辨析：RAM、SRAM、SDRAM、ROM、EPROM. EEPROH、Flash #储器可以分为很多种类.其中 根据掉电数据是否丢失可以分为RAH （随机存取存储器）和ROM （只读存储器）其中RAM的访问速度比较 快.但掉电后数据会丢失，而ROH掉电后数据不会丢失。ROM和RAM抬的都是半导体存储器.ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是R

2、andom Access Memory的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数瞅 而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据.典空的RAM就是计算机的内存。RAM又可分为SRAM （Static RAM/静态存储器）和DRAM （Dynamic RAM/动态存储器）。SRAM是利用双稳态 触发幣來保存信息的.只要不掉电，信息是不会丢失的。DRAM是利用HOS （金属氧化物半导体）电容存储 电荷來储存信息因此必须通过不停的给电容充电來维持信息.所以DRAM的成木.集成度.功耗等明显 优于SRAM。SRAM速度非常快.是目前读写最快的存储设备了，但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻 的地方使用，

3、譬如CPU的一级缓冲，二级缓冲° DRAM保留数据的时间很短.速度也比SRAM慢.不过它还 是比任何的ROM都要快，但从价格上來说DRAM相比SRAM要便宜很纺 讣算机内存就是DRAM的。而通常人们所说的SDRAM是DRAM的一种，它是同步动态存储器，利用一个爪一的系统时钟同步所有的地址数据和控制信号。使用SDRAM不但能提商系统表现.还能简化设讣、提供岛速的数据传输。在嵌入式系统中经常使用。ROH也有很多种，PROM是可编程的RO* PROM和EPROM （可擦除可编程ROM）两者区别是，PROM是一次性的，也就是软件灌入后.就无法修改这种是早期的产品.现在已经不可能使用而EPRO

4、M是通过紫外光的照射擦出原先的程序.是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出，价格很岛，写入时间很长，写入很慢。Flash也是一种非易失性存储器（掉电不会丢失），它擦写方便，访问速度快.已大大取代了传统的EPROM 的地位。由于它具有和ROM样掉电不会丢失的特性因此很多人称其为Flash ROMa FLASH存储器又称闪 存，它结合/ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程（EEPROM）的性能，还不会断电丢失数据同 时可以快速读取数据（NVRAM的优势）.I；盘和MP3里用的就是这种存储器c在过去的20年里，磁入式系 统一直使用ROM （EPROM）作为它们的存储设备.然

5、而近年來Flash全面代替（ROM （EPROM）在嵌入式系统 中的地位用作存储bootloader以及操作系统或者程序代码或者直接片换盘使用（U盘）。 目前Flash主要有两种XOR Flash和NADH Flash。NOR Flash的读取和我们常见的SDRAM的读取是一样， 用户可以直接运行装载在NOR FLASH里面的代码.这样可以减少SRAM的容虽从而节约J成札NAXD Flash 没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式來进行的.通常是一次读収512个字节， 采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行'AND Flash上的代码因此好茹使用XAND

6、 Flash的 开发板除了使用NAND Flah以外.还作上了一块小的NOR Flash來运行启动代码。一般小容址的用NOR Flash,因为其读取速度快，笫用來存储操作系统等重要信息，而大容虽的用NANDFLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC (Disk On Chip)和我们通常用的“闪盘” 可以在线擦除。目前市而上的FLASH主要來自Inteb AMD, Fujitsu和Toshiba,而生产XANDFlash的主要丿家有Samsung和Toshiba。转自:http： / www cnblogs. com/zhspy/archive/2010/06/06/

7、1752887. htmlFLASH存储器和EEPROM存储器的区别K首先从10引脚占用方面比较.EEPROM只需占用两个10引脚，时钟(elk)和数据(data)引脚, 外加电源三个引脚即可，符合I2C通讯协议。而FLASH需要占用更多10引脚,有并行和串行的.串行的需 要一个片选(cs)引脚(可用作节电功耗控制)，一个时钟(elk)引脚，FLASH读出和写入引脚各一个. 也就是四个。并行的需要8个数据引脚，当然比串行的读写速度婆快。2、从功能方面比较.EEPROM可以单字节读写.FLASH部分芯片只能以块方式擦除(整片擦除)，部分芯片 可以乖字节写入(编程)，一般需要采用块写入方式：FLA

