晶体管放大器设计

1、1一、学习要求一、学习要求 2学习晶体管放大电路的设计方法；学习晶体管放大电路的设计方法；掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整掌握晶体管放大电路静态工作点设置与调整方法；方法；掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及掌握晶体管放大电路性能指标的测试方法及安装与调试技术。安装与调试技术。 了解负反馈对放大电路性能的影响。了解负反馈对放大电路性能的影响。学习用学习用pSpice软件对电路进行模拟仿真。软件对电路进行模拟仿真。 3单级阻容耦合晶体管放大器设计单级阻容耦合晶体管放大器设计n已知条件已知条件l+VCC=+12VlRL=2k lVi=10mV(有效值有效值)lRs=50 n技术指标要求技术

2、指标要求lAV30lRi2k lRo3k lfL20HzlfH500kHzl电路稳定性好。电路稳定性好。4提出设计指标提出设计指标拟定电路方案拟定电路方案设定器件参数设定器件参数电路安装和调试电路安装和调试结果测量结果测量指标满足要求指标满足要求电路设计结束电路设计结束Y修改电路方案修改电路方案修改电路参数修改电路参数是否要修改电路方案是否要修改电路方案YNN5 CB I1 RB2 RB1 IBQ VBQ VEQ VCEQ ICQ RC RE CE RL CC T VCC Vo Vi 三极管放大器中广三极管放大器中广泛应用的是分压式射泛应用的是分压式射极偏置电路。电路的极偏置电路。电路的Q点稳

3、定，点稳定， Q点点主要主要由由RB1、RB2、RE、RC及及+VCC所决定。所决定。温度温度T IC IE IC VE 、VBQ不变不变 VBE IB （反馈控制）（反馈控制）若若I1 IBQ ，VBQ VBE1、工作原理、工作原理 6n工作点稳定的必要条件：工作点稳定的必要条件： I1IBQ ，VBQVBE 一般取一般取 )(20)(10 )(10)(5 BQ1 BQ1锗锗管管硅硅管管IIII )(3)V(1 )(5)V(3 BQBQ锗锗管管硅硅管管 VVnRE愈大，直流负反馈愈强，电路的稳定性愈愈大，直流负反馈愈强，电路的稳定性愈好。一般取好。一般取7 CB I1 RB2 RB1 IBQ

4、 VBQ VEQ VCEQ ICQ RC RE CE RL CC T VCC Vo Vi n 设计小信号放大器时，一般取设计小信号放大器时，一般取 ICQ = (0.52)mA，CQEQCQBEBQEIVIVVR VEQ = (0.20.5)VCC IVIVRCQBQ1BQB2)105( B2BQBQCCB1RVVVR RC由由RO或或AV确定：确定： RC RO beVLCL/rARRR 或或RC8 CB I1 RB2 RB1 IBQ VBQ VEQ VCEQ ICQ RC RE CE RL CC T VCC Vo Vi n 如果放大器下限频率如果放大器下限频率fL已知，可按下列表达式估算已

5、知，可按下列表达式估算电容电容CB、CC和和CE：)(21)103(CbesLBrRf )(21)103(CLCLCRRf )1/(21)31(besEL rRRfCEn 通常取通常取CB = CC，用上面两式算出电容值，取较大的，用上面两式算出电容值，取较大的作为作为CB（或（或CC）。）。 9例例 设计一阻容耦合单级晶体管放大器。设计一阻容耦合单级晶体管放大器。n已知条件已知条件l+VCC=+12 VlRL=3 k lVi=10 mV(有效值有效值)lRs=600 n技术指标要求技术指标要求lAV40lRi1 k lRo3 k lfL100 HzlfH100 kHz。10n选择电路形式及晶

6、体管选择电路形式及晶体管采用采用分压式射极偏置电路分压式射极偏置电路，可以获得稳定，可以获得稳定的静态工作点。的静态工作点。 因放大器上限频率因放大器上限频率fH100 kHz，要求较，要求较高，故选用高频高，故选用高频小功率管小功率管3DG100，其特性，其特性参数参数 ICM=20mA，V(BR)CEO20V，fT 150MHz 通常要求通常要求 的值大于的值大于AV的值，故选的值，故选 60 11n要求要求Ri 1k，而，而mA2 . 2mA300100026CQ I取取ICQ = 1.5 mA 依据、进行计算mAmV26300mACQbe IrRi n 若取若取VBQ = 3V，得，得

