LTEVOLITEMOS话音质量分析

1、1.1.1 无线侧优化eNodeB以下主要包含终端、空口及eNodeB的影响，主要定位流程和检查点如下：Step1：检查测试软件是否调优，最大是是否整体偏低；测试软件统计方面是不是有问题；如果为路测软件更换后恢复，则为路测软件问题，需软件厂家处理；Step2：隔离是否为终端问题，更换测试设备进行对比或者更换测试区域进行对比，如果更换测试终端恢复，则为终端问题；终端问题主要检查终端软件版本、终端能力等；如无法确认，需找终端厂商确认；Step3：空口问题隔离，分析路测数据进行RSRP、SINR、干扰、异常事件等的核查，如果不能满足阈值条件，则进行空口优化处理；Step4：在空口条件无异常的情况下，

2、需要检查基站状态，故障告警信息，基站版本确认，参数配置核查，确认是不是为基站问题，如果一切影响因素排查完毕后仍无法恢复，提单进行问题处理；l 终端侧拉网数据分析 丢包，点击Message选项下的IP Key Messages子选项可查看终端收发RTP包情况其中，Network-UE是指终端收到的网络下发的下行RTP包，若下行sequence number不连续，则说明网络侧有丢包，具体丢包位置需要基站及上层网元同时排查；UE-Network是指终端发送到网络侧的上行RTP包，若上行sequence number不连续，说明终端自身有问题： 时延：端到端时延是影响交互式语音通信质量的最重要因素之

3、一。它必须被控制在一个合理的值以内，否则收听的一方会误认为说话的一方还没有开始讲话而开口，但恰好此时另一方的通话也到了，从而发生冲突。从经验来看，当时延到达175ms、200ms的区间范围内时，MOS会有一明显的抖降，后续随时延增加MOS会持续维持抖降的过程。 抖动：也叫做时延的变化。是指在一个IP呼叫过程中所有发送的数据包到达的时间差异。当一个数据包发送时，发送端在RTP报文头上增加一个时间戳；当在另一端被接收时，接收端同样增加另一个时间戳；计算这两个时间戳可以得到这个数据包的通路时间。l eNodeB：eNodeB数据主要通过CELLDT数据进行上下游隔离分析。 丢包：基站TTI级跟踪（C

4、ellDT 138跟踪）是在基站侧PDCP层部署的跟踪，能够检测到核心网（S1链路）原因导致的下行丢包。比如下图中，显示时间点TTI：4486447到4492787之间，基站从核心网（S1链路）收到的数据有207个丢包，RTP SN为0x057a到0x0649。 时延：UE1（CRNTI:7183）和UE2（CRNTI:6058）互相做VoLTE语音，可以根据UE1上行数据包发送给核心网的时间，和UE2再从核心网接收到该数据包的时间之差，来查看核心网的延迟时间。比如下图中RTP SN=0x88e5的数据包在TTI209191805源侧上行发送给核心网，在TTI209191809在目的侧下行收到

5、，可以看到核心网的时延很短，只有4ms。 抖动，CellDT 138跟踪也能够判断eNodeB收到核心网（S1链路）的包是否有抖动。比如下图中，能够看到核心网的来包稍有抖动。1.2 影响因素和优化方法1.2.1 影响因素MOS影响因素多，考虑三网元、两管道，需要端到端拉通优化，无线+承载网性能是影响MOS指标的关键因素。具体如下图所示：两管道三网元通话中语音包的丢包率、时延、时延抖动、切换等，会影响到MOS分。因此，在MOS分析中，需要从这些指标方面分析对MOS影响。语音质量端到端各网元影响分析：设备影响因素终端硬件性能，参数设置，软件限制、测试软件影响空口参数配置，话务容量受限，覆盖差，外部

6、干扰，切换异常，版本问题eNodeB参数配置，工程错误，基站异常，版本问题承载网参数配置，容量或能力限制，传输质量问题CN参数配置、路由配置1.2.2 终端侧影响l 终端能力: 是否支持VOLTE、SRVCC、终端性能受限、兼容性等问题，导致MOS分问题发生。l 语音编码（VoLTE语音业务的编码为终端之间协商结果，一般为WB23.85K）目前VoLTE支持的主要语音编码类型： AMR WB，包括从6.6K23.85K的9种速率； AMR NB：包括从4.75K12.2K的8种速率； G.711编码：支持64K的PCM码流。 在覆盖较好区域和同等覆盖情况下（RSRP和SINR水平相当），语音编