8、SH比EEPROM读写速度更快，可维性更融 但比讯片机片内RAM的读写还要慢。3. 价格方而比较,FLASH应该要比EEPROM资。另供参考：EEPROM, EPROM, FLASH 都是基于一种浮栅管单元(Floating gate transister)的结构。EPROM 的浮栅 处于绝缘的二氧化硅层中，充入的电子只能用紫外线的能址來激出.EEPROM的单元是由FLOTOX(Floatinggate tuneling oxide transister)及一个附加的Transister组成，由于FLOTOX的持性及两管结构，所以 可以爪元读/写。技术上，FLASH是结合EPROM和EEPRO

9、M技术达到的很多FLASH使用雪j热电子注入方 式來編紹 擦除和EEPROM 一样用Fowler-Nordheim tuneling.但主要的不同是，FLASH对芯片提供大块 或整块的擦除.这就降低了设计的复杂性，它可以不要EEPROM 元里那个女余的Tansister,所以可以做 到高集成度.大容虽:，另FLASH的浮栅工艺上也不同.写入速度更快。其实对于用户來说，EEPROM和FLASH的最主要的区别就是1。EEPROM可以按“位”擦写，而FLASH只能一大片一大片的擦。2。EEPROM 一般容虽:都不大.如果大的话，EEPROM相对与FLASH就没有价格上的优势人市而上卖 的stand

10、alone的EERPOM 一般都是在61KBIT以下，而FLASH 一般都是8MEG BIT以上(NOR型)。读的速度的话，应该不是两者的差别.只是EERPOM -般用干低端产品，读的速度不需要那么快. 真要做的话，其实也是可以做的和FLASH差不多。4。因为EEPROM的存储讥元是两个管子而FLASH是一个(SST的除外，类似于两管)，所以CYCLING 的话，EEPROM比FLASH要好一些.到1000K次也没有问题的。总的來说.对与用户來说，EEPROM和FLASH没有大的区别，只是EEPROM是低端产品.容虽低，价格 便宜.但是稳定性较FLASH要好一些。但对于EEPROM和FLASH

11、的设汁來说.FLASH则要难的篡.不论是从匸艺上的还是从外囤电路设il上 來说。Flash memory指的是“闪存”，所谓“闪存” 它也是一种非易失性的内存.属于EEPROM的改进产 品。它的最大特点是必须按块(Block)擦除(每个区块的大小不定，不同厂家的产品有不同的规格).而 EEPROM则可以一次只擦除一个字节(Byte)。目前“闪存”被广泛用在PC机的主板上，用來保存BIOS程序, 便于进行程序的升级c其另外一大应用领域是用來作为砍盘的替代品.具有抗鷄、速度快、无噪声、耗电 低的优点.但是将其用來取代RAM就显得不合适，因为RAM需要能够按字节改写，而Flash ROM做不到。RO

12、M和RAM指的都是半导体存储器，ROM是Read Only Memory的缩写，RAM是Random Access Memory 的缩写。ROM在系统停止供电的时候仍然可以保持数据.而RAM通常都是在掉电之后就丢失数据，典型的 RAM就是计算机的内存。RAM有两大类.一种称为静态(Static RAM/SRAM), SRAM速度非常快，是目前读写最快的存储 设备了.但是它也非常昂贵，所以只在要求很苛刻的地方使用，譬如CPU的一级缓冲.二级缓冲。另一种 称为动态RAM (Dynamic RAWDRAM), DRAM保留数据的时间很短，速度也比SRAM慢，不过它还是比任何的 ROM都要快但从价格上

13、來说DRAM相比SRAM要便宜很多，计算机内存就是DRAM的DRAM 分为很女种.常见的主婆有 FPRAM/FastPagex EDORAM、SDRAM. DDR RAM、RDRAM. SGRAM 以及 WRAM等，这里介绍其中的一种DDR RAMo DDR RAM (Date-Rate RAM)也称作DDR SDRAM.这种改进型的RAY 和SDRAM是基木一样的.不同之处在于它可以在一个时钟读写两次数据，这样就使得数据传输速度加倍了。 这是目前电脑中用得昴多的内存.而且它有着成木优如 爭实上击败f Intel的另外一种内存标准-Rambus DRAM.在很女舟端的显卡上，也配备了岛速DDR

