项目6示波器、电桥、晶体管图示仪的使用

1、项目项目6示波器、电桥、晶体管图示仪的使用示波器、电桥、晶体管图示仪的使用 相关知识专业技能知识拓展相关知识相关知识 lXJ4312型双踪示波器型双踪示波器 lQS18A型万能电桥型万能电桥 lXJ4810型晶体管特性图示仪型晶体管特性图示仪 XJ4312型双踪示波器型双踪示波器QS18A型万能电桥型万能电桥XJ4810型晶体管特性图示仪型晶体管特性图示仪XJ4810型晶体管特性图示仪型晶体管特性图示仪专业技能专业技能 l使用使用XJ4312型双踪示波器测量电压、型双踪示波器测量电压、频率和相位频率和相位 l使用电桥测量元器件参数（使用电桥测量元器件参数（R、L、C） l使用使用XJ4810型

2、晶体管特性图示仪测型晶体管特性图示仪测量晶体二极管、三极管、场效应管量晶体二极管、三极管、场效应管 双踪示波器的使用双踪示波器的使用 仪器使用前的自校仪器使用前的自校 l用本仪器的专用探极，分别接到Y1输入端和校正信号输出端。仪器各控制机件拨到适当位置。 l打开电源开关，指示灯亮，表示电源接通。l经过预热后，调节“辉度”“聚焦”电位器，使亮度适中，聚焦最佳，再调节“触发电平”使波形同步，呈现如图所示，说明仪器工作基本正常。双踪示波器的使用双踪示波器的使用 直流电压的测量直流电压的测量l将Y1（或Y2）轴输入耦合开关“DCAC”置于“”位置。此时显示的水平扫描线为零电平的基准线，其高低位置可用Y

3、轴“位移”旋钮调节。l将Y1（或Y2）轴输入耦合开关扳至“DC”位置，被测信号由相应的Y1（或Y2）输入端输入，此时扫描线在Y轴方向上产生位移。l将对应的“v/div”开关所指的数值（“微调”旋钮位于“校准”位置）与扫描线在Y轴方向上产生的位移格数相乘，即为测得的直流电压值。双踪示波器的使用双踪示波器的使用 交流分量电压测量交流分量电压测量l垂直系统的输入选择开关置于“AC”，“v/div”档级开关和“t/div”开关，根据被测信号的幅度和频率选择适当的档级，并将被测信号直接或通过101探极输入仪器的Y1（或Y2）轴输入端，调节“触发电平”使波形稳定。l根据屏幕上的坐标刻度，读显示信号波形的峰

4、峰值为Ddiv，如果仪器的“v/div”档级标称值为0.1v/div，则被测信号的的峰峰值应为： VP-P=0.1v/divDdiv=0.1DVP-Pl如果Y1（或Y2）输入端使用101的衰减探头，被测信号的峰峰值应为： VP-P=0.1v/divDdiv10=DVP-P双踪示波器的使用双踪示波器的使用 瞬时电压的测量瞬时电压的测量l测试瞬时电压首先应注意输入信号的幅度，选择合适的Y1（或Y2）偏转因数。同时还要选择相对的参考电位，通常是地电位，也可选择其它的参考地位。l测量步骤如下测量步骤如下：l将测试探头接入所需的参考电位，触发选择置于“自动”时出现一扫描线，调节Y1（或Y2）移位，使光迹

5、移到屏幕的合适位置（基准电平线），此时Y1（或Y2）移位不能再调节。l将探极接至被测信号端，调节触发电平，使波形稳定显示。l读出被测波形上某一瞬时相对于基准线在Y轴上的距离Bdiv（如图中的5div），则被测瞬时电压为：l被测瞬时电压=nAB。l式中：n为探极衰减比，A为Y轴v/div开关所处的档级双踪示波器的使用双踪示波器的使用 频率的测量（利用定量扫描法）频率的测量（利用定量扫描法）l频率的测量是通过信号周期T的测量，然后根据公式f=1/T，求出频率f的。l在测量信号周期时，把扫描微调处于校准位置，这样可以由扫描时间因数开关t/div所指的数值乘以波形在水平方向上一个周期所占的格数，直接计

6、算出被测信号的周期。l测量步骤如下测量步骤如下：l调节有关控制件使显示波形稳定，将“t/div”置于适当的档级b/div。l借助刻度即可读出波形的一个周期在X轴方向上的距离d（div）。l计算出被测信号的周期T=db。l若测量时X扩展装置“拉出10”，则测得的周期为：l T=0.1db。l根据公式f=1/T，求出被测信号的频率f即可。 双踪示波器的使用双踪示波器的使用 相位的测量相位的测量l垂直方向开关置于Y1 Y2，分别将两个信号输入Y1和Y2，使波形稳定。l调节Y1、Y2位移，使两踪波形均移到上下对称于00轴，从图中可知Y2信号滞后于Y1信号角，其中l=360A/B。使用电桥测量元器件参数

