电工电子技术数电复习题.

1、第5章 复习题一、填空题：1本征半导体热激发时的两种载流子分别是自由电子_、_空穴_。2、 N型半导体是在本征半导体中掺入极微量的_五_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为_自由电子少数载流子为_空穴一，不能移动的杂质离子带 _正_电。P型 半导体是在本征半导体中掺入极微量的_三_价元素组成的。这种半导体内的多数载流子为空穴一，少数载流子为自由电子一，不能移动的杂质离子带 _负_电。3、 PN结正向偏置时，外电场的方向与内电场的方向 相反_，有利于多数载流子的 _扩散一运动而不利于一少子_的_漂移_； PN结反向偏置时，外电场的方向与内电场的方 向_相同有利于少子_的_漂移运动而不利于多子

2、_的_扩散这种情况下的电流称 为反向饱和_电流。4、PN结形成的过程中，P型半导体中的多数载流子 空穴_向_N_区进行扩散，N型 半导体中的多数载流子 _自由电子_向_卩_区进行扩散。扩散的结果使它们的交界处建立 起一个空间电荷区_，其方向由_N_区指向_P_区。空间电荷区_的建立，对多数载流子 的扩散运动一起削弱作用，对少子的_漂移运动一起增强作用，当这两种运动达到动态平 衡时，_PN结_形成。5、 检测二极管极性时，需用万用表欧姆挡的_R X 1K_档位，当检测时表针偏转度较大时，则红表棒接触的电极是二极管的_阴_极；黑表棒接触的电极是二极管的_阳_极。检测二极管好坏时，两表棒位置调换前后

3、万用表指针偏转都很大时，说明二极管已经被击穿损坏两表棒位置调换前后万用表指针偏转都很小时，说明该二极管已经_绝缘老化不通。6、稳压管是一种特殊物质制造的 _面_接触型_硅晶体_二极管，正常工作应在特性曲 线的_反向击穿区。7、 在常温下硅二极管的开启电压约为_0.6_V,导通后的正向压降为_0.7V_。8、 在常温下锗二极管的开启电压约为_0.2 _ V,导通后的正向压降为 _0.3V_。9、二极管有哪些特性？其中最重要的特性是单向导电性_。二、判断正误：1、 P型半导体中不能移动的杂质离子带负电，说明P型半导体呈负电性。（错）2、 自由电子载流子填补空穴的 “复合”运动产生空穴载流子。（错）

4、3、 用万用表测试晶体管时，选择欧姆档RX10K档位。（错）4、 PN结正向偏置时，其内外电场方向一致。（错）5、 无论在任何情况下，三极管都具有电流放大能力。（错）6、 二极管只要工作在反向击穿区，一定会被击穿损坏。（错）7、当三极管的集电极电流大于它的最大允许电流ICM 时，该管必被击穿。 （ 错 ）8、在 N 型半导体中如果掺入足够量的三价元素，可将其改型为P 型半导体（ 对）9、因为 N 型半导体的多子是自由电子，所以它带负电（错 ）10 、PN 结在无光照、无外加电压时，结电流为零（对 ）三、选择题：1、在本征半导体中掺入三价元素后的半导体称为（B ）A、本征半导体B、P型半导体C、

5、N型半导体2、P 型半导体是在本征半导体中加入微量的（ A ）元素构成的。A、三价；B、四价；C、五价；D、六价。3、N 型半导体中少数载流子为（ B）A、自由电子 B、空穴C、带正电的杂质离子4、P 型半导体是（ C）A、带正电B、带负电C、中性5、PN 结加正向电压时，其正向电流是 （A）A、多数载流子扩散形成的B、多数载流子漂移形成的C、少数载流子漂移形成的6、PN 结加正向电压时，空间电荷区将（ A）。A. 变窄B. 基本不变C. 变宽7、 当温度升高时，二极管的反向饱和电流将（ A） 。A. 增大B. 不变C. 减小8、稳压管的稳压区是其工作在 （C）。A.正向导通B.反向截止C.反

6、向击穿9、稳压二极管稳压时，其工作在 （C） ，发光二极管发光时，其工作在 （A） 。A 正向导通区B 反向截止区C 反向击穿区10、稳压二极管的正常工作状态是（ C）。A、导通状态；B、截止状态；C、反向击穿状态；D、任意状态。11、 用万用表检测某二极管时， 发现其正、反电阻均约等于1KQ，说明该二极管（C）。A、已经击穿；B、完好状态；C、内部老化不通；D、无法判断。12、PN结两端加正向电压时，其正向电流是（ A ）而成。A、多子扩散；B、少子扩散；C、少子漂移；D、多子漂移。13、 正弦电流经过二极管整流后的波形为（C）。A、矩形方波；B、等腰三角波；C、正弦半波；D、仍为正弦波。五