14、RAM來提两带宽，这可以大幅度提商3D加速卡的像素渲染 能力。ROM也有很笋种，PROM是可编程的ROM, PROH和EPROH何擦除可编程ROM)两者区别是，PROH是一 次性的，也就是软件灌入后.就无法修改这种是早期的产品.现在已经不可能使用而EPROJ1是通 过紫外光的照射擦出原先的程序.是一种通用的存储器。另外一种EEPROM是通过电子擦出价格很商，写 入时间很长，写入很慢。举个例子.于机软件般放在EEPROM中，我们打电话.有些最后拨打的号码，暂时是存在SRAM中 的，不是马上写入通过记录(通话记录保存在EEPROM中)，因为半时有很重要工作(通话)要做，如果写入， 漫长的等待是让用

15、户忍无可忍的。FLASH存储器又称闪存.它结合f ROM和RAM的长处，不仅具备电子可擦出可编程(EEPROM)的性能, 还不会断电丢失数据同时可以快速读取数据(NVRAM的优势)，U盘和MP3里用的就是这种存储器。在过去 的20年里.嵌入式系统一直使用ROM (EPROM)作为它们的存储设备.然而近年來Flash全面代替了 ROM (EPROM)在嵌入式系统中的地位，用作存储Boot loader以及操作系统或者程序代码或者直接十硕盘使用 (U 盘)。目前Flash主要有两种NOR Flash和NADN Flasho NOR Flash的读収和我们常见的SDRAH的读取是 一样，用户可以直接

16、运行装栽在NOR FLASH里而的代码.这样可以减少SRAM的容虽从而节约了成木。NAND Flash没有采取内存的随机读取技术，它的读取是以一次读取一快的形式來进行的，通常是一次读取512 个字节，采用这种技术的Flash比较廉价。用户不能直接运行NAND Flash上的代码，因此好女使用NAND Flash 的开发板除了使用NAND Flah以外，还作上了一块小的NOR Flash來运行启动代码。一般小容虽的用NOR Flash.因为其读取速度快，女用來存储操作系统等重要信息.而大容址的用 NAND FLASH,最常见的NAND FLASH应用是嵌入式系统采用的DOC(Disk On Ch

17、ip)和我们通常用的"闪盘S 可以在线擦除。目前市而上的FLASH主要來自Intel. AMD, Fujitsu和Toshiba,而生产XAND Flash的主 耍厂家有Samsung和Toshiba。SRAM是Static Random Access Memory的缩写，中文含义为静态随机访问存储器，它是一种类型的 半导体存储器。"静态"是指只要不掉电，存储在SRAM中的数抿就不会丢失。这一点与动态RAH (DRAM)不同， DRAM需耍进行周期性的刷新操作。然后.我们不应将SRAM与只读存储器(ROM)和Flash Memory相混淆. 閃为SRAM是一种易失

18、性存储器，它只有在电源保持连续供应的情况下才能够保持数据。"随机访问"是抬存 储器的内容可以以任何顺序访问.而不管前一次访问的是哪一个位宜。SRAM中的每一位均存储在四个晶体管半中，这四个晶体管组成了两个交叉耦合反向器。这个存储 单元具有两个稳定状态.通常表示为0和lo另外还需婆两个访问晶体管用于控制读或写操作过程中存储 *1元的访问。I対此.一个存储位通常需要八个MOSFETo对称的电路结构使得SRAY的访问速度婆快于DRAM.： SRAM比DRAM访问速度快的另外一个原伙I是SRAM可以一次接收所有的地址位，而DRAM则使用行地址和列 地址复用的结构。SRAM不应该与S

19、DRAM相混淆.SDRAM代表的是同步DRAM (Synchronous DRAM),这与SRAM是完全不 同的。SRAM也不应该与PSRAM相混淆，PSRAM是一种伪装成SRAM的DRAM。从晶体管的类型分，SRA、(可以分为双极性与CMOS两种。从功能上分.SRAM可以分为界步SRAM和 同步SRAM(SSRAM).牙步SRAM的访问独立于时钟.数据输入和输出都由地址的变化控制。同步SRAM的所 有访问都在时钟的上升/下降沿启动。地址.数据输入和其它控制信号均干时钟信号相关。http：/www zlgmcu com/mxic/N0R_F 1 ash_b asp并行NOR Flash存储器概