7、 k53. 1CQBEBQEIVVR取标称值，取标称值，RE=1.5 k 12n因因 ,依据、进行计算 CQIIBQ BQ1)105(II k2410)(5CQBQ1BQB2 IVIVR k72B2BQBQCCB1RVVVR 为使静态工作点调整方便，为使静态工作点调整方便，RB1由由30k 固定电阻与固定电阻与100k 电位器相串联而成电位器相串联而成。 13依据、进行计算综合考虑，取标称值，综合考虑，取标称值，RB1.5 k 。 n 因因 ICQ1.5mA， 1340mAmV26300mACQbeIr k89.0beVL rARn 要求要求AV40, 由由 得得beLVrRA k27. 1L

8、LLLCRRRRR14计算计算电容电容为：为： F2 . 8)(21)103(CbesLB rRf取标称值，取标称值，CC = CB = 10m mFF5 .98)1/(21)31(CbesELE rRRf取标称值，取标称值，CE = 100m mF 15 根据上述设计，得到放大器的电路图如下：根据上述设计，得到放大器的电路图如下： R s 600 10mV RB2 24k CB 30k RC 1.5k RE 1.5k CE 10mF 100mF RL 3k 10mF CC 12V VCC T1 3DG100 RB1 * Vo Vs RP 100k 16晶晶体体管管毫毫伏伏表表 低低频频信信号

9、号发发生生器器 直直流流稳稳压压电电源源 CH2 VCC 被被测测放放大大器器 CH1 双双踪踪 示示波波器器 vi vo n首先在面包板上组装好电路，参考上图搭接好实验首先在面包板上组装好电路，参考上图搭接好实验测试平台。测试平台。n然后进行电路调试：然后进行电路调试：静态调试静态调试动态调试动态调试17 （1）接通电源，将电路输入端接地，测量电路的静）接通电源，将电路输入端接地，测量电路的静态工作点。态工作点。 （2）用万用表直流电压档，分别测量晶体管的）用万用表直流电压档，分别测量晶体管的B、E、C极对地电压极对地电压VBQ、VEQ及及VCQ。 （3）一般）一般VBQ（35）V，VCEQ

10、正几伏。正几伏。如果出现如果出现VCQ VCC，说明晶体管工作在，说明晶体管工作在截止截止状态；状态；如果出现如果出现VCEQ 0.5V，说明晶体管已经，说明晶体管已经饱和饱和。（4）调节电位器）调节电位器RP1，使，使VCEQ正几伏，此时说明晶正几伏，此时说明晶体管基本工作在线性放大状态。但体管基本工作在线性放大状态。但Q点不一定是最佳点不一定是最佳的，还要进行动态波形观测。的，还要进行动态波形观测。18vi (t) vo (t) o o t t 截止失真截止失真 （5）给放大器送入规定的输入信号，如）给放大器送入规定的输入信号，如ViPP =28mV，fi = 1kHz的正弦波。的正弦波。

11、 （6）用示波器观察放大器的输出）用示波器观察放大器的输出vo。n 若若vo波形的顶部被压缩，这种现象称为波形的顶部被压缩，这种现象称为截止失真截止失真，说明，说明Q点偏低，应增大基极偏流点偏低，应增大基极偏流IBQ，即增大，即增大ICQ。n 若若vO波形的底部被削波，这种现象称为波形的底部被削波，这种现象称为饱和失真饱和失真，说明，说明Q点偏高，应减小点偏高，应减小IBQ ，即减小，即减小ICQ 。 vi (t) vo (t) o o t t 饱饱和和失失真真 19 （5）给放大器送入规定的输入信号，如）给放大器送入规定的输入信号，如ViPP =30mV，fi = 1kHz的正弦波。的正弦波