7、、计算分析题：1、图示电路中设 R1 = RL = 500 Q , DZ的击穿电压 VZ = 6V ; 求:当Vi=20V时IZIr+ViDz RVi = 20V 时：IZ = IR - IL,ViVoVo20-668IZ 10016mAR.R,5005005002、N型半导体中的多子是带负电的自由电子载流子，P型半导体中的多子是带正电的空穴载流子，因此说N型半导体带负电，P型半导体带正电。上述说法对吗？为什么？答：这种说法是错误的。因为，晶体在掺入杂质后，只是共价键上多出了电子或少了电子，从而获得了 N型半导体或P型半导体，但整块晶体中既没有失电子也没有得电 子，所以仍呈电中性。3、某人用测

8、电位的方法测出晶体管三个管脚的对地电位分别为管脚12V、管脚3V、管脚3.7V，试判断管子的类型以及各管脚所属电极。答：管脚和管脚电压相差0.7V，显然一个硅管，是基极，一个是发射极，而管脚比管脚和的电位都高，所以一定是一个NPN型硅管。再根据管子在放大时的原 则可判断出管脚是发射极，管脚是基极，管脚是集电极。4、半导体和金属导体的导电机理有什么不同？单极型和双极型晶体管的导电情况 又有何不同？答：金属导体中只有自由电子一种载流子参与导电，而半导体中则存在空穴载流子 和自由电子两种载流子，它们同时参与导电，这就是金属导体和半导体导电机理上的本 质不同点。单极型晶体管内部只有多数载流子参与导电，

9、因此和双极型晶体管中同时有 两种载流子参与导电也是不同的。4#5、图6-24所示电路中，硅稳压管向压降均为0.7V，求各电路的输出电压Dzi的稳定电压为8V , Dz2的稳定电压为 6V，正20V20 V2d20V20VIX(d)o答: (a)(b)(c)(d)图 6-24图：两稳压管串联，总稳压值为图：两稳压管并联，输出电压按小值计，因此图：两稳压管反向串联，U°=8.7V ；图：两稳压管反向并联，可认为 DZ1截止不通，则 U°=0.7V。14V，所以 Uo=14V ；Uo=6V ；6、半导体二极管由一个 PN结构成，三极管则由两个 PN结构成，那么，能否将两 个二极管

10、背靠背地连接在一起构成一个三极管？如不能，说说为什么？答：将两个二极管背靠背地连接在一起是不能构成一个三极管的。因为，两个背靠 背的二极管，其基区太厚，不符合构成三极管基区很薄的内部条件，即使是发射区向基 区发射电子，到基区后也都会被基区中大量的空穴复合掉，根本不可能有载流子继续向 集电区扩散，所以这样的“三极管”是不会有电流放大作用的。7、如果把三极管的集电极和发射极对调使用？三极管会损坏吗？为什么？答：集电极和发射极对调使用，三极管不会损坏，但是其电流放大倍数大大降低。 因为集电极和发射极的杂技浓度差异很大，且结面积也不同。8、 图5-23所示电路中，已知 E=5V , Ui = 10si

11、n t V，二极管为理想元件（即认为 正向导通时电阻 R=0，反向阻断时电阻 R= a）,试画出U0的波形。答:分析：根据电路可知，当Ui>E时，二极管导通U0=Ui, 当5<E时，二极管截止时，U0=E。所以U0的波形图如下图 所示：10U/lxU0U。9、图6-25所示三极管的输出特性曲线，试指出各区域名称并根据所给出的参数进 行分析计算。(1) U ce =3V， I b =60|4A , I c =?(2) I c = 4mA， U ce = 4V , I b = ?(3) Uce =3V , Ib由4060 A时，1 二？lc(mA)54321080 g A60 g AB

12、40 g A20 g A123 45 6B= 0100 AUce (V)图 6-25解：A区是饱和区，B区是放大区，C区是截止区。(1) 观察图6-25，对应 冷=60卩A、Uce=3V处，集电极电流Ic约为3.5mA ;(2) 观察图6-25，对应I c=4mA、Uce=4V处，Ib约小于80 g A和大于70 g A ;(3) 对应Ib=20 g A、Uce=3V 处，AIc 1mA，所以 鹫 1000/20 50。10、已知NPN型三极管的输入一输出特性曲线如图6-26所示，当(1 ) U be - 0- 7V , U ce - 6V , I C - ?(2) I B =50A , U

