ETCH名词解释

1、专有名词解说 一ETCH英文名词：ETCH中文名词：蚀刻定义：利用物理、化学或是物理加化学的方式将材料移除的过程说明：使用物理方法（离子撞击）或是化学方法（薄膜与气体或是液体反应）, 将薄膜或是基材不需要的部分去除。需要的部分可以由Mask保护, 保留下来。使用例子：Poly etch、SiN etch、Contact etch Metal etch、Pad etch上光阻作为Mask蚀刻步骤PRPRPRPR光阻去除可以控制蚀刻时的方向性，得到平直的蚀刻剖面，但一般一次都只 能蚀刻一片芯片Film专有名词解说一ETCH英文名词：Dry Etch中文名词：干蚀刻定义：利用气体作为与薄膜反应的物质

2、，用物理或是物理加化学的反应去 除材料说明：电浆蚀刻或是离子撞击蚀刻，如 CF4电浆系统可蚀刻SiO2。特性：中文名词：湿蚀刻定义：利用在溶液中的化学反应，将材料移除的过程使用例子：使用硫酸H2SO4溶液去除光阻、使用磷酸 H3PO4溶液去除Si3N4薄 膜、使用氢氟酸HF蚀刻SiO2。特性：蚀刻为等向性蚀刻，侧壁不比直，为曲线状，多为Batch式。PRPRPR _溶液溶液湿蚀刻制程示意图专有名词解说 一ETCH中文名词：电浆定义：将气体加上电压，形成一个部分离子化的气体系统，成分包含离子、 电子、分子与原子团。说明：电浆当中所含的正电和负电粒子具有相同的浓度。带电粒子的密度 大概是10910

3、11/cm3,而离子比中性粒子的比例是10-410-6。使用例子：干蚀刻技术-电浆蚀刻、PECVD (Plasma En ha need CVD)l|'|l抽气专有名词解说 一ETCH英文名词：Isotropic / Ani sotropic中文名词：等向性/非等向性定义：蚀刻等向性：表示每个方向的蚀刻速率都是一样的 蚀刻非等性性：表示不同方向的蚀刻速率不同说明：一般干蚀刻技术可以得到非等向性的蚀刻结果，湿蚀刻技术大多是 等向性的。非等向性蚀刻示意图等向性蚀刻示意图基材PRR3/R2PRjR1基材基材中文名词：选择比定义：蚀刻的选择比，指同一个蚀刻方法对于不同薄膜蚀刻率的比值说明：被蚀

4、刻薄膜/下层薄膜的选择比，会影响到蚀刻最后的结果，通常选 择比愈大，蚀刻制程的控制能力愈好。选择比小,下层薄膜受损而且光阻出现削角选择比极小基材受损, 光阻削角成为锥状PRPR被蚀刻 薄膜被蚀刻薄膜下层薄膜选择比大控制良被蚀刻薄膜下层薄膜被蚀刻薄膜下层薄膜基材基材基材英文名词：Profile中文名词：剖面轮廓定义：半导体制程中，Profile指组件的侧面剖面轮廓说明：蚀刻制程主要就是控制剖面轮廓，成为理想中的图形。轮廓包含了 蚀刻的宽度、深度、角度等。侧边轮廓线Profile专有名词解说 一ETCH英文名词：CD (Critical Dime nsio n)中文名词：微距定义：半导体制程中，重

5、要层次的线宽、线洞的距离尺寸说明：用来仿真黄光与蚀刻制程优劣的重要参数，例如Poly CD、Con tactCD 等，通常以 SEM (Scanning Electron Microscope量测Contact CDPoly CD组件侧面图英文名词：AEI (After Etchi ng In spectio n) 中文名词：蚀刻后检查定义:蚀刻站完成后，或是后续光阻去除后，以显微镜目检的工作站别 说明：检查蚀刻制程是否造成缺陷(pits凹洞、蚀刻不足、 光阻残留等)，视情况处理产品，避免流入下一站。SiN ETCHSiN AEI K SiN Dry Stri SiN Wet Strip|Si

6、N ECDChamber ACO1 In spect蚀刻后检查：中文名词：定义：孔洞的宽度除以孔洞的深度之比值，Width / Thick ness说明:再黄光或是蚀刻的制程中，对于后段 Metallization，需要形成细长 的孔洞，利用Aspect Ratio来代表孔洞的宽/深比。宽深比愈小，表 示制程的难度愈高。专有名词解说 一ETCH英文名词：Chamber中文名词：反应室定义：提供制程进行的反应环境，可控制环境的温度、气体与压力等参数说明：一部机台可能有一个或是多个的反应室，可以独立进行不同的制程。 例如HPY机台，有Poly Chamber和WSi Chamber用来沉积不同的 薄膜。CDE机台，有Poly Chamber、Oxide Chamber用来蚀刻不同专有名词解说 一ETCH专有名词解说 一ETCH英文名词中文名词End Point蚀刻终点专有名词解说 一ETC