12、。 （6）用示波器观察放大器的输出）用示波器观察放大器的输出vo。 （8）增大输入信号（如）增大输入信号（如ViPP =120mV），）， vo无明显失无明显失真，或者真，或者逐渐增大输入信号逐渐增大输入信号时，时， vo顶部和底部差不多顶部和底部差不多同时开始畸变同时开始畸变，说明，说明Q点设置得比较合适。点设置得比较合适。 （7）调节）调节RB1，使放大器的输出，使放大器的输出vo不失真。不失真。 （9）此时）此时移去移去信号源，分别测量放大器的静态工作信号源，分别测量放大器的静态工作点点VBQ、VEQ、VCQ，并计算，并计算VCEQ 、ICQ。20晶体管放大器的主要性能指标有晶体管放大器

13、的主要性能指标有n 电压放大倍数电压放大倍数AVn 输入电阻输入电阻Rin 输出电阻输出电阻Ro1. 通频带通频带BWfHfL211、电压放大倍数、电压放大倍数AVbeLrR mAmV26300mACQbe Ir 理论计算理论计算ioVVVA n在波形不失真的条件下，在波形不失真的条件下，用示波器测量放大器输入电用示波器测量放大器输入电压与输出电压的值。压与输出电压的值。ippoppimomioVVVVVVVA 实验测试实验测试n测出测出Vi (有效值有效值)或或Vim(峰值峰值)及及Vip-p（峰峰-峰值）与峰值）与Vo(有有效值效值)或或Vom(峰值峰值) Vop-p（峰（峰-峰值），则峰

14、值），则 22B2B1bei/RRrR 放放 大大 器器 信信 号号 源源 R Ri Vs Vi 2、输入电阻、输入电阻Ri理论计算理论计算实验测试实验测试ber RVVVRisii 串联一个已串联一个已知电阻知电阻R 在输出波形不失真情况下在输出波形不失真情况下，用晶体，用晶体管毫伏表或示波器，分别测量出管毫伏表或示波器，分别测量出Vi与与Vs的值，则的值，则 23CCoo/RRrR 3、输出电阻、输出电阻RO理论计算理论计算实验测试实验测试开关开关S(1)在输出波形不失真情况下在输出波形不失真情况下，用晶体，用晶体管毫伏表或示波器，管毫伏表或示波器， 测量负载开路时测量负载开路时的输出电压

15、的值的输出电压的值Vo ；(2)接入接入RL后，测量负载上的电压的值后，测量负载上的电压的值VoL ro为晶体管输出电阻。为晶体管输出电阻。 信 号 源 放 大 器 Ro S RL Vo VoL LoLoo)1(RVVR 244、频率特性和通频带、频率特性和通频带放大器的频率特性包括放大器的频率特性包括表示增益的幅度与频表示增益的幅度与频率的关系；率的关系；表示输出信号与输入信表示输出信号与输入信号之间的相位差与频率号之间的相位差与频率的关系；的关系； 0 3 中中频频区区 低低频频区区 高高频频区区 BW fL fH f /Hz f /Hz 90 180 270 /度度 20lg AV /d

16、B 0 (a) (b) fH fL 135 235 n 相频特性相频特性 ( ):n 幅频特性幅频特性A( ):254、频率特性和通频带、频率特性和通频带放大器的通频带放大器的通频带BW:n fH为上限频率，主要为上限频率，主要受晶体管结电容及电路受晶体管结电容及电路分布电容的限制；分布电容的限制； 0 3 中中频频区区 低低频频区区 高高频频区区 BW fL fH f /Hz f /Hz 90 180 270 /度度 20lg AV /dB 0 (a) (b) fH fL 135 235 BW = fH fLn fL为下限频率，主要为下限频率，主要受耦合电容受耦合电容CB、CC及射及射极旁路

17、电容极旁路电容CE的影响。的影响。 26n采用采用“逐点法逐点法”测量放大器的幅频特性曲线。测量放大器的幅频特性曲线。 f (Hz)401005001k10k100k 300k 500kVop-p (mV)8009001000113111311131100080020lg|AV|(dB)2930313232323129注意：维持输入信号的幅值不变且输出波形不失真注意：维持输入信号的幅值不变且输出波形不失真BW = fH fL500 k40 500 k测试条件：测试条件：Vi=10 mV (Vip-p= 28 mV)n画出放大器的幅频特性曲线，计算通频带。画出放大器的幅频特性曲线，计算通频带。2

