第5章光电式传感器ppt课件

1、 Pursue breakthroughs in your life 1 Optimist: A man who gets treed by a lion but enjoys the scenery 2 光电式传感器光电式传感器3 目录目录v 光电管v光电倍增管v光敏电阻v光敏二极管和光敏晶体管v光电池v光电式传感器的应用v光电耦合器件(补)v 本章小结4 前前 言言v 光电式传感器是能将光能转换为电能的一种器件，简称光电器件。它的物理基础是光电效应 （Photoelectric effect ）。在现代测量与控制系统中，应用非常广泛。v测量非电量的特殊性：用光电器件测量非电量如转速、浊度等

2、时，首先要将非电量的变化转换为光量的变化，然后通过光电器件的作用，将光量的变化转换为电量的变化。5 v光的波粒二象性，光具有波动性和离子性的两重性质，是一种电磁波。光是由一定能量的粒子光子所形成，每个光子具有的能量h正比于光的频率h为普朗克常数）。v用光照射某一物体，可以看作物体受到一连串能量为h的光子所轰击，组成这物体的材料吸收光子能量而发生相应电效应。v光电效应就是指在光的作用下，材料或器件的电性能包括电导、电势、光电流等发生改变的特性。光电效应光电效应6 光电效应的分类光电效应的分类v外光电效应 external photoelectric effect v内光电效应 internal

3、photoelectric effect v阻挡层光电效应光生伏打效应photovoltaic effect 7 光电元件的优点光电元件的优点v响应快v结构简单v有较高的可靠性8 v在光线作用下使物体的电子逸出表面的现象称为外光电效应。v例如：光电管、光电倍增管v问题：什么条件下会出现外光电效应?外光电效应外光电效应9 光电管光电管结结 构构原原 理理光电管的伏安特性曲线光电管的伏安特性曲线充气光电管的优点及缺点充气光电管的优点及缺点10 结结 构构v光电阴极有的是贴附在玻璃泡内壁，有的是涂在半圆筒形的金属片上，阴极对光敏感的一面是向内的。v阳极是在阴极前装有单根金属丝或环状的金属丝。11 当

4、入射光照射在阴极上时，光子的能量传递给阴极表面的电子，当电子获得的能量足够大时，就有可能克服金属表面对电子的束缚逸出功而逸出金属表面形成电子发射。电子逸出金属表面的初速度由能量守恒定律得出： 由光电效应方程式可得出：照射在物体上的光线入射光通常不是单色光，而是含有多种频率的光。光电子逸出物体表面时具有出速度。当入射光频率大于该金属极限频率时，光强度再弱也能发射电子；当入射光频率小于该金属极限频率时，光强度再大也不能发射电子。 Ahmv221爱因斯坦光电方程工作原理工作原理12 v由于逸出功与材料的性质有关，当材料选定后，要使金属表面有电子逸出，入射光的频率有一最低的限度v当h小于A时，即使光通

5、量很大，也不可能有电子逸出，这个最低限度的频率称为红限。当h大于A时光通量越大，逸出的电子数目也越多，光电流I就越大。 13 v光电管的阴极和阳极分别接电源的负极和正极。v没有光照射时，因光电管光阴极不发射电子，电路不通；v有光照射时，光电阴极发射的光电子，在阳极高电位作用下形成光电流，可以在电阻R上取出与光电流成正比的信号电压。14 v 当光通量一定时，阳极电压与阳极电流的关系，叫做光电管的伏安特性曲线伏安特性曲线 当阳极电压较小时，只有一部分到达阳极，其余受光子在真空中运动时所形成的负电场作用，回到阴极； 随阳极电压的增大，光电流也增大； 当阴极发射电子全部到阳极时，阳极电流很稳定，达到饱

6、和。 15 充气光电管充气光电管v 除真空光电管外，还有一种充气光电管，它的构造和真空光电管基本相同，所不同的仅仅是在玻璃泡内充以少量的惰性气体，如氩或氖。v当光电极被光照射而发射电子时，光电子在趋向阳极的途中将撞击隋性气体的原子，使其电离，从而使阳极电流急速增加，提高了光电管的灵敏度。16 v充气光电管的缺点是其灵敏度随电压显著变化的稳定性、频率特性等都比真空光电管差。所以在测试中一般是选择真空光电管。电离导电电离导电17 光电倍增管光电倍增管v 在入射光极为微弱时，光电管能产生的光电流就很小，在这种情况下即使光电流能被放大，但信号与噪声同时被放大了，为了克服这个缺点，就要采用光电倍增管。1

