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1、返回返回9.1 半导体的导电特性半导体的导电特性共价健共价健 Si Si Si Si价电子价电子 Si Si Si Si价电子价电子这一现象称为本征激发。这一现象称为本征激发。空穴空穴自由电子自由电子 Si Si Si Sip+多多余余电电子子磷原子磷原子在常温下即可在常温下即可变为自由电子变为自由电子失去一失去一个电子个电子变为正变为正离子离子 Si Si Si SiB硼原子硼原子空穴空穴空间电荷区也称空间电荷区也称 PN 结结 +形成空间电荷区形成空间电荷区 P接正、接正、N接负接负 IFPN+ 少子在电场少子在电场的作用之下，的作用之下，通过通过PN结进结进入对方，但少入对方，但少子数量

2、很少，子数量很少，形成的反向电形成的反向电流很小。流很小。IR+PND反向击穿反向击穿电压电压U(BR)反向特性反向特性UIPN+PN+定性分析：判断二极管的工作状态定性分析：判断二极管的工作状态导通导通截止截止 若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，若二极管是理想的，正向导通时正向管压降为零，反向截止时二极管相当于断开。反向截止时二极管相当于断开。例例1：D6V12V3kBAUAB+例例2:mA43122D IBD16V12V3kAD2UAB+V sin18tui t UZIZIZM UZ IZ + UIZZ ZIUrNNPBECBECIBIEICBECIBIEICEEBRBRC静态静

3、态(直流直流)电流放大系数电流放大系数:5 .3806. 030. 25 .3704. 050. 1 BCBCIIII ，动态动态(交流交流)电流放大系数电流放大系数:4004. 006. 050. 130. 2 BCII 即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子即管子各电极电压与电流的关系曲线，是管子内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，内部载流子运动的外部表现，反映了晶体管的性能，是分析放大电路的依据。是分析放大电路的依据。 重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线重点讨论应用最广泛的共发射极接法的特性曲线共发射极电路共发射极电路输入回路输入回路输出回路输出回路ICEBmA AVUCEUBERBIBECV+IB(A)UBE(V)204060800.40.8UCE1V常数常数 CE)(BEBUUfIIB=020A40A60A80A100A常数常数 B)(CECIUfI36IC(mA )1234UCE(V)9120放大区放大区 BCII_ BCII 53704051BC.II 400400605132BC .II ICBO A+EC AICEOIB=0+ICUC

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