7、码速率越高，MOS分越好。但在小区边缘和业务覆盖受限点，低编码速率的语音业务鲁棒性（健壮性）相对较好，在覆盖边缘的同等覆盖情况下，语音编码速率越低，MOS分越好。如下图所示，当Pathloss大于141dB的情况下，12.65k语音MOS比23.85k的要好。核心网是否做编解码转换。除了语音编码类型及速率外，语音编解码次数也对语音质量有直接的影响，端到端的语音会经过两次编解码，一次是在终端上，一次是在核心网。一般情况下，网络侧不进行编解码转换从而通过减少一次编解码来改善语音质量。VoLTE与VoLTE用户互通，SBC不做编解码转换 l 终端能力 VoLTE 能力查询。通过分析路测软件记录或者跟

8、踪消息中的ATTACH Request/TAU Request消息，查看可选信元Voice Domain Preference用于指示语音能力，具体值如下：Bit 位说明2100CS Voice only01IMS PS Voice only10CS voice preferred, IMS PS Voice as secondary11IMS PS voice preferred, CS Voice as secondaryMS not supporting IMS voice shall indicate “CS Voice only”.MS only supporting IMS voi

9、ce shall indicate “IMS PS Voice only”.当Voice Domain Preference显示01或11时，如果网络侧支持VoLTE，终端采用VoLTE方式发起呼叫。 UE是否支持SRVCC功能查询通过分析路测数据或者跟踪消息中UE开机发送Attach Request消息，Attach Request消息中携带相关关键信元MS Network Capability中的第21 Bit表示SRVCC to GERAN/UTRAN capability。上接入过程通过查看Initial Context Setup Request中是否携带SRVCC operatio

10、n possible信元来排查UE及MME是否支持SRVCC能力。l 语音编码方式在路测工具窗口中可以直接看到采用的语音编码方式，中国移动要求为WB AMR 23.85kbit/s编码方式：1.2.3 空口优化空口引入的问题较多，主要为覆盖和干扰、空口资源、网内切换、eSrvcc影响等， 主要影响和优化方法如下：1. 覆盖与SINR覆盖是影响MOS的最重要因素，弱覆盖直接影响到语音质量。移动要求MOS3.5分，对应的覆盖要求为RSRP-110dbm&SINR0db,在覆盖达不到此要求的情况下，MOS无法达到要求，且覆盖越好MOS值越高。 根据多次MOS值拉网分析MOS值随RSRP变化的分布，如

11、下图所示，可见RSRP低于-110dBm时，MOS分恶化较为明显。根据多次MOS值拉网分析MOS分随SINR分布如下图所示，可见SINR低于0时，MOS分恶化较为明显通过分析路测数据的上下行空口误码，针对丢包率高且MOS分低的区域，首先进行覆盖检查，满足下述判断条件则认为网络覆盖差：RSRP分布：RSRP -110dBm，SINR分布差：SINR 60%，就认为负载较高，可能应影响语音质量。需要进行高负荷场景下的参数配置核查。 该问题影响范围为高话务站点，基于eRan8.1版本解决方案有两个：方案一：执行VoLTE SR 优于数据业务SR调度优化参数，建议整网执行：MOD eNBCellRsv

12、dPara: LocalCellId=1-6, RsvdSwPara3=RsvdSwPara3_bit1-1;或者方案二：修改高话务站点子帧3/8，上下行CCE占比10:1，保证上行调度CCE充足MOD ENBCELLRSVDPARA:LocalCellId=3,RsvdPara52=10;3. 干扰影响上行干扰直接影响上行丢包，从而影响MOS值。根据小区受干扰水平分析MOS值随小区每RB平均干扰电平值变化分布如下图，可见平均每RB干扰电平值大于-105dBm时，MOS分恶化较为明显。 查看MOS分低点区域TOP小区的上行干扰话统数据，如果L.UL.Interference.Avg = -10

13、5dBm，则初步判断很有可能存在上行干扰； DT测试log中，查看终端上行发射功率是否存在大幅提升（表现为整网路测log的UE发射功率分布中，满功率比例明显增加，例如满功率比例增加15%以上），并且M2000上的上行接收SINR水平降低。当两者同时满足时，可以断定存在上行干扰，需要进行干扰排查； 4. 切换事件影响 分析路测数据，确认低分点评分周期内是否有切换慢、切换频繁、切换失败、eSRVCC切换或掉话等，从而确认切换是否为导致低分的原因 系统内切换过程中对MOS有影响：系统内切换对MOS值并不一定影响非常大，RSRP较好地方切换MOS值下降0.10.5，而乒乓切换影响较大，MOS值下降0.