20、述NOR Flash是一种非易失性的存储器，具有存储容址大.数据保存时间长的持点，其擦写次数命达 10万次，数据更新速度比EEPROM要快很笫，在断电的情况下也能保存数据，常用來保存一些重婆的配 宜信息。应用程序可以直接在NOR Flash内运行，用户不必把代码再读到RAM中运行。XOR Flash的传 输效率很高.在小容址时具有很高的成木效益。NOR Flash根据数据传输的位数可以分为井行NOR Flash和串行NOR Flash-并行NOR Flash每次 传输女个bit位的数据:而串行NOR Flash每次传输一个bit位的数据。并行NOR Flash比串行NOR Flash 具有更快

21、的传输速度。旺宏电子提供J'低价格.商性能.高可靠性的NOR Flash产品。包括很筝3V的并行NOR Flash产 品.其容虽从彳Mb到512Mb不等。此外，针对伽和8Mb的产品旺宏电子还提供f 1mmX6mm的BGA 封装，非常适合于用在空间要求严格的场所。并行NOR Flash分类标准读访问系列标准读访问系列并行NOR Flash有MX29F、MX29LV和MX29SL.它提供8位、16位、8位/16位可选 的数据传输方式。电源电压有5V, 3V和1.8Vo页面模式读访问系列MX29GL系列产品提供先进的页模式接口，在读访问和編程操作上都进行优化.用户可以使用页模 式连续读取多个

22、数据。应用Wimax蓝牙廿电话数码相机数字电视机顶盒命名规则S 90_ 童E_蠢L笳2 X器件291 : 5V29LV/29GL: 3V29SL： 1.8¥29LA/29GA :安全Flash选项；空度:20x ； 2Mb40x : 4Mb80x ； 8Nb 16x ； 16Mb32x ； 32Mb 12x : 128Mb25% : 256Mb工艺：C ： 0. ISuni II ： 0.13ufn E : O.llujn速度；55 : 55ns70 : 70ns90 : 90ns10 ； 100ns11 : 110nsG ；兼容RoKSQ :电压限制:3. ov-3.e 兼容R恥块

23、类型；T 顶层Boo tB :底层BootH：引导扇医，盘高地址扇区保护L：引导扇区，最低地址扇区保护U： "0口电压从1.&5V5JVCC, VCC电压从2.7VSJ3.6V,摄高地址处扇区傑护 D： I/O口电压从1.&5V§JVCC, VCC电压从2.7V到3.杲低地址处扇区保护 C :读保护，最高地址处扇区保护F；读保护*最低地址处扇区保护封装类型:温度范園：c :晋通C 0° E至I :工业级(-40P : PDIPM : SOPQ : PI£CT/T2 ； TS0TXB-O. &THTI间距/Q 3mm大小 xc-lO

24、mift间距/04mm大bXE-d.Smm 间距/0.4mm 犬小Xj-l0耐I间距/06mm大小XH-6 5耐i间距大小XF-0.5帧间距/025(ro夬小选型表标准读访问系列名称储密 度访问时间(ns)封装特性5V系列MX29F20XOCT/BMb8/X 16MX29F04XOCMb8MX29F40XOCT/BMb8/X 16MX29F80XOCT/BMb8/X 163V系列MX29LV0X04CT/BMb80/90MX29LV0X10CMb80/9070/9070/9070/9070/9055R/755R/744-SOP, 48-TS0PV32-TSOP, 32-PLCCV48-TSOP

25、 ,44-SOPV44-SOP, 48-TSOP,48-TFBGAV55R/7OOCT/BMb8/X 160/90MX29LV8OOCT/BMbXS/X160/90MX29LV4X55R/732-TSOP, 32-PLCCV32-TSOP, 32-PLCCV48-SOP,48-TSOP, 48-WFBGA>V48-TFBGA, 48-LFBGA, 48-XFLGA48-SOP, 48-TSOP, 48-WFBGA>V48-TFBGA,48-LFBGA, 48-XFLGA装栽扇区 引导扇区 装载扇区 装栽扇区装载扇区引导扇区装载扇区装载扇区MX29LV155R/748-S0P,48-

