9电力电子技术ppt课件

1、GSDBECGEC AP1P2N1N2P1P2N1N2K GAPPNNNPAGKKA T2T1_P2N1N2IGIAP1N1P2IKG 在极短时间内使两个在极短时间内使两个三极管均饱和导通，此三极管均饱和导通，此过程称触发导通。过程称触发导通。G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii 2BG21ii EA+_R T1T2EG_+G21iG2iGi2BiEA+_R T1T2EG2BiG2iGiG21i_+G2Bii 1BG22Ciii 2C11Cii 2BG21ii G (1) (1)必需使可控硅阳极电流减小，直到正反响效必需使可控硅阳极电流减小，直到正反响效应不能维持。应不能维持。 (2

2、) (2)将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极将阳极电源断开或者在晶闸管的阳极和阴极间加反向电压。间加反向电压。URRMUDRMIG2 IG1 IG0 UBRIFUBOIHOUIIG0IG1IG2正向平均电流正向平均电流曲线曲线)(UfI )(sin21m0FIttdIIm IFt 2i假设正弦半波电流的最大值为假设正弦半波电流的最大值为Im, 那那么么普通晶闸管普通晶闸管IFIF为为1A 1000A1A 1000A。额定电压额定电压, ,用百位或千位数表示用百位或千位数表示取取UFRMUFRM或或URRMURRM较小者较小者额定正向平均电流额定正向平均电流(IF)(IF)晶闸管晶闸管K P

3、普通型普通型如如KP5-7表示额定正向平均电流为表示额定正向平均电流为5A,额定电压为额定电压为700V。(a) 构造图构造图(b)GA1PNPNA2NNN(b ) 符号符号TA2GA1(1) 电阻性负载电阻性负载。uuu T,0O。0,TO uuu+T tguO t1 2 。uuu T , 0O:1t 。0T,O uuu tuO晶晶闸闸管管不不导导通通。,00g1 ut t 。uuu T,0O tguO tOuO 控制角控制角 t1 tuO t22 tTuO导通角导通角 d21OtuU )d(sin221ttU 2cos145. 0LLOO RURUI2cos145. 0 UaRLD2T1b

4、+T1T2RLuOD1D2+bRLD1T2a+T1T2RLuOD1D2+ tguO tOu tuO tTuO2 d1OtuU )d(sin21ttUU 2cos19 . 0LO RURUI2cos19 . 0 U两种常用可控整流电路两种常用可控整流电路电路电路特点特点该电路只用一只晶闸管，且其上无反该电路只用一只晶闸管，且其上无反 向电压。向电压。2. 晶闸管和负载上的电流一样。晶闸管和负载上的电流一样。(1)uTD2D4uORL+-+-电路电路特点特点 1. 电路接入电感性负载时，二极管电路接入电感性负载时，二极管D1、D2起起 续流作用。续流作用。2. 由于由于T1的阳极和的阳极和T2的阴

5、极相连，两管控制的阴极相连，两管控制 极必需加独立的触发信号。极必需加独立的触发信号。(2)T1T2D1D2uuORL+-+-NPPN结结N型硅片型硅片2B1B1BBB1BRRRUU BBBB2B1BUURR UE UBB+UD = UP 时时 分压比分压比(0.5 0.9)(0.5 0.9)UBB+_+_RP+_+_RERB1RB2AUBB+_RP+_+_RE(3) 单结晶体管的伏安特性单结晶体管的伏安特性 维持单结管导通的最小维持单结管导通的最小 电压、电流。电压、电流。 IpIVV截止区截止区P(3) 不同单结晶体管的谷点电压不同单结晶体管的谷点电压UV和谷点电流和谷点电流IV都都 不一样。谷点电压大约在不一样。谷点电压大约在2 5V之间。常选用之间。常选用 稍大一些，稍大一些， UV稍小的单结晶体管，以增大稍小的单结晶体管，以增大输输 出脉冲幅度和移相范围。出脉冲幅度和移相范围。UVuguVRLR1R2RPCRuZT1D1D2T2u2+RU2MU2MuOuuRu2+uO+uZUZUP-