13、ce = 5V , I C = ?(3) Uce =6V, Ube从0.7V变到0.75V时，求I B和lC的变化量，此时的？解: ( 1)由(a)曲线查得Ube=0.7V时，对应Ib=30 g A ,由(b)曲线查得lc 3.6mA ;(2) 由(b)曲线可查得此时 lc 5mA ;(3) 由输入特性曲线可知，Ube从0.7V变到0.75V的过程中，30 g A，由输出特性曲线可知，AIC2.4mA，所以 鹫2400/3080。课后习题3、4、5、6、8第6章复习题一、填空题：1、 三极管的内部结构是由 _基_区、发射区、集电区及 发射 结和集电结组成的。 三极管对外引出电极分别是 _基_极

14、、发射_极和集电一极。2、三极管由两个PN结组成。从结构看有三个区、两个结、三个极。3、三极管也有硅管和锗管，型号有 NPN型和PNP型。4、 三极管的输出特性（指输出电压Uce与输出电流Ic的关系特性）有三个区： 饱和区:.其偏置条件JC, Je都正偏. 截止区:.其偏置条件Jc, Je都反偏. 放大区:其偏置条件Je正偏Jc反偏一.5、 当半导体三极管的 _发射结_正向偏置，_集电结_反向偏置偏置时，三极管具有放 大作用，即 _基_极电流能控制 _集电_极电流。6、 根据三极管的放大电路的输入回路与输出回路公共端的不同，可将三极管放大电路分为共射，_共集_，共基三种。7、 三极管的特性曲线

15、主要有 输入特性 曲线和输出特性 曲线两种。8、 共发射极放大电路电压放大倍数是_输出电压_与_输入电压_的比值。9、晶体三极管实现电流放大作用的外部条件是发射结正偏，集电结反偏，电流分配8关系是10、在多级放大器里。前级是后级的输入，后级是前级的 输出升高，发射结的导11、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而 通压降Vbe则随温度的增加而减小_。12、 多级放大器中每两个单级放大器之间的连接称为耦合。常用的耦合方式有：阻容 耦合_直接耦合_变压器耦合_。13、 画放大器交流通路时，电容和电源_应作短路处理。14、 温度升高对三极管各种参数的影响，最终将导致Ic增大，静态工作点上

16、移二、判断下列说法的正确与错误：1、 放大电路中的输入信号和输出信号的波形总是反相关系。（错）2、放大电路中的所有电容器，起的作用均为通交隔直。（对）3、 射极输出器的电压放大倍数等于1，因此它在放大电路中作用不大。（错）4、 分压式偏置共发射极放大电路是一种能够稳定静态工作点的放大器。（对）5、 设置静态工作点的目的是让交流信号叠加在直流量上全部通过放大器。（对）6、 晶体管的电流放大倍数通常等于放大电路的电压放大倍数。（错）7、 微变等效电路不能进行静态分析，也不能用于功放电路分析。（对）&共集电极放大电路的输入信号与输出信号，相位差为180。的反相关系。（错）9、 微变等效电路中

17、不但有交流量，也存在直流量。（错）10、 基本放大电路通常都存在零点漂移现象。（对）11、普通放大电路中存在的失真均为交越失真。（ 错 ）12、差动放大电路能够有效地抑制零漂，因此具有很高的共模抑制比。（ 对 ）13、放大电路通常工作在小信号状态下，功放电路通常工作在极限状态下。（ 对）14、 放大电路的集电极电流超过极限值 Icm，就会造成管子烧损。（错）15、 共模信号和差模信号都是电路传输和放大的有用信号。（错）三、选择题1对双极型晶体管下列说法正确的是 （ c ）A 发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构对称B 发射极和集电极可以调换使用，因为双极型晶体管发射

18、极和集电极的电流基本相同C.发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称， 发射极掺杂浓度比集电极高D 发射极和集电极不能调换使用，因为双极型晶体管发射极和集电极的结构不对称， 发射极掺杂浓度比集电极低2、对于晶体基区的叙述下面正确是是（ D ）。A .掺杂浓度低而且做得很厚B 掺杂浓度高而且做得很厚C 掺杂浓度高而且做得很薄D 掺杂浓度低而且做得很薄3、 若使三极管具有电流放大能力，必须满足的外部条件是（C）A、发射结正偏、集电结正偏；B、发射结反偏、集电结反偏；C、发射结正偏、集电结反偏；D、发射结反偏、集电结正偏。4、 .在一放大电路中，测得一晶体管三个电极对地

19、电位分别为：-6V , -3V , -3.2V,该晶体 管型号为（ A ）A. PNP管 B.NPN管C.都不是5、电路的静态是指 （ C ）：A .输入交流信号幅值不变时的电路状态B .输入交流信号频率不变时的电路状态C.无信号输入时的电路状态6、在晶体管放大电路中， 测得晶体管的三个电极的电位如图所示。 试判断： 管子的类型10为（NPN、PNP）,三个电极：为，为，为。（B）11#-4V<D<S>-1.5V-1.2VA. NPN, c,e,bB. PNP, c,e,bC. NPN, b,e,cPNP,b,e,c#7、测得NPN型三极管上各电极对地电位分别为 此三极管处在

