晶体硅太阳电池设计转换效率极限_第1页
晶体硅太阳电池设计转换效率极限_第2页
晶体硅太阳电池设计转换效率极限_第3页
已阅读5页，还剩20页未读， 继续免费阅读

下载本文档

版权说明：本文档由用户提供并上传，收益归属内容提供方，若内容存在侵权，请进行举报或认领

文档简介

1、专换效率极限与太阳电池设计原理> 一个自身能量高于带宽的光子产生一对或多对电子空穴对。能量阀值：1.124eV 300K1.052eV单声子辅助吸收0.987eV双声子辅助吸收自由载流子吸收 晶格吸收>】 W«uoQ.Qsqa00001ZOOK-*-This work-o- Green's Interpolaiion o1 MacFarlaneV、 t-ph©n on odgo2 phononodo*冲、3phon0nfrdge 、 4-phonon1 proc&ss-es120013001400（mA 伽 2）3 phonon bflundBO

2、OBOO 130UV (mV)A最大光生电流（纯硅）51.5mA/cm2,受自由载流 子吸收的限制，要得到这样的电流，硅片的厚度 需几米厚。A对于正常厚度的太阳电池（V1mm）,光的有限 吸收对电流的限制远远大于自由载流子吸收对电 流的影响。路电压的极限两个本征的复合原理：辐射复合，俄竭复合。111n+ 111111111111111P11111111111开路电压的极限低注入情况：少子的的浓度远低于电池内的多 子浓度。在假设电池前、后表面复合速率为零 的情况下，俄竭复合的极限暗电流为：Jo = (q%Po / 2 )7(Db / tb ) tanhOVy / LB ) rB=l/(LB7Vs

3、2) Voc = (KT ! q)Ln JL cotanh(yVB / LB) /(<?n0p() ylDBCB) Vc = 730mV (AT / )Lntanh(% / 5)SVOC 对于薄电池：Voc = 730mV + (AT/ q)LnLB /叫)实验所 WK?c=720mV路电压的极限高注入薄电池随着掺杂浓度的降低，由俄竭复合限制的Voc将提高， 掺杂浓度进一步降低使得电池进入高注入状态，止匕 时Voc将处于由上式表示的饱和状态。开路电压的极限Voc(mV)填充因子极限俄竭复合：低注入n=1咼注入Z23辐射复合：低注入和咼注入n=1 缺陷复合：低注入咼注入n=2最大FF极限：

4、高注入薄电池转换效率极限 VOC和ISC随电流厚度的变化趋势相反，所以对于转换效率存在着一个最 佳的厚度值：80pm, 28.8%。(渎)Ao匸OU芯thickness (microns)Isc的损失1.表面反射损失10%2表面电极遮光损失5-15%3. 不能充分吸收光的能量4. 体内复合5. 表面复合VOC的损失电池内的复合过程（表面、体内、pn结区）决定了VOC的 大小纟吉区孔切）VOC的损失eQV/kTqV/2kTFF的损失F耳F用一Q尸尼尸箱（%Z7）XML % G>Suns/Voc准lV曲线，准转换效率（Rs=O） >Rs:Voc处的斜率>Rsh:lsc处的斜率为什么太阳电池的颜色是深蓝色的？为什么需做绒面？为什么要控制好方块电阻？为什么要在电池背面印刷AI浆？正面电极栅线间的间距是如何决定的？为什么有时Rs很大，且通过烧结条件不能改善?太阳电池设计原理-需要考

人人文库> 全部分类> 应用文书 > 研究报告

温馨提示

  • 1. 本站所有资源如无特殊说明，都需要本地电脑安装OFFICE2007和PDF阅读器。图纸软件为CAD,CAXA,PROE,UG,SolidWorks等.压缩文件请下载最新的WinRAR软件解压。
  • 2. 本站的文档不包含任何第三方提供的附件图纸等，如果需要附件，请联系上传者。文件的所有权益归上传用户所有。
  • 3. 本站RAR压缩包中若带图纸，网页内容里面会有图纸预览，若没有图纸预览就没有图纸。
  • 4. 未经权益所有人同意不得将文件中的内容挪作商业或盈利用途。
  • 5. 人人文库网仅提供信息存储空间，仅对用户上传内容的表现方式做保护处理，对用户上传分享的文档内容本身不做任何修改或编辑，并不能对任何下载内容负责。
  • 6. 下载文件中如有侵权或不适当内容，请与我们联系，我们立即纠正。
  • 7. 本站不保证下载资源的准确性、安全性和完整性, 同时也不承担用户因使用这些下载资源对自己和他人造成任何形式的伤害或损失。

最新文档

评论

0/150

提交评论