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文档简介
1、ADS SPICE模型的导入及仿真SPICE模型的导入1、打开一个新的原理图编辑视窗,暂时不用保存也不要为原理图命名。2、导入SPICE模型:H I 0FP&4O_TESl_2OUOlO3.pj j untitled; (Schematic;Edit Gel met Vis/tf Insert Options Ioe-Je Layout irriulate Vlindo-w DynamicLink D-esignGuidNgyy DriHii.Ctrl+N2pen Design,Ctri+QCJose DesignRevert to Savd Design.-Save DesignQH+S&C
2、ave Decign 公静Save D右rigid As Template .亡0|卩忙0绘山9111Qelete Desig r.&Prints.Url+PPrint Ar&s.Prim Setup-.I mpoirt Export.1Reports11Designmeters.5o 土月曲岛、您瞬妙臼庫-0750. Z.S75inA/RF SrnSchemFSFICEImport Metlist OptionsV Fir?+ line is a. cfifMfiint两卩res? 爼1令 fnuppingTranslated Output FormatQ ALT Schematic wit
3、h nwsd coimaatioaCJ ADM丿Ojti sitsl Direetwy LfiCiti srDirectory To Store ADS Kstliit Cdafaulli to project directory) SMML-hO加誉宦 fcnt*-非申 CCj-icing pciHEd&no fljasaourao b 削“ w血祐雷4、为SPICE模型创建一个新的电路符号ADS原理图系统默认的电路符号如下:这里我们为BFP640创建一个新的NPN电路符号。1、 在原理图设计窗口中的菜单栏中选择【View】【Create/Edit Schematic Symbol命令中,出
4、现“ Symbol Generator ”对话框后,单击【OK按钮,出现 如上图所示的默认符号;2、 在菜单栏中选项【Select 【Select All 命令,并单击【Delete 按钮删除默认符号;3、在菜单栏中选择【View】 【Create/Edit Schematic Symbol】命令回到原 理图设计窗口;4、在原理图设计窗口中选择【File】【Design Parameters】,打开“ Design Parameters ”对话框;5、按照下图所示,设置对话框中的参数单击【OK按钮,保存新的设置并自动关闭对话框;6最后,单击【Save按钮保存原理图,电路符号就创建完成、直流仿真
5、1、在ADS主视窗下单击【File】【Newdesign】,在弹出的对话框中输入新原理图名称“ BFP640_DC”,并选择“ BJT_curve_tracer ”设计模版,女口下图所示:New Deiign“5亡1阳如一呦Cui vjlI IjilLchtniaii.ic VizudSclikMiilic录 Si n 4 n e Idll e f J ame(3i=Simrnsranceriamej4)=Simki nceNamflp J=, -.Simlnstanc&Nsrnel6 3、单击【Simulate】按钮进行DC仿真,仿真结束后将弹出Data Display窗口。“BJT_cur
6、ve_tracer. ”设计模版中包含显示模版,所以仿真结束后已有相关的 DC仿真结果参数,如下所示:我们选择在VCE=2V IC=20mA勺直流工作点下进行其他的设计。4、直流工作点仿真4.1、 保存当前的原理图,并另存为一个新的原理图“BFP640_DC_Bia”。4.2、删除参数扫描控件“ PARAMETER SWEEPS显示模版。将“VAR控件下的“ VCE更改为我们需要的“ VCE=2V,更改“ DC控件下的扫描参数为“ IBB”,开始为10uA ,结束为200uA, 步进为1uA o插入B极节点电压线符号“ VBE 。4.3、设置完后可单击【Simulate】按钮进行仿真设计完的原
7、理图如下所示:SRC1 -TJfL.I Trobe.ftDC-DC1 .SweepycLrieB. StartlO UiA . Stop-2C& uA uAVBE/ 9FP64-O23|J, Q1 Fl VAR .叫AR1VOE=2V5、1_DC -SRC2- 如B日】下打开M=1.【List】并插入VCE和IC.i参数。仿真结束后,在【从仿真结果我们可以看到使得IC.i为20mA的IBB和VBE值得:我们选择用5V电压为该NPN管配置直流偏置,可以计算偏置网络出 Rc和Rb的值。插入方程,并新打开一个“ List ”列表,如下所示:IBSic.iVBE9,600E-519 81 mA878.
8、6 mV9.7D0E519.93 mA679.2 mV9.800520.14 mA879 6 mV9.900E-520.31 mA830 0 mVw.oaciE-520.43 mA880,3 mV1.010E-420.65 mA630,7 mVIBBIC.iRb9.600E-59.70DE-59.800E-59.900E-510.000E-51.010E-419.81 mA 归一盹m氏 20.14 rnA 20.31 mA 2046 mA 20.55 mA1167B.86711554.5641W2.S3Q11313,50511196.75711032.271RC151.458 TETTT77
9、18 922 M7.692146.4S5145.301RC-3/lC.iRb=(2-VBE)/IBB可以看出直流偏置网络下,Rc=150 Ohm和Rb=11.6K时使IC约为20 mA。&带有偏置网络的直流工作点仿真6.1、保存当前原理图,并以新的设计名“ BFP640_DC_BiasNetwork另存该原理 图;6.2、删除 l_Probe , l_DC和 IBB,并添力卩 Rc=150Ohm和 Rb=11.6K,更改 VCE=5V 如下所示:6.3、单击菜单栏 “Simulate ”下的【Simulation Setup】,取消 “OpenData Displaywhe n simulatio n completes ”选项前的勾,仿真完成后,不会自动打来DataDisplay 窗口。6.4、 单击【Simulate】按钮进行仿真,仿真结束后,单击菜单栏“Simulate ” 下的【Ann otate DC Solution】,将在原理图的各节点显示电流和电压值。从仿真结果可知,IC=19.9mA,VCE=2.0V,IBB=96.6uA,VBE=87
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