7、8 光电倍增管结构、工作原理及图形符号光电倍增管结构、工作原理及图形符号19 光电倍增管组成光电倍增管组成v它由光电阴极、若干倍增极和阳极三部分组成。v光电阴极是由半导体光电材料制造的，入射光就在它上面打出光电子。v倍增极数目在414个不等。在各倍增极上加上一定的电压。v阳极收集电子，外电路形成电流输出20 各个电极所加电压情况各个电极所加电压情况v工作时，各个倍增电极上均加上电压，阴极K电位最低，从阴极开始，各个倍增极E1，E2，E3，E4(或更多)电位依次升高，阳极A电位电高。v这些倍增极在受到一定数量的电子轰击后，能放出更多的电子，称为“二次电子”。21 光电倍增管原理光电倍增管原理v倍

8、增极的特性：光电倍增管的倍增极设计成每个极都能接受前一极的二次电子，而在各个倍增极上顺序加上越来越高的正电压。v这样如果在光电阴极上由于入射光的作用发射出一个电子，这个电子将被第一倍增极的正电压所加速而轰击第一倍增极，设这时第一倍增极有个二次电子发出，这个电子又轰击第二倍增极，而其产生的二次电子又增加倍。v经过n个倍增极后，原先一个电子将变为n个电子这些电子最后被阳极所收集而在光电阴极与阳极之间形成电流。构成倍增极的材料的1，设 4，在n10时，则放大倍数为410106。可见，光电倍增管的放大倍数是很高的。22 v在光线作用下能使物体电阻值改变的现象称为内光电效应v例如：光敏电阻内光电效应内光

9、电效应23 光敏电阻光敏电阻v光敏电阻的工作原理v光敏电阻的结构v光敏电阻的主要参数v光敏电阻的基本特性24 光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理v光敏电阻是用光电导体制成的光电器件，又称光导管，它是基于半导体光电效应工作的。v光敏电阻没有极性，纯粹是一个电阻器件，使用时可加直流偏压，也可以加交流电压。25 光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理v当无光照时，光敏电阻值(暗电阻)很大，电路中电流很小。当光敏电阻受到一定波长范围的光照时它的阻值亮电阻)急剧减少，因此电路中电流迅速增加。光敏电阻的外形及其符号光敏电阻的外形及其符号26 =nqn+pqpH=hc/=Eg=hc/Eg 只要光子能量大于半

10、导体材料的禁带宽度，则价带中的电子吸收一个光子的能量后可跃迁到导带，并在价带中产生一个带正电荷的空穴； 这种由光照产生的电子空穴对增加了半导体材料中载流子的数目，使其电阻率变小，从而造成光敏电阻阻值下降； 入射光消失后，由光子激发产生的电子空穴对将复合，光敏电阻的阻值也就恢复原值。 光照愈强，阻值愈低。光敏电阻的工作原理光敏电阻的工作原理27 光敏电阻的结构光敏电阻的结构 半导体吸收光子产生的光电效应，只限于光照的表面薄层，因而光敏电阻器都制成薄片结构，以便吸收更多的光能； 为了获得高的灵敏度，光敏电阻的电极常采用梳状图案 在半导体光敏材料两端装上电极引线，将其封装在带有透明窗的管壳里就构成光

11、敏电阻；28 光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要参数v一、暗电阻v 光敏电阻在室温条件下，在全暗后经过一定时间测量的电阻值，称为暗电阻。此时流过的电流，称为暗电流。29 v二、亮电阻v 光敏电阻在某一光照下的阻值，称为该光照下的亮电阻，此时流过的电流称为亮电流。v三、光电流 v 亮电流与暗电流之差，称为光电流。v 光敏电阻的暗电阻越大，而亮电阻越小，则性能越好，也就是说，暗电流要小，亮电流要大，这样的光敏电阻的灵敏度就高。v实际上，大多数光敏电阻的暗电阻往往超过一兆欧，甚至高达100M。而亮电阻即使在正常白昼条件下也可降到lk以下，可见光敏电阻的灵敏度是相当高的。光敏电阻的主要参数光敏电阻的主要