7、使用电桥测量元器件参数 电阻电阻R的测量的测量l（1）将测量选择开关拨到“R10”挡或“R10”挡位置。当拨在“R10”时，量程选择开关应相应拨到“1”或“10”位置；当拨在“R10”时，量程选择开关应相应拨到“10010M”范围内的位置。l（2）根据被测电阻值的大约数值，将量程选择开关拨在适当的挡位。l（3）调节电桥读数开关和读数度盘，使电表指针往零的方向偏转，再将灵敏度开到足够大，继续调节读数度盘，使电表指针往零的方向偏转（即电表的读数最小），当电桥达到最好平衡时，电桥读数开关和读数度盘所指示的数值即为被测电阻值。 即：被测量被测量Rx=量程选择开关指示值量程选择开关指示值（电桥读数开关示

8、值（电桥读数开关示值+读数度盘示值）读数度盘示值）使用电桥测量元器件参数使用电桥测量元器件参数 电感电感L的测量的测量l（1）将测量选择开关拨到“L”挡上。l（2）根据被测电感的大约数值，将量程选择开关置于适当的量程。 l（3）在测量空心线圈时，损耗倍率开关放在“Q1”挡，在测量高Q值线圈时，损耗倍率开关放在“D0.01”挡，在测量叠片铁心电感线圈时，损耗倍率开关放在“D1”挡位置。l（4）将损耗平衡旋钮放在“1”左右的位置，然后调节灵敏度旋钮，提高平衡指示器的灵敏度，使电表指针的偏转略小于满刻度。l（5）先将电桥读数开关放在0.9或1.0位置，然后调节读数盘和损耗平衡旋钮，使电表偏转最小，再

9、调节灵敏度旋钮，提高平衡指示器的灵敏度，使电表指针的偏转略小于满刻度，反复调节电桥读数度盘和损耗平衡旋钮，直至灵敏度旋钮开到足够满足测量精度，电表指示指零或接近于零的位置，此时即电桥达到最后平衡。即：被测量被测量Lx=量程选择开关指示值量程选择开关指示值（电桥读数开关示值（电桥读数开关示值+读数度盘的示值）读数度盘的示值） 使用电桥测量元器件参数使用电桥测量元器件参数 电容电容C的测量的测量l（1）将测量选择开关拨到“C”挡，损耗倍率开关放在“D0.01”（一般电容）或“D1”（大电解电容）的位置上，损耗平衡旋钮拨到“1”左右的位置上，损耗微调旋钮逆时针旋足。l（2）根据被测电容的大约数值，将

10、量程选择开关置于适当的量程。例如测量电容量为500pF左右的电容器时，量程选择开关应拨在1000pF位置上（1000pF是该挡量程的最大值）。l（3）调节微调灵敏度旋钮，使平衡指示器的灵敏度逐渐增大，一般使平衡指示电表的指针偏转略小于满刻度即可。l（4）首先调节电桥的读数开关和读数度盘，然后调节损耗平衡旋钮，并同时观察电表指针的转向，应使电表指示趋于零。然后再调节灵敏度旋钮，使平衡指示器的灵敏度增大，直至使指针偏转小于满刻度。反复调节电桥读数度盘和损耗平衡旋钮直至灵敏度开到足够满足测量精度时，而电表仍指零或接近于零，此时电桥便达到最后平衡。 即：被测量被测量Cx=量程选择开关指示值量程选择开关

11、指示值（电桥读数开关示值（电桥读数开关示值+读数度盘的示值）读数度盘的示值） 晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 测试前注意事项测试前注意事项l对被测管的主要直流参数有一个大概的了解和估计，特别要了解被测管的集电极最大允许耗散功率PCM，最大允许电流ICM和击穿电压BVCEO、BVEBO、BVCBO。l选择好扫描和阶梯信号的极性，以适应不同管型和测试项目的需要。l根据所测参数或被测管允许的集电极电压，选择合适的扫描电压范围。一般情况下，应先将峰值电压调至零，更改扫描电压范围时，也应先将峰值电压调至零。选择一定的功耗电阻，测试反向特性时，功耗电阻要选大一点，同时将X、Y偏转开关置于合适

12、的挡位，测试时扫描电压应从零逐步调节到需要值。l对被测管进行必要的估算，以选择合适的阶梯电流或阶梯电压，一般宜先小一点，再根据需要逐步加大。测试时不应超过被测管的集电极最大允许功耗。l在进行ICM的测试时，一般采用单簇为宜，以免损坏被测管。l在进行IC或ICM的测试中，应根据集电极电压的实际情况选择，不应超过仪器规定的最大电流。l进行高压测试时，应特别注意安全，电压应从零逐步调节到需要值。观察完毕，应及时将峰值电压调到零。晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 测试步骤测试步骤l按下电源开关，指示灯亮，预热15min后，即可进行测试。l调节辉度、聚焦及辅助聚焦，使光点清晰。l将峰值电压旋

