模拟电路期中试卷含答案

1、苏州大学 模拟电子技术 课程期中试卷 共 5 页考试形式 开 卷 2014 年 11 月 院系 年级 专业 学号 姓名 成绩 一、（8分）什么是放大？放大的对象是什么？负载上获得的功率来自何处？答：放大指不失真地将微弱的电信号增强到人们所需要的数值。放大对象为电信号（电压、电流或功率）。负载上获得的功率来自直流电源的能量。二、（10分）半导体材料包括那几个种类？分别举例说明。答：包括纯净半导体（或本征半导体）和掺杂半导体（或杂质半导体）。纯净半导体又包括元素半导体和化合物半导体。元素半导体，如硅（Si）、锗（Ge）等；化合物半导体，如砷化镓（GaAs）等。掺杂半导体又包括N型和P型半导体。N型

2、半导体：比如在硅材料中掺杂五价元素如磷（P）、砷（As）或锑（Sb）等；P型半导体：比如在硅材料中掺杂三价元素如硼（B）或铟（In）等。三、（10分）说明二极管V-I特性在正向导通区和截止区内三种简化模型的名称，分别用代数表达式和函数曲线的形式描述这三种简化模型。答：理想模型，恒压降模型和折线模型，分别如下图所示。 四、（12分）图示电路中二极管为理想二极管。（1）判断二极管是否导通；（2）画出等效电路图；（3）求输出电压vO。解：（1）假设二极管D导通，则二极管可用短路线等效，其电流为iD=(9+6)3=1mA，和假设矛盾，所以二极管实际截止；（2）；（3）vO=6V。五、（10分）BJT共

3、射输出特性曲线上有哪几个工作区域？写出BJT的电压电流在这些工作区域内分别具备的特征。答：截止区，vBE< Von，vCE>vBE，iB=0，iC0。放大区，vBE³Von，vCE>vBE，iCiBICEO。 饱和区， vBE ³Von，vCE£vBE，iCiBICEO，vCEVCES。六、（8分）BJT的安全工作区由哪几个参数确定？答：集电极最大允许电流ICM、集电极最大允许功率损耗PCM、基极开路时集电极-发射极间的反向击穿电压VBR(CEO)。七、（8分）什么是放大电路的静态工作点Q？为什么要设置Q点？答：指放大电路在仅有直流电源激励时候各

4、个位置的直流电压电流（也称作偏置量或偏置点）。设置静态工作点的目的是为了将放大管设置在合适的工作区域（即放大区）。八、（10分）画出NPN型双极结型晶体管（BJT）的低频小信号电路模型，在模型中标注发射极、基极和集电极，以及交流小信号量vbe、ib、vce和ic，并写出基射极间交流小信号电阻rbe的估算表达式。答：参见教材 p.129 图4.3.12，p.130 式(4.3.7b)。九、（12分）一个三极管放大电路中，测得BJT三个引脚1、2、3对地电压分别为V1=0.7V，V2=0V , V3=5V，试分析1、2、3分别对应三极管的哪三个引脚，此BJT为NPN还是PNP管，是硅管还是锗管。答：硅NPN型三极管，1、2、3引脚分别是基极、射极和集电极。 十、（12分）图示电路中，已知BJT静态时VBEQ=0.7V，共射电流放大系数为=80，各电阻Rs=1.2k，Rb=500k，Rc=RL=5k，VCC=12V，各电容对交流可视作短路。小信号等效电路参数rbe=1.2k，rce忽略不计。（1）画出该放大电路直流通路图，并估算放大电路的静态工作电流、电压：IBQ、ICQ、和VCEQ；（2）作出该放大电路中频状态下的交流通路图和交流小