12、参数30 光敏电阻的基本特性光敏电阻的基本特性一、伏安特性 二、光照特性 三、光谱特性四、响应时间和频率特性五、温度特性六、稳定性31 一、伏安特性一、伏安特性v 在一定照度下，光敏电阻两端所加的电压与光电流之间的关系，称为伏安特性光敏电阻的最高工作电压是由耗光敏电阻的最高工作电压是由耗散功率决定的。使用时应限制光散功率决定的。使用时应限制光敏电阻两端的电压，以免超过虚敏电阻两端的电压，以免超过虚线所示的功耗区。线所示的功耗区。给定偏压下，光照度越大，给定偏压下，光照度越大，光电流越大光电流越大32 光敏电阻的光电流与光强之间的关系。称为光敏电阻的光照特性。 由于光敏电阻的光照特性呈非线性，因

13、此它不宜作为测量元件，一般在自动控制系统中常用作开关式光电信号传感元件。 二、光照特性33 光谱特性曲线表示了不同材料对光波响应的波长范围。光敏电阻对不同波长的光，其灵敏度是不同的。 三、光谱特性三、光谱特性因而，在选用光敏电阻时，应该根据光源来考虑，这样才能得到较好的效果。 光敏电阻的相对灵敏度与入射波长的关系曲线。可见光区域可见光区域 （380-780 nm380-780 nm）红外区域红外区域 （0.76-1000 m）34 四、响应时间和频率特性v 实践证明，光敏电阻受到脉冲光照射时，光电流并不立刻上升到最大饱和值，而光照去掉后，光电流也并不立刻下降到零。 这说明光电流的变化对于光的变

14、化，在时间上有一个滞后，这就是光电导的弛豫现象。35 v光电导的弛豫现象：光电流的变化对于光的变化，在时间上有一个滞后惯性）v响应时间又分为上升时间tl和下降时间t2v 由于不同材料的光敏电阻具有不同的响应时间，所以它们的频率特性也就不尽相同了36 上升时间上升时间tltlv上升时间tl是指光敏电阻受到脉冲光照射时，其相对灵敏度上升到其最大值的63时所经过的时间37 下降时间下降时间t2t2v下降时间t2是指光敏电阻在去掉脉冲光时，其相对灵敏度下降到其最大值的37时所经过的时间38 v 上升和下降时间是表征光敏电阻性能的重要参数之一。v上升和下降时间短，表示光敏电阻的惰性小，对光信号响应快。v

15、一般光敏电阻的响应时间都较大(约几十到几百毫秒)。v光敏电阻的响应时间除了与元件的材料有关外，还与光照的强弱有关，光照越强，响应时间越短。39 五、温度特性 采取降温措施，可以提高光敏电阻对长波光的响应温度升高，光谱响应峰温度升高，光谱响应峰值向短波方向移动值向短波方向移动40 六、稳定性六、稳定性v 初制成的光敏电阻，由于其内部组织的不稳定性以及其它原因，光电特性是不稳定的。v当受到光照和外接负载后，其灵敏度有明显下降。在人为地加温、光照和加负载情况下，经过一至二星期的老化，光电性能逐渐趋向稳定以后就基本上不变了。41 光敏二极管和光敏晶体管光敏二极管和光敏晶体管v工作原理v基本特性42 工

16、作原理工作原理( (二极管）二极管）结 构原 理接接 法：反向工作法：反向工作43 v 光敏二极管在电路处于反向偏置，在没有光照射，反向电阻很大，反向电流很小，这反向电流称为暗电流。v当光照射在pn结上，光子打在Pn结附近，使Pn结附近产生光生电子和光生空穴对，使少数载流子的浓度大大增加，因此通过Pn结的反向电流也随着增加。v如果入射光照度变化，光生电子一空穴对的浓度也相应变动，通过外电路的光电流强度也随之变动，可见光敏二极管能将光信号转换为电信号输出。44 工作原理工作原理( (三极管）三极管）v原 理 光敏晶体管与一般晶体管很相似，具有两个pn结。 它在把光信号转换为电信号同时又将信号电流

17、加以放大。45 集电结反偏，发射结正偏。 当集电极加上相对于发射极为正的电压而不接基极时，基极一集电极结就是反向偏压。当光照射在基一集结上时，就会在结附近产生电子一空穴对，从而形成光电流，输入到晶体管的基极，由于基极电流增加，因此集电极电流是光生电流的倍所以光敏晶体管有放大作用。46 基本特性基本特性一、光谱特性 （光电流与入射光波长的关系）当入射光的波长增加时，相对灵敏度要下降(原因）当入射光的波长缩小时，相对灵敏度也下降(原因）47 入射光的波长增加入射光的波长增加, ,相对灵敏度要下降相对灵敏度要下降( (原因）原因） v这是容易理解的，因为光子能量太小，不足以激发电子空穴对。48 入射