14、51.5分。路测工具间隔10S采集一次MOS值（10S平均值），如果采集到切换过程的MOS，测试结果就会偏低。在分析路测数据时，需要关注低MOS区域是否有切换或者乒乓切换发生。 切换失败影响，UE收到切换命令后，启动T304（系统内500ms；到GERAN8000ms），定时器超时，仍然没有完成切换，UE侧丢弃切换命令里边携带的专用Preamble，恢复小区的原来配置，发起重建，重建期间的MOS会降低到1.5左右。 LTE语音评估算法使用POLQA算法进行评估，主要是用来评估WB的，而2G是属于NB的，用这种算法评估2G MOS值是不合适，MOS值下降1.52.0分，影响较大；如下图所示SRV

15、CC到2G后MOS值：5. 无线网络优化提升动作结合空口侧的影响因素，总结网络优化主要动作如下：序号 动作名称具体操作 1邻区优化 华为无线网络可以采用OMStar工具进行自动邻区优化，包括：1.多配、漏配同频邻区；2.异频邻区超过3个场景的优化；3. eSRVCC邻区优化。解决由于邻区漏配而导致的MOS问题 2PCI优化 使用SMARTRNO的PCI MOD3检查功能进行PCI检查和优化 3上行干扰优化 使用OMStar工具支持上行干扰的自动排查，包括杂散、互调等，发现并解决上行干扰问题 4基线参数核查结合参数配置基线检查参数配置 ，含eSRVCC、调度参数和算法、高负荷小区的参数设置、问题

16、规避参数设置等5功控参数优化针对大话务场景，调整功控参数P0NominalPUCCH=-113，设置过高，初始发射工具增加，提升呼叫建立成功率和减小接入时延，但是会增大上行干扰；设置过低，会降低呼叫建立成功率和增加接入时延。建议针对单小区语音同时在线40的小区进行调整 6切换优化 1. 优化乒乓切换参数（门限、磁滞、CIO等）;2.优化eSRVCC切换参数，包括A2门限、磁滞 7覆盖优化调整RF参数，包括方向角度、下倾角，解决过覆盖、弱覆盖问题，提升SINR和RSRP 1.2.4 eNodeB优化1. 算法特性限制l eNodeB基线参数配置，参考VOLTE参数配置基线描述，在网管平台上检查e

17、NodeB参数配置，详细参数见VoLTE参数配置基线（中移动.xlsx；涉及性能提升特性，建议现场根据基线配置建议，选择使用。l 调度特性影响：在预调度关闭或失效场景，终端上行发包会触发SR，如果出现SR持续漏检（干扰或弱覆盖引起），上行语音包迟迟得不到调度，就会出现上行语音包由于PDCP丢弃定时器超时而丢弃，该定时器默认为100毫秒。建议打开智能预调度开关；l 无线侧参数优化场景优化脚本参数作用CQI变步长调整开关MOD CELLALGOSWITCH: LocalCellId=x, CqiAdjAlgoSwitch=StepVarySwitch-1;用来控制变步长方案的打开和关闭。打开开关，

18、采用变步长调整方案，可加快IBLER的收敛速度，当IBLER的测量值与目标值相差比较大的时候，采用大的步长快速调整，当IBLER的测量值接近目标值的时候，采用小步长进行微调；关闭开关，采用固定步长调整。上行RLC分段增强MOD CELLULSCHALGO: LocalCellId=x, UlVoipRlcMaxSegNum=4;用于控制非TTI Bundling模式下VoIP业务上行RLC分段控制特性的开启以及配置上行最大RLC分段数。设置为0，表示不开启该特性；如果设置为X（X0），表示开启该特性，并且在非TTI Bundling模式下对VoIP业务的上行动态调度限制最大RLC分段数为X。2