26、TSOP, 48-WFBGA60DT/B6Mb8/X160/90装载扇区MX29LV161DT/B6 Mb1690MX29LV320ET/BMb8/X 1670MX29LV321DT/BMb1690MX29LV640ET/BMb8/X 1670MX29LV190/1228DT/B28 Mb 8/X 1648-TFBGA, 48-LFBGA, 48-XFLGA48-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-XFLGA48-TSOP, 48-TFBGA,48-LFBGA, 44-S0P48-TSOP,48-TSOP,48-TSOP,70-SS0P48-TFBGA48-LFBGA56-

27、TSOP,1.8V系列装载扇区I/O口电压18、36V装救扇区装载扇区I/O口电压18、36V装栽扇区装載扇区MX29SL4X8/X 1648-TSOP, 4S-WFBGA.装载扇区O2CT/BMb9048-TFBGA, 48-LFBGA8VMX29SL8OOCT/BMbX8/X 169048-TSOP, 48-WFBGA,48-TFBGA, 48-LFBGA8V装载扇区贞模式读访问系列名称存 组 访问时间 储密度织(ns)封装持性MX29GL32032X8./X1670EH/LMbMX29GL32032X70ET/BMb8/X 16MX29GL61064X90EH/LMbS/X16MX29G

28、L64064X90ET/BMbS/X16MX29GL12812X90EH/L8 MbS/X16MX29GL12812X110EU/D8 MbS/X16MX29GL25625X90REH/L6 Mb8./X16MX29GL25625X110EU/D6 Mb8/X 16MX29GL51251X110REH/L*2 MbS/X1656-TSOP,61-FBGAV引导扇区48-TSOP,48-LFBGAV装戦扇区56-TSOP,64-FBGAV引导扇区48-TSOP,48-LFBGAV装载扇区56-TSOP,64-FBGA, 70-SS0PV引导扇区56-TSOP,64-FBGAVI/O 口电压 1.

29、8V56-TSOP,64-FBGA, 70-SS0PV引导扇区56-TSOP,64-FBGAVI/O 口电压 1.8V56-TSOP,64-FBGA, 70-SS0PV引导扇区资料下戦旺宏并行/串行NOR Flash对比参考指南(英)C69IKPDF2009-12-8:2889次 旺宏并行 NOR Flash 简介415KPDF2009-U-27:1711 次联系方式 销售电话： 销售邮箱：mxic. marketingzlgmcu. com 技术支持电话： 技术支持邮箱：NXPARM. supportzlgmcu. com技术支持论坛:http：/bbs. zlgmcu. comMKMX （

30、旺宏）SPI（串口）NOR FLASH型号容址频率封装温度MX25L512512K85MHZS0P-8-40Cto+85CMX25L10051M85MH2S0P-8-IOCto85CMX25L20052M85MH2S0P-8-IOCtoS5CMX25L10051M85MH2S0P-8-IOCtoS5CMX25L80058M85MHZS0P-8-10Cto85CMX25L160516M86MHZSOP-S-40Cto+85CMX25L32O532MS6MHZSOP-S-40Cto+85CMX25L610564M86MHZSOP-8-40Cto+85CMX（旺宏）Parallel （并口）NOR

31、FLASH型号容址读取速度封装温度MX29LV002C2M70nsTSOPTOC to -85CMX29LV4OOCx MX29LV010C4M70nsTSOP-10C to +85CMX29LV800Cx MX29SL800C8M70nsTSOP-10C to +85CMX29LV160D16M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV320D32M70nsTSOP-40C to +85CMX29LV610D/E61M110nsTSOP-40C to +85CMX29LV128D/E128M130nsTSOP-40C to *85CMX29LV256EH/LT2I256M150ns

32、TSOP-10C to +85C型号容虽频率封装温度M25PO5A512K33MHZSOP-8-40C to +85CM25P10x M25PE10. M15PE10IM33MHZSOP-8-IOC to 85CM25P20. M25PE20. M15PE202M33MHZSOP-8-IOC to -85CM25P40. M25PE10. M15PE1O4M50MH2SOP-8-40C to +85CM25PS0s M25PE80. M15PE8O8M50MH2SOP-8-40C to +85CM25P16x M25PE16> M45PE1616M50MH2SOP-8-IOC to +8