18、光波长缩小，相对灵敏度也下降入射光波长缩小，相对灵敏度也下降( (原因）原因）v当入射光的波长缩小时，相对灵敏度也下降，这是由于光子在半导体表面附近就被吸收，透入深度小，在表面激发的电子空穴对不能达到Pn结，因而灵敏度下降。49 二、伏安特性二、伏安特性 光敏晶体管的光电流比相同管型的二极管大上百倍。 在零偏压时，二极管仍有光电流输出，而晶体管则没有。这是因为一定的偏置电压才能保证光敏晶体管的发射结处于正向偏置状态，集电结处于反向偏置状态。50 三、光照特性三、光照特性 光敏二极管的光照特性曲线的线性较好 硅光敏晶体管在大电流时存在饱和现象图中未显示）51 四、温度特性四、温度特性温度变化对光

19、电流影响很小，而对暗电流影响很大52 五、频率响应五、频率响应 光敏管的频率响应是指具有一定频率的调制光照射时，光敏管输出的光电流(或负载上的电压随频率的变化关系。光敏管的频率响应与本身的物理结构、工作状态、负载以及入射光波长等因素有关。对于锗管，入射光的调制频率要求在5000Hz以下，硅管的频率响应要比锗管好，实验证明，光敏晶体管的截止频率和它的基区厚度成反比关系。要截止频率高，基区就要薄，但这要使光电灵敏度下降。53 v在光线作用下能使物体产生一定方向的电动势的现象，称为阻挡层光电效应，阻挡层光电效应即光生伏打效应。 v例如:光电池54 光电池光电池v工作原理v基本特性光电池是一种不需要加

20、偏置电压而直接把光能转换成电能的光电器件；光电池在有光线作用下实质上就是电源。55 工作原理工作原理56 工作原理工作原理v当光照到pn结上时，如果光子能量足够大，就将在pn结区附近激发电于一空穴对。v在pn结电场作用下，n区的光生空穴被拉向p区，p区的光生电子被拉向n区。结果在n区就聚积了负电荷，带负电；p区聚积了正电荷，带正电。这样n区和p区之间就出现了电位差。v用导线将pn结两端用导线连接起来，电路中就有电流流过，电流的方向由p区流经外电路至n区。若将电路断开，就可以测出光生电动势。57 基本特性基本特性v一、光谱特性v二、光照特性v三、频率响应v四、温度特性v五、稳定性58 一、光谱特

21、性一、光谱特性 光电池对不同波长的光，灵敏度是不同的。从图可知，不同材料的光电池，光谱响应峰值所对应的入射光波长是不同的，硅光电池的光谱响应峰值在800nm附近，而硒光电池的光谱响应峰值在500nm附近。硅光电池的 光 谱 响 应 波 长 范 围 从 4 0 0 一1200nm，而硒光电池只能在380一750nm范围。可见硅光电池可以在很宽的波长范围内得到应用。59 二、光照特性二、光照特性结 论60 开路电压与短路电流开路电压与短路电流v开路电压：负载电阻RL无限大时光电池的输出电压v光电池的短路电流：是指外接负载电阻相对于它的内阻来说是很小时的整个回路的电流值。61 v开路电压与光照度的关

22、系是非线性的，而且在光照2000lx时就趋向饱和了。v短路电流与光照度成线性v因此光电池作为测量元件使用时，应把它当作电流源的形式来使用，利用短路电流与光照度成线性关系的优点。而不要把它当作电压源使用。62 二、光照特性二、光照特性负载越小，光电流与照度之间的线性关系越好，而且线性范围越宽63 三、频率响应三、频率响应64 v光电池作为测量、计算、接收器件时，常用调制光作为输入。v光电池的频率响应就是指输出电流随调制光频率变化的关系。v由图可知，硅光电池具有较高的频率响应，而硒光电池则较差。因而，在高速计数的光电转换中一般采用硅光电池65 四、温度特性四、温度特性66 v 光电池的温度特性是指