20、（A ）oVe= 2.1V , Vb = 2.8V , Vc= 4.4V，说明#A、放大区；B、饱和区；C、截止区;D、反向击穿区。#8、三极管各极对公共端电位如图，则处于放大状态的硅三极管是哪一个?-0.1 V03 V(c)05 V|/(b)9、在图示电路中，VCC = 12V，晶体管的：=100 ,Rb = 100k Q。当 Ui=0V时，测得Ubeq = 0.7V ,若要u c,hH基极电流Ibq = 20卩则Rw为（#300A、565 ; B、465 ; C、400 ; D、 10、在图示电路中，已知Vcc = 12V，晶体管的丄100 , 若测得 Ibq = 20 卩 A , Uce

21、q = 6V ,贝 V 巳=(A ) k QA、3; B、4; C、6 ; D、30011、在图示电路中，已知Vcc = 12V ,晶体管 的亠 100 , Rb = 100k Q o 当 Ui = 0V 时，测得 Ubeq = 0.6V ,基极电流Ibq = 20卩A ,当测得输 入电压有效值U i =5mV时，输出电压有效值U。=0.6V , 则电压放大倍数A = ( D ) oA、120 ; B、1 ; C、 -1 ; D、 -120 12、在共射放大电路中，若测得输入电压有效值Ui=5mV时，当未带上负载时输出电压有效值u。= 0.6V ,负载电阻Rl值与Rc相等，则带上负载 输出电压

22、有效值Uo = ( C ) V oA、1.2 ;D 、 -0.313.在图示放大电路中,0.6 ; C、0.3 ;A.放大 B.饱和 C.截止在图示放大电路中，1= 30 ,晶体三极管工作在A 状态。1214. 在图示放大电路中，1= 30,晶体三极管工作在（A）状态。+ 1 2VIK13#A.截止 B.饱和 C. 放大15. 在图示放大电路中，1= 30 ,晶体三极管工作在（A）状态。#17、三极管超过（C）所示极限参数时，必定被损坏。（BR）CEO ；A、集电极最大允许电流Icm ；B、集一射极间反向击穿电压UC、集电极最大允许耗散功率Pcm ；D、管子的电流放大倍数 一：。三、计算题1、

23、共射放大电路中， U=12V,三极管的电流放大系数 3 =40, rbe=1KQ, FB=300KQ , FC=4KQ , FL=4KQ。求（1）接入负载电阻 R前、后的电压放大倍数；（2）输入电阻m 输出电阻r。-Rbg n解：（1 ）接入负载电阻Rl前:Au= - 3 Rc/r be= -40 X 4/1= -160接入负载电阻Rl后：Au= - 3 (Rd/ R l) /r be= -40 X (4/14)11= -80(2)输入电阻 ri= r be=1KQ 输出电阻ro = R c=4KQUCc= 12V , FC = 4 k 门，R. = 4 k 门，吊2、在共发射极基本交流放大电

24、路中，已知=300 k ； ，be=1KQ, 3 =37.5 试求：(1) 放大电路的静态值(2) 试求电压放大倍数A。U CC - U be u cc&RbRb3 = 0.04300 103(mAIC -1B = 37.5 0.04=1.5 ( mA )Uce =Ucc -RJc =12-4 1.5 = 6 (V)(2) RRc/Rl=2(kC)代二-电二 -37.52 二-75% 13、在图示电路中，已知晶体管的一：=80 , r be = 1k Q , Ui = 20mV;静态时Ube = 0.7V , UCE= 4V, I B = 20 Ao求(1 )电压放大倍数(2) 输入电

25、阻(3) 输出电阻解:Au4.(2)R。: Rc RlRbRcr be/r be5 k1在图示电路中，80 2.5 二-2001k'1已知UCc= 12V ,晶体管的亠100 , RB =100k Q。求(1 )当Ui = 0V时，测得Ube = 0.7V，若要基极电流I B= 20卩A,则RB和Rw之和 金等于多少？而若测得UCe = 6V ,则Rc等于多少？(2)若测得输入电压有效值Ui =5mV时，输出电压有效值Uo =0.6V ,则电压放大倍数A等于多 少？若负载电阻Rl值与Rc相等，则 带上负载后输出电压有效值Uo等 于多少？)解：(1 )Rb =(Ucc -u be)/IB

26、 =565 ( k")丄Rc =Ucc - U CE / I 3 ( k")(2)代一丄 06120Ui 0.005UoRlU° = 0.3VRc+ Rl5、在共发射极基本交流放大电路中，已知UCc = 12V , FC = 4 k Q, R. = 4 k Q, R=300 k ", rbe = 1k Q ,3 =37.5，试求放大电路的静态值、电压放大倍数及输入电阻和输出电阻。解：|b 二Ucc -Ube 土 J=0.04 (mA )RbRb300如0lC 二-1B = 37.5 0.04=1.5 ( mA )Uce =Ucc -RcL =12-4.5