19、. 基站小区状态核查测试前要确保基站状态正常，通过下告警判断：以下条告警可能影响语音MOS分，建议在网管进行重点排查：1. VoLTE语音呼叫流程进行VoLTE语音呼叫业务，需要用户已注册到IMS网络，通过LTE网络发起呼叫。通过SIP消息携带SDP信息，完成会话承载的协商，主要包括承载的IP地址、端口号、编解码类型、打包时长等信息。2. VoLTE语音质量关键指标VoLTE语音质量定界方案中，定界对部署方案的要求至少要保证S1-U、Mw或Gm接口至少有一个接口具有VoLTE语音呼叫媒体面测量能力。对于VoLTE与VoLTE互通场景、VoLTE与2/3G、PSTN互通场景，探针采集节点和语音质

20、量指标所表示的测量范围如下图所示：图 21 语音质量指标所表示的测量范围对于VoLTE与VoLTE互通场景，端到端的MOS和端到端的单通是根据RTCP消息统计的，RTCP消息也是UEUE的E2E透传，在话音流的探针采集节点都可以完成RTCP消息的获取。分段的IPMOS和分段的单通是根据RTP消息统计的，表示的范围为UE到RTP消息的采集节点。对于VoLTE与2/3G、CSFB或者PSTN互通场景，端到端的MOS和端到端的单通是根据RTCP消息统计的，具有发送RTCP的报文的网元包括VoLTE侧的UE和CS域的MGW，端到端范围实际为VoLTE的UE到CS域的MGW。分段的IPMOS和分段的单通

21、是根据RTP消息统计的，表示的范围为UE或者CS域的MGW到RTP消息的采集节点。对于VoLTE与VOBB互通场景，与2/3G互通场景类似。具有发送RTCP报文的网元为VoBB侧的SBC。端到端测量指标表示的范围为UE到VoBB侧的SBC，分段测量指标表示范围为UE或者VOBB侧的SBC到RTP消息的采集节点。VoLTE语音呼叫关键测量点，以S1-U接口为例：l 测量点1，呼叫的承载建立，用户面开始周期测量，包括周期内的RTP包数、抖动、时延和编解码信息进行测量、MOS、单通，记录开始时间l 测量点2，呼叫应答，此时对振铃阶段的用户面的测量进行重置，重新开始测量周期测量，包括周期内的RTP包数

22、、抖动、时延和编解码信息进行测量、MOS、单通。记录语音流的开始时间l 测量点3，呼叫的承载释放，用户面停止测量，记录结束时间l 呼叫结束后，对周期测量的MOS、单通记录做汇聚，填写呼叫单据CDR里，并且对整条语音流的RTP包数填写到呼叫单据CDR里对于VoLTE语音呼叫，根据RTCP报文的周期上报时间，把语音流做周期化处理。RTCP消息默认每5秒报一个，网络带宽状况不同会得到不同的RTCP周期时长。SEQ根据RTCP的周期性规律，使用周周期测量原理如下：l 对于呼叫过程中没有RTCP报文的呼叫, 无法做RTCP的周期测量, 语音流的CDR的MOS和根据RTCP得到的单通记录为0。l 对于不满

23、足最小测量周期的呼叫（即短呼），无法做计算周期性测量，语音流的CDR的MOS和根据RTCP得到的单通记录为0。注：周期最小时长默认4.5秒（可配置）、周期最大时长默认10.5秒（可配置）语音质量关键测量信息如下表：测量字段名称计算公式测量描述上行MOS均值每周期上行MOS的均值端到端的指标，表示本端发送的语音质量情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对接收方向RTCP报文计算，根据E-Model模型计算得到周期上行MOS下行MOS均值每周期下行MOS的均值端到端的指标，表示本端接收的语音质量情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对发送方向RTCP报文计算，根据E-Model模型计算得到周期下行MOS上

24、行IPMOS均值每周期上行IPMOS的均值分段指标，表示本端到采集节点发送的语音质量情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对发送方向RTP报文计算，根据E-Model模型计算得到周期上行IPMOS下行IPMOS均值每周期下行IPMOS的均值分段指标，表示对端到采集节点接收的语音质量情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对接收方向RTP报文计算，根据E-Model模型计算得到周期下行IPMOSRTP上行单通时长单通周期的时长累计值分段指标，表示本端到采集节点发送的语音单通情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对发送方向RTP报文计算，根据单通模型判断周期是否发生单通，并且记录持续时长RTP下行单通时长单通周