23、开路电压和短路电流随温度变化的关系。v开路电压随温度上升而下降很快v短路电流随温度的变化却是缓慢增加的v由于温度对光电池的工作有很大影响，因此当它作为测量器件应用时，最好能保证温度恒定或采取温度补偿措施。67 五、稳定性五、稳定性v 当光电池密封良好、电极引线可靠、应用合理时，光电他的性能是相当稳定的,使用寿命很长。v硅光电池的性能比硒光电池更稳定。v光电池的性能和寿命除了与光电池的材料及制造工艺有关外，在很大程度上还与使用环境条件有密切的关系。如在高温和强光照射下，会使光电池的性能变坏，而且降低使用寿命，这在使用中要特别注意。68 Dream what you want to dream;g

24、o where you want to go；be what you want to be;because you have only one life and one chance to do all the things you want to do. 69 光电式传感器的应用光电式传感器的应用v模拟式光电传感器的应用v脉冲式光电传感器的应用70 模拟式光电传感器的应用模拟式光电传感器的应用当带材处于平行光束的中间当带材处于平行光束的中间位置时，电桥处于平衡状态，位置时，电桥处于平衡状态，其输出信号为其输出信号为“0”。当带材。当带材向左偏移时，遮光面积减少，向左偏移时，遮光面积减少，角矩

25、阵反射回去的光通量增角矩阵反射回去的光通量增加，输出电流信号为加，输出电流信号为+I，当带材向右偏移时，光通量当带材向右偏移时，光通量减少，输出信号电流为减少，输出信号电流为-I ，这个电流变化信号由晶体放这个电流变化信号由晶体放大器放大后，作为控制电流大器放大后，作为控制电流信号，通过执行机构纠正带信号，通过执行机构纠正带材的偏移。材的偏移。71 脉冲式光电传感器的应用脉冲式光电传感器的应用v 脉冲式光电传感器是将光脉冲转换为电脉冲的装置v原理:在被测转速的电机上固定一个调制盘，将光源发出的恒定光调制成随时间变化的调制光,光线每照射到光电器件上一次，光电器件就产生一个电信号脉冲、经放大器整形

26、后记录。72 光电耦合器件光电耦合器件( (补补) )v概念概念v历史历史v分类分类73 概概 念念 (Photo Couple) (Photo Couple) v光电耦合器件简称光耦是把发光器件如发光光电耦合器件简称光耦是把发光器件如发光二极体和光敏器件如光敏三极管组装在一起，二极体和光敏器件如光敏三极管组装在一起，通过光线实现耦合，构成电通过光线实现耦合，构成电光和光光和光电的转换器电的转换器件。件。v 以光为耦合媒介，通过光信号的传递来实现输入以光为耦合媒介，通过光信号的传递来实现输入与输出间电隔离的器件，可在电路或系统之间传输与输出间电隔离的器件，可在电路或系统之间传输电信号，同时确保

27、电路或系统彼此间的电绝缘。电信号，同时确保电路或系统彼此间的电绝缘。74 光电耦合器内部结构图光电耦合器内部结构图 三极管接收型三极管接收型 4脚封装脚封装 当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体当电信号送入光电耦合器的输入端时，发光二极体通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，通过电流而发光，光敏元件受到光照后产生电流，CE导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏导通；当输入端无信号，发光二极体不亮，光敏三极管截止，三极管截止，CE不通。不通。75 历历 史史v光电耦合器件：光电耦合器件：70年代发展起来，为了使发光年代发展起来，为了使发光器与光接收器的波长匹配，发光元件选用发光

28、器与光接收器的波长匹配，发光元件选用发光二极管，光接收部分常选用部分硅光电二极管、二极管，光接收部分常选用部分硅光电二极管、光敏晶体管或光可控管光晶闸管等。光敏晶体管或光可控管光晶闸管等。v把不同的发光器件和各种光接收器组合起来，把不同的发光器件和各种光接收器组合起来，就可构成几百个品种系列的光电耦合器。就可构成几百个品种系列的光电耦合器。76 特特 点点 输入和输出端之间绝缘； 由于“光传输的单向性，所以信号从光源单向传输到光接收器时不会出现反馈现象，其输出信号也不会影响输入端； 可抑制干扰并消除噪音； 容易和逻辑电路配合； 响应速度快 ； 无触点、寿命长、体积小、耐冲击 。77 分分 类类v光隔离器：在电路之间以传送信息为目的，光隔离器：在电路之间以传送信息为目的，可实现电路间电气隔离和去除噪声影响。可实现电路间电气隔离和去除噪声影响。v光传感器：这是一种固体传感器，用以检光传感器：这是一种固体传感器，用以检测物体位置的有无。测物体位置的有无。78 光隔离器光隔离器