27、 = 6 (V)R. =RC R_ =2(g)A ="RcRl) _ 37.5 (4/4) _ 75be1ri=R 5=300/仁1 k 门r o= Rd =4 k 16、已知图示电路中晶体管的=100 , rbe=1k Q。( 1)现已测得静态管压降Uce = 6V ,估算Rb约为多少千欧；(2)若测得U i和U o的有效值分别J为1mV和100mV ,则负载电阻 R为多少千欧？nTBA*611TnTTJ.nu16#解：(1 )求解Rb#IcU CC _ U CERbRcU CC - U be-2mA, (2分),Ib-0.02mA(2)求解RL :Uo而AuRcRl12_0.6=

28、570k0.021001001Rl= -1oo RlrL =121电路如图所示，电路的静态工作点；（2）丄=.RL =1.5k1Rl晶体管的：=50 , r be=1K Q , U be - 0.7 V,电路的电压放大倍数A。o 久(+1 2V)+ 6叫UbRb1Rb1Rb2Vcc =2VIcIeU BQ _U BE 2 - 0.7Re-1.3A=15018Uce =Ucc -lc(RRe) =12-1.3 (5 1) =4.2 ( V)(2) rl=rc/rl=2.5 (g)"Rc Rl)be50 2.51-125198、图为分压式偏置放大电路，已知UCc=24V, RC=3.3K

29、 Q , RE=1.5 K Q , RB1=33KQ , RB=10 KQ , RL=5.1 KQ , 3 =66, U be = 0.7 V。试求：(1)静态值 I b、I c和 UCe； (2)画出微变等效电路。#解：（1）UbU ccRB1Rb2 = 5.58V#IcTE=/T3.2mAIb= 3.260.048mA#Uce 二Ucc -(RcRe)Ic =24-(3.3 1.5) 3.2 = 8.64/(2)9、图为分压式偏置放大电路，已知U=15V, RC=3KQ ,#RE=2KQ , RBi=25KQ , RB2=10KQ , RL=5 K Q , 3 =50 , r be=1K

30、Q , Ube =°.7 V。试求：(1)静态值Ib、Ic和UCe； (2)计算电压放大倍数Au。20#解：(1)UccUbccRb2 =4.3V仏1 + RB2cI eU B U beRe4.3 -0.72Uce 二Ucc -(FC Re)Ic =15-(3 2) 1.8 =6V(2)代- - Rl - -50 36 - -100rbe110、图为分压式偏置放大电路，已知 U=24V, FC=3.3K Q ,FR=1.5 KQ ,甩=33 KQ , FB2=10KQ ,R=5.1 K Q , 3 =60 , rbe=1K Q , Ub 0.7 V。试求：(1)计算电压放大倍数 Au

31、 ;(2)空载时的电压放大倍数Au0 ； ( 3)估算放大电路的输入电阻和输出电阻。5o3 3 H 5 1解：（1） Rl = RC / Rl2 （ k ）LL 3 . 3+5.1IA 退=-120（2）Au。二电=一198rbe（3）ri = rbe / Rb1 / Rb2 =133/10 1K1, r。： Rc =3. 3K 111、图为分压式偏置放大电路，已知UCc=12V, R=3KQ , Re=2 K Q , R1=20KQ , FL=10KQ , R=3KQ , 3 =60, r be =1K Q , U be = 0.7 V。试求：（1）画出微变等效电路；（2）计算电压放大倍数

32、Au ；（ 3）估算放大电路的输入电阻和输出电阻。+0 Uq3汉3(2) RL = RC/R_1.5( k. )3+3A = -= -60 3/3 二-90be1(3) ri = rbe/RB1 /RB2 =1/20/10 : 1K1, r0 : RC = 3K 1ri = rbe / Rb =1/300 =1K，r0 ： RC = 3K1,12、电路如图所示的放大电路中 ，己知晶体管的3 =50, UC=12V, rbe=1.5k Q , rl - ：:, R Bi=20k Q , R B2=ioo k Q , R e= 1.5k Q , R c= 4.5k Q。估算放大器的静态工作点。（取

33、U be二0.5 V）计算放大器的电压放大倍数A当输入信号Ui=10毫伏时，输出电压为多少 ？r20解： UbRB1Ucc12 = 2( v)RB1+RB220 +100故 u E= u B- U be= 2-0.5=1.5( v ) , I cIe=U e/R e= 1( mA )I b = I C 3 =20( 3 A ) ,U ce= U CC I C( R c+ R e)=6( V)电压放大倍数入一吟喘一 15。故 Uo= Au XU i = 1.5(V )第7章复习题一、填空题：1、 若要集成运放工作在线性区，则必须在电路中引入_深度负_反馈；若要集成运放工作在非线性区，则必须在电路

