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文档简介

1、结型场效应管 (JFET) 的结构和工作原理1. JFET 的结构和符号N 沟道 JFETP 沟道JFET2. 工作原理（以 N 沟道 JFET 为例）N沟道 JFET 工作时，必须在栅极和源极之间加一个负电压VGS< 0，在 D-S 间加一个正电压VDS>0.栅极沟道间的PN结反偏，栅极电流i G? 0，栅极输入电阻很高（高达107W以上）。N沟道中的多子 （电子 ）由 S 向 D运动， 形成漏极电流i D。i D 的大小取决于VDS 的大小和沟道电阻。改变VGS可改变沟道电阻，从而改变i D。GSD的控制作用以及DSD的影响。主要讨论 V 对 iV 对 i栅源电压 VGS对 i

2、 D的控制作用当 VGS 0 时， PN结反偏，耗尽层变宽，沟道变窄，沟道电阻变大，I D减小； VGS更负时，沟道更窄， ID更小；直至沟道被耗尽层全部覆盖，沟道被夹断，I D 0。这时所对应的栅源电压 V 称为夹断电压V。GSP漏源电压VDS 对 i D的影响在栅源间加电压VGS0，漏源间加正电压VDS> 0 。则因漏端耗尽层所受的反偏电压为 VGD=VGS- VDS，比源端耗尽层所受的反偏电压VGS大,( 如 : VGS=-2V,VDS=3V,VP=-9V,则漏端耗尽层受反偏电压为VGD=-5V，源端耗尽层受反偏电压为-2V), 使靠近漏端的耗尽层比源端宽，沟道比源端窄，故VDS对

3、沟道的影响是不均匀的，使沟道呈楔形。当 VDS增加到使 VGD=VGS- VDS =VP 时，耗尽层在漏端靠拢 , 称为预夹断 。当 VDS继续增加时，预夹断点下移，夹断区向源极方向延伸。由于夹断处电阻很大，使VDS 主要降落在该区，产生强电场力把未夹断区的载流子都拉至漏极，形成漏极电流I D。预夹断后 I D基本不随 VDS增大而变化。VGS对沟道的控制作用当 VGS 0 时， PN结反偏?耗尽层加厚?沟道变窄。VGS继续减小，沟道继续变窄。当沟道夹断时，对应的栅源电压VGS称为夹断电压VP（或 VGS(off)）。对于N 沟道的JFET， VP<0。VDS 对沟道的控制作用当V =0

4、时，V?ID, G 、 D间 PN结的反向电压增加，使靠近漏极处的GSDS耗尽层加宽，沟道变窄，从上至下呈楔形分布。当V增加到使=时，在紧靠漏极处出现预夹断。此时V? 夹断区延V VDSGDPDS长? 沟道电阻 ? I D基本不变。VGS和 VDS同时作用时当 VP<VGS<0时，导电沟道更容易夹断，对于同样的VDS，I D的值比VGS=0 时的值要小。在预夹断处, VGD=VGS- VDS=VP( 或VDS=VGS-VP).综上分析可知l 沟道中只有一种类型的多数载流子参与导电，所以场效应管也称为单极型三极管 。lJFET 栅极与沟道间的 PN结是反向偏置的，因此i G? 0，输入电阻很

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