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文档简介
1、X射线光电子能谱分析射线光电子能谱分析X-ray Photoelectron Spectroscopy表面分析技术 (Surface Analysis)是对材料外层(the Outer-Most Layers of Materials (OCH 4个碳元素所处化学环境不同;与氧化态关系 7.2.1 光电子能谱仪的结构 电子能谱仪主要由激发源、电子能量分析器、探测电子的监测器和真空系统等几个部分组成。电子能谱仪通常采用的电子能谱仪通常采用的激发源激发源有三种:有三种:X射线源射线源、真空紫真空紫外灯外灯和和电子枪电子枪。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样。商品谱仪中将这些激发源组装在同一个样品
2、室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。品室中,成为一个多种功能的综合能谱仪。电子能谱常用激发源电子能谱常用激发源XPS采用能量为10001500ev 的射线源,能激发内层电子。各种元素内层电子的结合能是有特征性的,因此可以用来鉴别化学元素;UPS采用 1641ev的真空光电子作激发源。 与X射线相比能量较低,只能使原子的价电子电离,用于研究价电子和能带结构的特征。 AES大都用电子作激发源,因为电子激发得到的俄歇电子谱强度较大。1射线激发源 XPS中最常用的X射线源主要由灯丝、栅极和阳极靶构成。 X射线源的主要指标是强度和线宽,一般采用K线,因为它是X射线发射谱中强度最大的。在X射线光电子能谱中
3、最重要的两个X射线源是Mg和Al的特征K射线. 双阳极双阳极X射线射线源示意图源示意图 要获得高分辨谱图和减少伴峰的干扰,可以采用射线单色器来实现。即用球面弯曲的石英晶体制成,能够使来自X射线源的光线产生衍射和“聚焦”,从而去掉伴线等,并降低能量宽度,提高谱仪的分辨率。2. 电子能量分析器(1)作用:探测样品发射出来的不同能量电子的相对强度。它必须在高真空条件下工作,压力要低于10-5帕,以便尽量减少电子与分析器中残余气体分子碰撞的几率。(2)类型 半球型电子能量分析器半球型电子能量分析器 改变两球面间的电位差,不同能量的电子依次通过分析器,分辨率高;n分辨率 -光电子能谱的半高宽即绝对分辨率
4、 Ek-通过分析器电子的额动能 W-狭缝宽度%100/分辨率kEE2/)2/(/2rWEEk筒镜式电子能量分析器筒镜式电子能量分析器 同轴圆筒,外筒接负压、内筒接地,两筒之间形成静电场; 灵敏度高、分辨率低;3. 检测器 用电子倍增器检测电子数目。电子倍增器是一种采用连续倍增电极表面的静电器件,内壁具有二次发射性能。电子进入器件后在通道内连续倍增,增益可达 109 1、减少电子在运动过程中同残留气体分子发生碰撞而损失信号强度。2、降低活性残余气体的分压。因在记录谱图所必需的时间内,残留气体会吸附到样品表面上,甚至有可能和样品发生化学反应,从而影响电子从样品表面上发射并产生外来干扰谱线。298K
5、吸附一层气体分子所需时间10-4Pa时为1秒;10-7Pa时为1000秒4.真空系统真空系统7.2.2 样品的制备7.2.3 XPS谱图的表示 1. XPS谱图的表示 横坐标:动能或结合能,单位是eV,一般以结合能 为横坐标。 纵坐标:相对强度(CPS)。 结合能为横坐标的优点:结合能比动能更能反应电子的壳层结构(能级结构), 结合能与激发光源的能量无关 2. 谱峰、背底或伴峰(1)谱峰:X射线光电子入射,激发出的弹性散 射的光电子形成的谱峰,谱峰明显而尖锐。(2)背底或伴峰:如光电子(从产生处向表面)输 送过程中因非弹性散射(损失能量)而产生的 能量损失峰,X射线源的强伴线产生的伴 峰,俄歇
6、电子峰等。XPS谱图的背底随结合能值的变化关系 (3)背底峰的特点 在谱图中随着结合能的增加,背底电子的强度逐渐上升 。 3. XPS峰强度的经验规律(1)主量子数小的壳层 的峰比主量子数大 的峰强;(2)同一壳层,角量子 数大者峰强; (3)n和l都相同者,j大 者峰强。7.2.4 XPS的能量校正1. 静电效应 在样品测试过程中,光电子不断从表面发射,造成表面电子“亏空”,对金属样品,通过传导来补偿。对绝缘体,会在表面带正电,导致光电子的动能降低,结合能升高。严重时可偏离达10几个电子伏特,一般情况下都偏高35个电子伏特。这种现象称为“静电效应 ”,也称为“荷电效应”。2. 校正方法 (1