34、中引入_正_反馈或者在_开环工作_状态下。集成运放工作在线性区的特点是 输入电流一等于零和_输出电阻一等于零；工作在非线性区的特点： 一是输出电压只具有_两种一状态和净输入电流等于_零_;在运算放大器电路中，集成运 放工作在线性区，电压比较器工作在 _非线性区。2、 集成运算放大器具有 同相_和_反相两个输入端，相应的输入方式有_同相输 入、反相_输入和一双端一输入三种。3、 理想运算放大器工作在线性区时有两个重要特点：一是差模输入电压一相等 称为虚短二是输入电流_等于零_,称为虚断_。4、 理想集成运放的 Au0=_汽，i = _汽，0 = _0_, Kcmr =_8_。5、 一反相一比例运

35、算电路中反相输入端为虚地，_同相一比例运算电路中的两个输入端电位等于输入电压。_同相比例运算电路的输入电阻大，_反相比例运算电路的输入电阻小。6、 一同相一比例运算电路的输入电流等于零，_反相一比例运算电路的输入电流等于流过反馈电阻中的电流。_同相比例运算电路的比例系数大于 1,而_反相比例运算电路的比例系数小于零。7、 同相输入_运算电路可实现 Au> 1的放大器，_反相输入运算电路可实现 Au< 0 的放大器。8、_滞回一电压比较器的基准电压 Ur= 0时，输入电压每经过一次零值，输出电压 就要产生一次_跃变一，这时的比较器称为_过零一比较器。9、 集成运放的非线性应用常见的有

36、_单门限比较器_、_滞回比较器_和_方波一发生 器。二、判断下列说法的正确与错误：1、 电压比较器的输出电压只有两种数值。（对）2、 “虚短”就是两点并不真正短接，但具有相等的电位。（对）3、“虚地”是指该点与“地”点相接后，具有“地”点的电位。（ 错 ）4、集成运放不但能处理交流信号，也能处理直流信号。（ 对 ）5、集成运放在开环状态下，输入与输出之间存在线性关系。（ 错 ）6、同相输入和反相输入的运放电路都存在“虚地”现象。（ 错 ）7、理想运放构成的线性应用电路，电压增益与运放本身的参数无关。（ 错 ）8、各种比较器的输出只有两种状态。（ 对 ）三、选择题：1、 理想运放的开环放大倍数

37、Auo为（A）,输入电阻为（A）,输出电阻为（B ）。A、汽B、0;C、不定。2、 国产集成运放有三种封闭形式，目前国内应用最多的是（C）。A、扁平式；B、圆壳式；C、双列直插式。3、 由运放组成的电路中，工作在非线性状态的电路是（C）。A、反相放大器；B、差分放大器；C、电压比较器。4、理想运放的两个重要结论是（ B）。A、虚短与虚地；B、虚断与虚短；C、断路与短路。5、 集成运放一般分为两个工作区，它们分别是（B）。A、正反馈与负反馈；B、线性与非线性；C、虚断和虚短。6、（ B）输入比例运算电路的反相输入端为虚地点。A、同相；B、反相；C、双端。7、 集成运放的线性应用存在（C）现象，非

38、线性应用存在（B）现象。A、虚地；B、虚断；C、虚断和虚短。8、 基本积分电路中的电容器接在电路的（C）。A、反相输入端；B、同相输入端；C、反相端与输出端之间。四、问题：1、集成运放一般由哪几部分组成？各部分的作用如何？ 答：集成运放一般由输入级、输出级和中间级及偏置电路组成。输入级一般采用差动放大电路，以使运放具有较高的输入电阻及很强的抑制零漂的能力，输入级也是决定 运放性能好坏的关键环节；中间级为获得运放的高开环电压放大倍数（103107）, 一般采用多级共发射极直接耦合放大电路；输出级为了具有较低的输出电阻和较强的带负载 能力，并能提供足够大的输出电压和输出电流，常采用互补对称的射极输

39、出器组成；为 了向上述三个环节提供合适而又稳定的偏置电流，一般由各种晶体管恒流源电路构成偏 置电路满足此要求。2、何谓“虚地”？何谓“虚短”？在什么输入方式下才有“虚地”？若把“虚地” 真正接“地” ，集成运放能否正常工作？答：电路中某点并未真正接“地”，但电位与“地”点相同，称为“虚地”；电路中两 点电位相同，并没有真正用短接线相连，称为“虚短”，若把“虚地”真正接“地”，如反相比例运放，把反相端也接地时，就不会有ii=if成立，反相比例运算电路也就无法正常工作。3、集成运放的理想化条件主要有哪些？答：集成运放的理想化条件有四条：开环差模电压放大倍数 Au0=s；差模输入电阻5=8:开环输出