25、期的时长累计值分段指标，表示对端到采集节点接收的语音单通情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对接收方向RTP报文计算，根据单通模型判断周期是否发生单通，并且记录持续时长RTCP上行单通时长单通周期的时长累计值端到端的指标，表示本端发送的语音单通情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对接收方向RTCP报文计算，根据单通模型判断周期是否发生单通，并且记录持续时长RTCP下行单通时长单通周期的时长累计值端到端的指标，表示本端接收的语音单通情况。从应答开始到呼叫结束，周期性对发送方向RTCP报文计算，根据单通模型判断周期是否发生单通，并且记录持续时长RTCP上行包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对接收

26、方向的RTCP报文计算，根据报文中的最大包序号和发送方向的RTP报文包序号得到RTCP上行丢包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对接收方向的RTCP报文计算，根据报文中的累计丢包数得到RTCP下行包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对发送方向的RTCP报文计算，根据报文中的最大包序号和接收方向的RTP报文包序号得到RTCP下行丢包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对发送方向的RTCP报文计算，根据报文中的累计丢包数得到RTP上行包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对发送方向的RTP报文包序号计算得到RTP上行丢包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对发送方向的RTP报文包累计

27、不连续值计算得到RTP下行包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对接收方向的RTP报文包序号计算得到RTP下行丢包数通话过程累计值从应答开始到呼叫结束，对接收方向的RTP报文包累计不连续值计算得到3. VoLTE语音质量问题定界原理本文档的定界是针对VoLTE与VoLTE互通、VoLTE和CS/PSTN/VoBB互通场景，VoLTE呼叫侧语音质量问题的定界。不包括未部署支持VoLTE语音质量分析的VoLTE呼叫侧、CS/PSTN/VoBB的定界分析。本文档是对基于单接口的语音质量问题进行定界分析。探针系统支持EPC域和IMS域语音承载面的采集，具备探针部署的接口有： S1-U，Mw，Gm。对

28、于多个接口联合分析，可参考单接口的定界原理进行联合定界分析。探针系统支持VoLTE语音呼叫使用amr-wb和amr类型的编解码的MOS测量。当VoLTE语音呼叫的终端或者网元（如SBC、IM-MGW等）支持RTCP信息时，除RTP分段测量统计外，还可做UE到UE或者UE到网元的测量统计；否则，根据RTP信息做分段测量统计。1.1 质差MOS定界原理l 对单接口单据的不同节点的MOS进行有效性识别和差值计算l 根据不同接口的MOS差值和MOS所表示的测量范围，确定质差MOS的引入范围。1.2 单通问题定界原理对单通结果进行有效性识别，根据不同接口的是否发生单通标的差异与单通指标代表的测量范围，确

29、定单通问题的引入范围。4. 单接口定界方法1.1 上行质差MOS定界单接口上行质差MOS定界流程如下图：图 41单接口上行质差MOS定界流程l 第一步：判断上行MOS和上行IPMOS的有效性。当上行MOS大于0，则上行MOS有效，否则上行MOS无效；当上行IPMOS大于0，则上行IPMOS有效，否则上行IPMOS无效。l 第二步：判断上行MOS或者上行IPMOS是否质差使用上行MOS判断质差，当上行MOS无效时，使用上行IPMOS判断，方法：当上行MOS有效，并且上行MOS小于质差阈值（注释1），则上行MOS质差，否则上行MOS非质差；当上行MOS无效时，并且上行IPMOS有效，并且上行IPM

30、OS小于质差阈值（注释1），则上行IPMOS质差，否则上行IPMOS非质差。对于非质差的上行MOS和上行IPMOS，不需要定界分析。l 第三步：对质差呼叫单据做分段MOS损失计算采集接口以上MOS损失=当上行MOS并且上行IPMOS有效时，上行IPMOS-上行MOS；否则0采集接口以下MOS损失=当上行IPMOS有效时，编解码或者上行编解码平均速率对应的MOS分（注释2）-上行IPMOS；否则0上行编解码协商MOS损失=当编解码类型为AMR或者AMR-WB时，编解码起始MOS（注释3）-编解码或者上行编解码平均速率对应MOS（注释2）；否则0l 第四步：对质差呼叫单据做质差范围定界当上行MOS