7、) 外标法(最常用) C 1s结合能:284.6 eV 若荷电效应在实验过程中不稳定,则实验前后各扫一次C 1s谱,取平均值。 (2) 内标法 以相同环境化学基团中电子的结合能为内标; 决定相对化学位移,而不是绝对的结合能(3)超薄法7.2.5元素的定性和定量分析 绝对灵敏度:绝对灵敏度:10-18g 相对灵敏度:相对灵敏度:0.1%1. 定性分析(1) 先找出C1s、O1s 峰(2)找出主峰位置,注意自旋双峰,如 p1/2,3/2; d3/2,5/2;f5/2,f7/2,并注意两峰的强度比(3)与手册对照 2. 定量分析 假定在分析的体积内样品是均匀的,则这种从特定的谱线中所得到的光电子数可
8、用谱线包括的面积 I 表示,则元素的原子密度为: S-原子灵敏度因子可查两种元素的浓度比:SI221121/SISI对多种元素中的某一元素浓度:注意:(1)不适用非均匀样品;(2)对过渡金属,不同的化学状态有不同的原子灵敏度因子;(3)上式的误差10-20%iiixxixxSISIC/7.3.1 表面元素全分析 1. 表面元素全分析的目的 了解样品表面的元素组成,考察谱线之间是否存在相互干扰,并为获取窄区谱(高分辨谱)提供能量设置范围的依据。 2. 方法 (1)对样品进行快速扫描,获取全谱; (2)对谱图中各谱线的结合能进行能量校正; (3)校正后的结合能和标准数据(或谱线)对 照,确定各谱线
9、的归属,即确定各谱线代 表的元素。图7-30 二氧化钛涂层玻璃试样的XPS谱图 7.3.2元素窄区谱分析 1. 方法(1)以全分析谱作为基础,由其确定扫描的能 量范围。(2)与全谱相比,它的扫描时间长,通过的能 量小,扫描步长也小,这样有利于提高测 试的分辨率。 2. 用途(1)离子价态分析方法 做试样的XPS谱和标准谱图做对比,或同时做试样和某一价态的纯化合物的XPS谱,然后对比谱图的相似性。例子:鉴定铜红玻璃试样中铜的价态 表明铜红玻璃试样中铜为?价表明铜红玻璃试样中铜为?价Cu2p3/2 spectra for the surface of the Cu/Ga2O3/ZrO2 catal
10、yst (2)元素不同离子价态比例方法u对试样做XPS分析,得到窄区谱。u若谱峰不规则,则对谱线进行拟合,得到不同价态元素的谱线;谱峰解叠u对不同价态的谱峰分别积分得到谱峰面积;u查各价态的灵敏度因子,利用公式求各价态的比例。例子:确定二氧化钛膜中+4价和+3价的比例。(3)材料表面不同元素之间的定量方法u 对试样做XPS分析,得到窄区谱。u 根据峰面积和灵敏度因子,利用公式计算各元素的相对含量。例子(课本P386) 功能陶瓷中Ti, Pb, La的相对含量(4)化学结构分析 依据:原子的化学环境与化学位移之间的关系; 羰基碳上电子云密度小, 1s电子结合能大(动能小);峰强度比符合碳数比。(
11、5)深度分析原理 用离子枪打击材料的表面,这样可以不断地打击出新的下表面,通过连续测试,循序渐进就可以做深度分析,得到沿表层到深层元素的浓度分布。利用离子枪依次剥落表面,进行XPS分析,就可以得到深度分布图谱Ni-B合金表面Ni、B、O的表面浓度与氩刻时间的关系 (6) 高分子结构分析 光降解作用u方法: 比较光照前后谱图是否有变化,变化的程度 如何。u 例1 紫外光对聚丙烯酸甲酯的降解u例2:聚偏氯乙烯降解反应随时间的变化 辐射交联u交联的定义: 高分子链之间形成新的键,使之成为网状结构高 分子的反应。交联分为化学交联、光交联及辐照 交联。u交联度的定义: 表征骨架性能的参数,是指交联剂在反应物中所 占的质量分数。辐射交联信息的获得利用了共轭电子体系中的*跃迁。这种*跃迁在XPS的谱图上表现为在C1s的高结合能端(约67eV)出现振激峰。振激峰的强度随辐射剂量的增加而明显下降。振激峰越弱,交联度越高。图7-42 振激峰的相对强度与辐射剂量关系的C1s的XPS谱辐射剂量Sv:a:0; b: 46.38; c:85.11; d: 140.76; e:259.7有机物界面反应u方法:测反应前后某一元素结合能的变化。u例子:XPS在分子筛方面的应用u判断分子筛的类型u分子筛中各阳离子的交换度u体相Si/Al 比
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