40、电阻 ro=0;共模抑制比 Kcmr=8。4、在输入电压从足够低逐渐增大到足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比 较器的输出电压各变化几次？答：在输入电压从足够低逐渐增大至足够高的过程中，单门限电压比较器和滞回比 较器的输出电压均只跃变一次。5、集成运放的反相输入端为虚地时，同相端所接的电阻起什么作用? 答：同相端所接电阻起平衡作用。Uo6、应用集成运放芯片连成各种运算电路时, 为什么首先要对电路进行调零？答：调零是为了抑制零漂，使运算更准确。五、计算题：1、图3-17所示电路为应用集成运放组成的 测量电阻的原理电路，试写出被测电阻Rx与电压 表电压Uo的关系。解：从电路图来看，此电路为一反

41、相比例运 算电路，因此：Uo芳卜一10玉2、图8-18所示电路中，已知 Ri = 2K" , Rf= 50,R2= 2K, R3= 18K,Ui = 1V，求输出电 压Uo。解：此电路为同相输入电路。18U _ =U1 =0.9V_2 185U0 二（1） 0.9 = 3.15V23、图8-19所示电路中，已知电阻 Rf = 5R1，输入电压 Ui = 5mV，求输出电压 U。 >OD +B_1+图 8-19解：Uoi=Ui=5mV= Ui2 ,第二级运放是反向比例运算电路，所以:U 0 = -5RlU i2 = -50 5 = -25mVR14. 已知如图所示，求输出 uo和

42、R。Uoi-解：本op amp进行的是加法运算u0 二-24 2 24 (-6) 24 6v 二-8v6 6 6R =6/6/6/24(K) =1.85K115. 电路如图所示，已知：Ri= 10K Q , R2=10K Q , R3= Rf=20K Q , ui=1.1V , U2=1V,求输出uo。Rf）比一査u。=（1 学）（占R R2 * R3Ri又因为 R1=R2, R3=RfRf20u。(u2 - u1)(1 - 1.1)v - -0.2vRi106电路如下图所示，已知R1= 10 k" , Rf = 50 Q。求：1. Af、R2 ;2. .若R1不变,要求Af为-10

43、,则一一Rf、. .R2一一应为多少?解：1. Af = -Rf R1 = -50 10 =-R2 = R1 Rf=10 50 (10+50) = &3 k1 12.因一Af 三.-Rf_/._R1.=.-RLJQ=. .-1.0. 故得. Rf.=.f 卫.R1 . =.-.0)110. =.100. .kR2 = 10100 (10 +100) = 9. 1 k?课后习题1、2、3第8、9章复习题一、填空题：1、 在时间上和数值上均作连续变化的电信号称为_模拟一信号；在时间上和数值上离 散的信号叫做_数字一信号。2、 在正逻辑的约定下，“1”表示_高_电平，“ 0”表示_低_电平。

44、3、 数字电路中，输入信号和输出信号之间的关系是逻辑一关系，所以数字电路也称 为_逻辑一电路。在逻辑_关系中，最基本的关系是 _与逻辑_、_或逻辑_和_非逻辑_关系， 对应的电路称为与门_或门和非门。4、功能为有1出1、全0出0门电路称为_或_门；相同出0,相异出1_功能的门电路是 异或门；实际中_与非一门应用的最为普遍。5、最简与或表达式是指在表达式中 与项一最少，且一变量一也最少。6、 在化简的过程中，约束项可以根据需要看作_0_或_仁。7、 用来表示各种计数制数码个数的数称为基数同一数码在不同数位所代表的 -位 权_不同。十进制计数各位的 _基_是10, _位权_是10的幕。&

45、_8421一 BCD码和_242仁码是有权码；_余3_码和格雷码是无权码。9、卡诺图是将代表_最小项一的小方格按_相邻一原则排列而构成的方块图。10、三极管在模拟电路中主要起 放大作用，在数字电路中主要起 开关作用。11、卡诺图是将代表 最小项的小方格按相邻原则排列而构成的方块图。12、 逻辑代数又称为_布尔一代数。最基本的逻辑关系有 _与_、_或_、_非_三种。常 用的几种导出的逻辑运算为 与非_、_或非_、_与或_、_同或_、_异或一。13. 逻辑函数的常用表示方法有逻辑表达式_、_真值表_、_逻辑图_。14、 逻辑代数中与普通代数相似的定律有_交换律_、_结合律_、_分配率。摩根定律 又