18、7 对于一个新设计的放大器，可能有些指标达不到要对于一个新设计的放大器，可能有些指标达不到要求，这时需要调整电路参数。求，这时需要调整电路参数。 beibeoLV_rRrRRA beLioVrRVVA Ri1、如何调整电压放大倍数、如何调整电压放大倍数AV ？28 对于一个新设计的放大器，可能有些指标达不到要对于一个新设计的放大器，可能有些指标达不到要求，这时需要调整电路参数。求，这时需要调整电路参数。2、如何调整放大器的下限频率、如何调整放大器的下限频率fL ？ 希望降低放大器下限频率希望降低放大器下限频率fL，根据电容计算式，也，根据电容计算式，也有三种途径，即有三种途径，即 fL CE

19、、CB 、CC 电路的性能价格比电路的性能价格比 rbe AV RC Ro 不论何种途径，都会影响放大器的性能指标，只能不论何种途径，都会影响放大器的性能指标，只能根据具体指标要求，综合考虑。根据具体指标要求，综合考虑。 293、负反馈对放大器性能有何影响？、负反馈对放大器性能有何影响？ 引入交流负反馈后，放大器的电压放大倍数将引入交流负反馈后，放大器的电压放大倍数将下降，其表达式为下降，其表达式为 FAAAVVVF1 式中，式中，F为反馈网络的传输系数；为反馈网络的传输系数；AV为无负反馈为无负反馈时的电压放大倍数。时的电压放大倍数。 引入负反馈后，虽然电压放大倍数下降，但可以引入负反馈后，

20、虽然电压放大倍数下降，但可以改善放大器的其它性能改善放大器的其它性能 。303、负反馈对放大器性能有何影响？、负反馈对放大器性能有何影响？ 负反馈放大器的上限频率负反馈放大器的上限频率fHF与下限频率与下限频率fLF的表的表达式分别为达式分别为 LVLFHVHF111fFAffFAf可见，引入负反馈后通频带加宽。可见，引入负反馈后通频带加宽。 313、负反馈对放大器性能有何影响？、负反馈对放大器性能有何影响？ 引入负反馈会引入负反馈会改变放大器的输入电阻与输出电阻：改变放大器的输入电阻与输出电阻：n 并联负反馈能降低输入阻抗；并联负反馈能降低输入阻抗；n 串联负反馈能提高输入阻抗；串联负反馈能

21、提高输入阻抗；n 电压负反馈使输出阻抗降低；电压负反馈使输出阻抗降低；n 电流负反馈使输出阻抗升高。电流负反馈使输出阻抗升高。323、负反馈对放大器性能有何影响？、负反馈对放大器性能有何影响？电流串联负反馈放大器电流串联负反馈放大器 R s 600 10mV RB2 24k CB 30k RC 1.5k RE 1.5k CE 10mF 100mF RL 3k 10mF CC 12V VCC T1 3DG100 RB1 * Vo Vs RP 100k RF 10 FbeLVFRrRA 实验表明，实验表明，RF取几十欧姆，可取几十欧姆，可以明显地提高放以明显地提高放大器的输入阻抗，大器的输入阻抗，降低放大器的下降低放大器的下限频率，改善非限频率，改善非线性失真。线性失真。331.设计课题：单级阻容耦合晶体管放大器设计设计课题：单级阻容耦合晶体管放大器设计n已知条件已知条件l+VCC=+12VlRL=2k lVi=10mV(有效值有效值)lRs=50 n技术指标要求技术指标要求lAV30lRi2k lRo3k lfL20HzlfH500kHzl电路稳定性好。电路稳定性好。342.实验步骤与要求：实验步骤与要求： 认真阅读本课题介绍的设计方法与测试技术，写认真阅读本课题介绍的设计方法与测试技术，写出设计预习报