13、钮调至零，峰值电压范围、极性、功耗电阻等开关置于测试所需位置。l对X、Y轴放大器进行10度校准。l进行阶梯调零：进行阶梯调零：未测试前，应首先调整阶梯信号起始级零电位的位置。当荧光屏上显示基极阶梯信号后，将测试台上“阶梯信号输入”开关置于“零电压”，观察光点停留在荧光屏上的位置，复位后调节“调零”电位器，使阶梯信号的起始级光点仍在该处，这样阶梯信号的“零电位”即被准确校准了。l选择需要的基极阶梯信号，将极性、串联电阻置于适合挡位，调节级/簇旋钮，使阶梯信号为10级/簇，阶梯信号置重复位置。l插上被测晶体管，缓慢地增大峰值电压，荧光屏上即有曲线显示。晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用

14、晶体管晶体管hFE和和值的测量值的测量l以NPN型3DK2晶体三极管为例，查手册得知3DK2 hFE的测试条件为VCE=1V、IC=10mA。将光点移至荧光屏的左下角作为坐标零点。仪器部件的位置详见左表。l逐渐加大峰值电压就能在显示屏上看到一簇特性曲线，如图所示。读出X轴集电极电压VCE=1V时最上面一条曲线（每条曲线为20A，最下面一条IB=0不计在内）IB值和Y轴IC值，可得lhFE=IC/IB=8.5mA/200A=42.5l若把X轴选择开关放在基极电流或基极电压位置，即可得到所示的电流放大特性曲线，即l=IC/IB 部件置位部件置位峰值电压范围010VY轴集电极电流1mA/度集电极极性

15、+阶梯信号重复功耗电阻250阶梯极性+X轴集电极电压1V/度阶梯选择20A晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 晶体管反向电流的测试晶体管反向电流的测试l以NPN型3DK2晶体三极管为例，查手册得知3DK2 ICEO、ICBO的测试条件为VCE=10V、VCB=10V。测试时，仪器部件的位置详见上表 。l逐渐调高“峰值电压”使X轴VCB=10V，读出Y轴的偏移量，即为被测值。测试曲线如图所示。l读数：ICBO=0.5A（VCB=10V）l ICEO=1A（VCE=10V） ICBOICEO峰值电压范围010V010V极性+X轴集电极电压2V/度2V/度Y轴集电极电流10A/度10A/度

16、倍率Y轴位移拉出0.1Y轴位移拉出0.1功耗限制电阻5k5k晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 晶体管击穿电压的测试晶体管击穿电压的测试l以NPN型3DK2晶体三极管为例，查手册得知3DK2 BVCBO、BVCEO、BVEBO的测试条件IC分别为100A、200A和100A。测试时，仪器部件的位置详见上表 。l逐渐调高“峰值电压”，测试曲线如图所示。l读数：BVCBO=70V（IC=100A）l BVCEO=60V（IC=200A）l BVEBO=7.8V（IC=100A） BVCBOBVCEOBVEBO峰值电压范围0100V0100V010V极性+X轴集电极电压10V/度10V/度

17、1V/度Y轴集电极电流20A/度20A/度20A/度功耗限制电阻1k5k1k5k1k5k晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 场效应管的测试场效应管的测试l将被测管S（E）、G（B）、D（C）分别插入测试插座的E、B、C插孔，按下测试选择按钮被测管一方的琴键，根据被测管沟道的性质，选择扫描电压极性。N沟道：扫描电压“+”，阶梯信号“-”；P沟道：扫描电压“-”，阶梯信号“+”。l调节X、Y轴位移，使光点N沟道位于左下方、P沟道位于右上方零点位置。l以N沟道3DJ7为例，说明场效应管的具体测试方法。测试时，仪器部件的置位详见左表。l缓慢调节“峰值电压”，荧光屏上即可显示IDS-VDS曲线

18、，如图所示。l如需显示转移特性曲线（VGS-ID曲线），仅需将X轴选择开关置于基极源信号挡位，即可读出VP、IDSS等参数。 部件置位部件置位峰值电压范围010VY轴集电极电流0.5mA/度(实为IDS值)集电极极性+重复-关开关重复功耗限制电阻1k阶梯极性-X轴集电极电压1V/度(实为VDS值)阶梯信号选择开关0.2V/度晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 稳压二极管的测试稳压二极管的测试l以2CW19稳压二极管为例，查手册得知2CW19稳定电压的测试条件IR=3mA。测试时，仪器各部件的置位详见左表。l逐渐增大“峰值电压”，即可在荧光屏上看到被测管的特性曲线，如图所示。 l读数：正向压降约0.7Vl稳定电压约12.5V 部 件置 位峰值电压范围AC010V功耗限制电阻5kX轴集电极电压5V/度Y轴集电极电流1mA/度晶体管特性图示仪的使用晶体管特性图示仪的使用 二簇特性曲线比较测试二簇特性曲线比较测试l以NPN型3DG6晶体三极管为例，查手册得知3DG6晶体管输出特性的测试条件VCE=10V、IC=10mA。测试时，仪器各部件的置位详见左表。l将被测的两只