46、称为_反演定律_。15. 逻辑函数 F=A+B+Cd的反函数F = _ A B （c+ D ）_。16. 逻辑函数 F=A B C D +A+B+C+D= 1 _。17. 逻辑函数 f=aB Ab AB ab =_ 0 _。二、判断正误题（每小题1分，共8分）1、 组合逻辑电路的输出只取决于输入信号的现态。（对）2、 3线一8线译码器电路是三一八进制译码器。（错）3、 已知逻辑功能，求解逻辑表达式的过程称为逻辑电路的设计。（错）4、 编码电路的输入量一定是人们熟悉的十进制数。（错）5、 74LS138集成芯片可以实现任意变量的逻辑函数。（错）6、 组合逻辑电路中的每一个门实际上都是一个存储单元

47、。（错）7、 74系列集成芯片是双极型的，CC40系列集成芯片是单极型的。（对）&无关最小项对最终的逻辑结果无影响，因此可任意视为0或1。（对）9 逻辑变量的取值，1比0大。（错）10 异或函数与同或函数在逻辑上互为反函数。（对）11 若两个函数具有相同的真值表，则两个逻辑函数必然相等。（对）12.因为逻辑表达式 A+B+AB=A+B 成立，所以AB=0成立。（错）13 若两个函数具有不同的真值表，则两个逻辑函数必然不相等。（对）14 若两个函数具有不同的逻辑函数式，则两个逻辑函数必然不相等。（错）三、选择题（每小题2分，共20分）B )。1、逻辑函数中的逻辑“与”和它对应的逻辑代数运

48、算关系为A、逻辑加B、逻辑乘C、逻辑非29#2. 、十进制数100对应的二进制数为（C）。A、 1011110B、 1100010C、 1100100110001003、和逻辑式AB表示不同逻辑关系的逻辑式是（A、A BB、A *BC、 A *B BD、AB A#A、2个B、3个C、4个D、8个5、四输入的译码器,其输出端最多为（D )oA、4个B、8个C、10个D、16个6、一个两输入端的门电路，当输入为1和0时，输出不是1的门是（C)A、与非门B、或门C、或非门D、异或门7、数字电路中机器识别和常用的数制是(A )oA、二进制B、八进制C、十进制D、8.二进制（1010）2化为十进制数为：

49、(B )A. 20B. 10C. 8D.64、八输入端的编码器按二进制数编码时，输出端的个数是9.组合逻辑电路通常由（A ）组合而成。o卜六进制B )oA.门电路B.触发器C.计数器D.寄存器10.指出下列各式中哪个是四变量A、E、C、D的最小项（A、AEC;B、A+E + C + D;C、AECD;11. 当A=B=O时，能实现Y=1的逻辑运算为：(D )A. Y=A?B B. Y=A+B C. Y=A BD. 丫二 A B12. 下列哪种逻辑表达简化结果是错误的：(A )A. A+1=AB. A+AB=A C. A1 = A D. AA = A13、 和逻辑式 A + ABC相等的是(d

50、)o_A、ABC B、1+BCC、A D、A BC14、 二输入端的或非门，其输入端为A、B，输出端为Y,则其表达式Y= ( C )。A、AB B、Ab C、A B D、A+B15、逻辑函数F(A,B,C) = AB+B C+ AC的最小项标准式为( D )。A、F(A,B,C)=刀 m(0,2,4) B、F(A,B,C)=刀 m(1,5,6,7)C、F(A,B,C)=刀 m (0,2,3,4) D、F(A,B,C)=刀 m(3,4,6,7)16、高电平用1表示、低电平用0表示时，称为(B )逻辑。A 、负 B 、正 C 、反17、已知某电路的真值表如下表所示，则该电路的逻辑表达式为()。30

51、#(A) Y =C (B) Y 二ABC(C)Y 二 AB C(D) 丫二 BC C#ABCYABCY0 0 001 0 000 0 1r 11 0 1r 10 1 01 01 1 010 1 111 1 118. 最小项ABCD的逻辑相邻最小项是( a )oD. ABCDA ABCDB ABCDC ABCD19. 组合电路设计的结果一般是要得到( A )oA.逻辑电路图B.电路的逻辑功能C.电路的真值表D.逻辑函数式20、将二进制数01101写成十进制数应是( B )oA、 15B、 13C、 1121、 逻辑代数运算中，1+1 =( A )oA、 1 B、 2C、 323、逻辑代数运算中， A+A =( B )oC、A2A、 2A24、AB +BC +AC = （ a ）A、,AB + BCB、BC AC C、AB AC25、B C 二（b）A、ABB、AB c、A B26、数字电路有（B ）种电平状态。A、1B、 2C、 327.十进制数100对应的二进制数为（）。A. 1100100B . 1100010C. 101111028.符合“或”逻辑关系的表达式是（ B ）。A . 1 + 1 = 2B. 1 + 1= 1C. 1 + 1 = 0四、简述题（共8分）1、组合逻辑电路有何特点？分析组合逻辑电路的目