31、质差，上行IPMOS无效时，无法准确定界质差引入范围。对采集接口以上MOS损失、采集接口以下MOS损失、上行编解码协商MOS损失取最大值，得到与最大值相应的主要质差引入范围。备注：注释1，参考质差MOS配置说明；注释2，参考编解码或者编解码平均速率对应的MOS分计算说明；注释3，编解码起始MOS计算说明1.2 下行质差MOS定界单接口下行质差MOS定界流程如下图：图 42单接口下行质差MOS定界流程 l 第一步：判断下行MOS和下行IPMOS的有效性。当下行MOS大于0，则下行MOS有效，否则下行MOS无效；当下行IPMOS大于0，则下行IPMOS有效，否则下行IPMOS无效。l 第二步：判断

32、下行MOS或者下行IPMOS是否质差使用下行MOS判断质差，当下行MOS无效时，使用下行IPMOS判断，方法：当下行MOS有效，并且下行MOS小于质差阈值（注释1），则下行MOS质差，否则下行MOS非质差；当下行MOS无效时，并且下行IPMOS有效，并且下行IPMOS小于质差阈值（注释1），则下行IPMOS质差，否则下行IPMOS非质差。对于非质差的下行MOS和下行IPMOS，不需要定界分析。l 第三步：对质差呼叫单据做分段MOS损失计算采集接口以下MOS损失=当下行MOS并且下行IPMOS有效时，下行IPMOS-下行MOS；否则0采集接口以上MOS损失=当下行IPMOS有效时，编解码或者下行

33、编解码平均速率对应的MOS分（注释2）-下行IPMOS；否则0下行编解码协商MOS损失=当编解码类型为AMR或者AMR-WB时，编解码起始MOS（注释3）-编解码或者下行编解码平均速率对应MOS（注释2）；否则0l 第四步：对质差呼叫单据做质差范围定界当下行MOS质差，下行IPMOS无效时，无法准确定界质差引入范围。对采集接口以下MOS损失、采集接口以上MOS损失、下行编解码协商MOS损失取最大值，得到与最大值相应的主要质差引入范围。备注：注释1，参考3.5节质差MOS阈值说明；注释2，参考3.5节编解码或者编解码平均速率对应的MOS分计算说明；注释3，参考3.5节编解码起始MOS计算说明。1

34、.3 上行单通定界单接口上行单通定界流程如下图：图 43单接口上行单通定界流程l 第一步：判断是否发生上行单通：当单通标记为上行单通或者双向不通时，则发生过上行单通；否则未发生上行单通，不需要定界分析，结束。l 第二步：判断是否发生上行单通（RTP）：当上行单通（RTP）时长0，则发生上行单通（RTP），定界结果为采集接口以下原因，结束；否则定界结果为采集接口以下原因，结束。1.4 下行单通定界单接口下行单通定界流程如下图：图 44单接口下行单通定界流程l 第一步：判断是否发生下行单通：当单通标记为下行单通或者双向不通时，则发生过下行单通；否则未发生下行单通，不需要定界分析，结束。l 第二步：

35、判断是否发生下行单通（RTP）：当下行单通（RTP）时长0，则发生下行单通（RTP），定界结果为采集接口以上原因，结束；否则定界结果为采集接口以上原因，结束。1.5 定界计算参考信息因为计算MOS的算法模型，可使用和P.863 SWB两种计算模式，默认使用P.863 SWB模式。需要提前获取MOS的评分模式。l 质差MOS阈值说明：当使用P.863 SWB，质差阈值使用2.0，当使用，质差阈值使用2.8。l 编解码或者编解码平均速率对应的MOS分计算说明，如下表：评分模式为P.863 SWB时：计算公式AMR-WB类型的速率对应的起始分：y=-0.0043*x2+0.1851*x+2.3566AMR类型的速率对应的起始分：y=-0.0078*x2+0.2422*x+1.421评分模式为时：计算公式AMR-WB类型的速率对应的起始分：y=-0.0093*x2+0.3652*x+0.8051AMR类型的速率对应的起始分：y=0.0108*x2+0.2749*x+2.3726表格 41 平均速率对应MOS分计算x表示平均速率，y表示某平均速率对应的mos分值。l 编解码起始MOS计算说明：当使用P.863 SWB模式，对于AMR-WB编解码起始分为4.349，对于A