33、5CM25P32、 M25PE32、 M15PE3232M66MHZSOP-8-IOC to +85CST（总:法）SPICED） NOR FLASH61M80MHZSOP-8-IOC to +85CM25P61SST （超捷）SPI（串口）NOR FLASH型号容虽频率封装温度SST25VF512A512K33MHZSOP-8-IOC to +85CSST25LF010A、 SST25VF010AIM33MHZSOP-8-40C to +85CSST25LF020A. SST25VF020B2M10MH2SOP-8-40C to +85CSST25LF010A> SST25VF010B

34、IM50MH2SOP-8-IOC to +85CSST25LF080A. SST25VF0S0B8M50MH2SOP-8-IOC to +85CSST25VF016B16M50MH2SOP-8-IOC to +85CSST25VF032B32M66MH2SOP-8-40C to +85CSST（超捷）Parallel（并口）NOR FLASH型号容虽读取速度封装温度SST39VF0101M70nsTSOP-10C to +85CSST39VF0202M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF010锄70nsTSOP-10C to +85CSST39VF160K SST39VF16

35、0216M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF1681、 SST39VF168216M70nsTSOP-40C to +85CSST39VF320K SST39VF320232M70nsTSOP-10C to +85CSST39VF6101Bs SST39VF6102B64M70nsTSOP-40C to +85CSpansion （飞索）Parallel（并口）NOR FLASH空号容量读取速度封装温度S29AL008D70TFI0208M70nsTSOP-48-40C tc> +85CS29AL016D70TFI02016M70nsTSOP-18-IOC to+85

36、CS29GL032N90TFI04032M90nsTSOP-18-IOC to+85CS29GL064N90TFI04061M110nsTSOP-18-10C to千85CS29GL128P10TFI010128M130nsTSOP-56-10C to -卜85CWmbond（华邦）SPI（串口） NOR FLASH封型号装温度容虽频率W25P10.舵5X10、 W25Q101M33MHZSOP8-40Cto +85CW25P20. W25X20. W25Q202M10MHZS0P-8-10Cto +85CW25P40、腔5X40、 W25Q404M50MHZS0P-8-40Cto +85CW

37、25P80、脣25X80、 W25Q808M50MHZS0P-8-IOC to +85CW25P16.骨25X16、 W25Q1616M50MHZS0P-8-40C to +85CW25P32x 骨25X32、 W25Q3232M66MHZS0P-8-40C to *85CW25P6K W25X64. W25Q6461M80MH2S0P-8-10C to +85C并行NOR Flash在SOPC开发中的应用类别：嵌入式系统随着FPGA技术的发展，出现了一种新概念的嵌入式系统.即SOPC （System On Programmable Chip）。 SOPC技术融合f SoC和FPGA的优点，将

38、处理器、片上总线.片上存储器.内部外设.I/O接口以及自定义 逻辑集成在同一片FPGA中.而且软换件可裁剪、可升级.可修改，具有软硕件在系统编程能力，在保证商 性能的同时具有非常岛的灵活性。由于大部分功能部件在FPGA内实现.外部只需要很少的器件，如大容:© 的RAM. Flash. DAC、ADC等。在系统需要脱离讣算机独立运行时（绝大部分情况如此），非易失的存储器 件Flash是必不可少的。Flash可以用来存储配置比特流.代码、数据或参数等重要信息。本文以Intel StrataFlash 3V Memory 系列的 JS28F128J3D75 并行NOR Flash （简称

39、“J3D”）和 Xilinx FPGA Spartan3E 系列的XC3S1600E （简称"1600E" 为背景，在结合项目开发经验和参阅相关文献的基础上，介绍了并行 NOR Flash在SOPC开发中的4种不同应用。1存储FPGA配宜比特流1600E工作在BPI （Bytewide Peripheral InteRFace）配置模式时.通过专门的引脚与J3D连 接，这些引脚在配宜完成后可以作为用户I/O使用。连接时.大部分引脚参考1600E的数据于册直接连接 即可.但有些引脚需要特别注总:。J3D有X8 （数据总线宽度为8位）和心6 （数据总线宽度为16位）两 种工作模

40、式。配置时应工作在X8模式.配宜完成后,根据需要可以设置为X8或X16模式。图1为1600E 与J3D引脚连接示意图。图1 1600E与J3D引脚连接示总图若配匱后需要切换至X 16模式，则需综合考虑1600E的HSWAP脚。HSWAP接禹电平时.1600E所 有用户I/O的内部上拉电阻禁用 HDC通过47kQ电阻接高电平,LDC2通过47 kQ电阻接地,LDC1和 LDCO通过4. 7kQ电阻接高电平，同时这3个信号应分别连到J3D的BYTE#、OE#、CEO脚。这样上电后的 瞬间.J3D工作在X8模式.且I大I CEO脚被拉商而处于非选中状态，不会导致对J3D的误操作：然后在1600E 的

41、控制下进入配辻状态，配迓结束可通过控制LDC2输出商电平而将J3D切换为X 16模式。HSWAP接低电平 时,1600E所有用户I/O的内部上拉电阻使能,LDCK LDCO和HDC无需外接上拉电阻：而LDC2应接310Q 的下拉电阻，以使上电后J3D匸作在X8模式.从而顺利进入配宜状态.配宜结來后可将J3D切换为X 16 模式。若配宜后工作在X8模式.则J3D的BYTES脚接低电Ts 1600E的LDC2悬空。半HS霄AP接岛电平 时，LCD1和LCDO分别连至OES CEO脚同时应通过47kQ电阻上拉:HSMP接低电平时,LCD1和LCDO不用上拉。配宜比持流文件首先通过1MPCT转换成HC

42、S文件.再通过PicoBlaze NOR Flash Programmer （http：/www xilinx coni-'products/boards/sSestarter/files/s3esk_picoblaze_nor_flash_programme r. zip）下载到J3D中。J3D可以同时配过*块FPGA,也可对同一块FPGA进行多比特流配宜。例如先配習一个诊断测试 比特流，测试成功后，再重新配宜应用比特流。2存储可引导的软处理器代码首先利用Xilinx嵌入式开发匸具箱EDK创建一个嵌入式丄程，包括MicroBlaze换件平台和相 应的软件工程。在EDK界面下.用輸标选

43、中创建的软件工程右击并在弹出的菜单中选Generate Linker Script.项,进入 Generate Linker Script 对话框。将 Sections% Heap 和 Stack 指定到 BRAM 或外部 RAM （一般将Heap和Stack指定到BRAJ1,代码和数据段抬定到外部RAM），并抬定输出脚木文件名及路径，如 图 2 所示。图 2 Generate Linker Script 对话框双击相应软件匸程下的Compiler Options选项，进入Set Compiler Options对话框，设定Link Script项为刚才产生的脚木文件并抬定Output ELF

44、 File项的路径与名称°现在可以編译相应的软件匸 程，产生相应的可执行ELF文件,设为Bootable, elf o在 EDK 主界面下,用鼠标选择 Device Configuration -* Program Flash Memory,进入 Program Flash Memory对话框.并按图3进行设宜。贰击0K按钮，会把Bootable, elf文件自动转为SREC格式. 并下载到J3D的抬定地址处同时产生名为bootloadr.O的软件匸程。bootloadr.O匸程編译后产生的可 执行文件executable, elf用來执行引导装戦功能，应将其合并到系统比持流syst

45、em, bit,从而生成 dowload. bito dowload. bit经iMPCT转为MCS文件后下載到配S PROM中（若使用同一片J3D,注意不能与 Bootable, elf发生地址空间冲突）°这样.系统上电后.首先对FPGA进行配宜，然后引导加载J3D中的 代码至相应的BRAM或SDRAM中（具体映射位宜已在Generate Linker Script对话框中设定）°图 3 Program Flash Memory 对话框3存储可直接执行的软处理器代码这里仍然使用上而创建的EDK工程，由于J3D具有类似SRAM的接口.上电后可以宜接像SRAM 一样进行读操作,但却不能直接进行写操作。因此.应将只读段c。"、ro