半导体器件(二极管三极管场效应管差动放大电路集成运放)解读

1、半导体基本知识和半导体器件（二极管、三极管、场效应管、集成运放）一、选择题:1、PN结外加正向电压时，A.不变 B.变宽2、PN结外反正向电压时，A.不变 B.变宽3、当环境温度升高时，二极管的反向饱和电流部的（）A.多数载流子浓度增大B.C.多数载流子浓度减小D.4、PN结反向向偏置时，其内电场被（A.削弱B.增强C.不变其空间电荷区（）OC.变窄D.无法确定其空间电荷区（）OC.变窄D.无法确定Is将增大，是因为此时PN结内少数载流子浓度增大 少数载流子浓度减小 ）。D.不确定5、在绝对零度（0K）和没有外界激发时，本征半导体中（）载流子。6、C.7、9、A.有B.没有C.少数D.多数集成

2、运放的输入级采用差分放大电路是因为可以（A.减小温漂B.增大放大倍数提高输入电阻D.减小输出电阻以下所列器件中，（）器件不是工作在反偏状态的。A光电二极管 B、发光二极管 C、变容二极管 D、稳压管 当晶体管工作在放大区时，（A.发射结和集电结均反偏C.发射结和集电结均正偏稳压二极管稳压时，其工作在）。B.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏）,A.正向导通区10、抑制温漂（零漂）A.差放11、在某放大电路中， 则这只三极管是（C.反向击穿区 ）电路。D.功率放大B.反向截止区 最常用的方法是采用（B.正弦C.数字测得三极管三个电极的静态电位分别为D.不确定A. NPN型硅管B.N

3、PN型锗管C.PNP型硅管D.PNP型锗管12、 某场效应管的转移特性如右图所示，该管为（） A. P沟道增强型MOS管 B.P沟道结型场效应管C.N沟道增强型MOS管D.N沟道耗尽型MOS管0 V, -10 V , -9.3 V ,O13、通用型集成运放的输入级采用差动放大电路，这是因为它的（ A .输入电阻高C.共模抑制比大B.输出电阻低D.电压放大倍数大14、如右图所示复合管，已知V1的A = 30, V2的P2 = 50,则复合后的哟为（）oA. 1500B.80C.50D.3015、发光二极管发光时，工作在（A.正向导通区B .反向截止区 C.反向击穿区16、当温度升高时，二极管反向

4、饱和电流将（A.增大B.减小C.不变17、场效应管起放大作用时应工作在漏极特性的（A.非饱和区B.饱和区C.截止区18、稳压二极管稳压时，其工作在（A.正向导通区B .反向截止区）。19、集成运放电路采用直接耦合方式是因为A.可获得较高增益C.在集成工艺中难于制造大电容20、测得BJT各电极对地电压为：Vb=4.7V，（。状态。A.截止B.饱和C.放大21、 FET（。控制器件。A.电流 B.电压C.电场22、通常要求运算放大器带负载能力强，A.电阻大 B.功率大23、二极管的电流方程是（D .不确定D.等于零D.击穿区C. 反向击穿区 D.饱和区（ ）B.可使温漂变小D. 可以增大输入电阻V

5、c=4.3V, Ve=4V ,则该 BJT工作在D.无法确定C.电压高）。uC. IS （e T 1）D.磁场在这里，负载的大小是指负载（D.功率小uB.lseVT）控制器件。B.电压 C.电场A. Iseu24、FET（ A.电流25、三极管工作在饱和状态的条件是（A.发射结正偏，集电结正偏C.发射结反偏，集电结反偏26、测得工作在放大状态的BJT三个管脚-3V，则1、2、3脚对应的三个极是（A.ebc B.ecb C. cbe27、稳压二极管是利用PN结的（D.磁场）。B.发射结正偏，集电结反偏D.发射结反偏，集电结正偏1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V，D.bec)。A.单向导电性

6、B.反向击穿性C.电容特性D.正向特性28、 测得工作在放大状态的BJT三个管脚1、2、3对地电位分别为0V，-0.2V， -3V，则1、2、3脚对应的三个极是（A. ebc B. ecb C. cbe D.bec29、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A.反向偏置击穿状态C.正向偏置导通状态30、当超过下列哪个参数时，三极管一定被击穿（A .集电极最大允许功耗PCM）。B.反向偏置未击穿状态D.正向偏置未导通状态）B.集电极最大允许电流I CMD. U （BR）C EOC.集一基极反向击穿电压U31、若用万用表测二极管的正、反向电阻的方法来判断二极管的好坏，(BR)CBO好的管子应为（

7、）A.正、反向电阻相等C.反向电阻比正向电阻大很多倍B.正向电阻大，反向电阻小D.正、反向电阻都等于无穷大2Uo =()。A . 2VDi,B.D2,32、电路如图1所示，设二极管D3的正向压降忽略不计，则输出电压B.反向偏置未击穿状态D.正向偏置未导通状态33、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（ A.反向偏置击穿状态C.正向偏置导通状态34、结型场效应管利用栅源极间所加的（） 来改变导电沟道的电阻。A.反偏电压35、场效应管是属于（。控制型器件。B.反向电流C.正偏电压D.正向电流A.电压 B.电流 C.电感 D.电容36、半导体稳压二极管正常稳压时，应当工作于（A. 反向偏置击穿状态

8、B. 反向偏置未击穿状态C. 正向偏置导通状态D. 正向偏置未导通状态37、测量某硅BJT各电极的对地电压值为Uc=6V , Ub=2V , U1.3V ，该管子工作在（）A.放大区B.截止区C.饱和区D.无法判断38、如图1所示复合管，已知Vi的3i = 30, V2的P2 = 50,则复合后的P约为（）。A. 1500B.80C.50D.3039、共模抑制比Kcmr越大,表明电路（0A.放大倍数越稳定B.交流放大倍数越大C.抑制温漂能力越强D.输入信号的差模成分越大二、填空题:40、根据是否掺入杂质，半导体可分为半导体和半导体两大类。41、N沟道场效应管中的载流子是，P沟道场效应管中的载流

9、子是42、图1所示处于反向截止状态的PN结，则a b两区分别是PN结的区、区。5.ab5T图143、PN结是靠多数载流子的运动和少数载流子的运动形成的。44、 PN结中内电场阻止 的扩散，推动 的漂移运动。45、 二极管的特性是，场效应管是控制型器件。46、 集成运放是多级耦合放大器。47、 BJT工作在放大区时，其发射结处于 偏置，集电结处于 偏置。48、 集成运放内部是一个具有高放大倍数的 耦合的放大电路，故它的主要缺点是，为了克服这一缺点，输入级一般采用电路提高放大倍数，中间级一般采用 负载，放大管多用 ；为了提高功率，输出级常采用 互补对称电路。49、 BJT是控制器件，FET是控制器

10、件。50、 用万用表的欧姆档对二极管进行正反两次测量， 若两次读数都为X,则此二 极管;若两次读数都接近零，则此二极管;若读数一次很大，一次读数小，则此二极管51、设如图3电路中,D1为硅二极管，D2为锗二极管，则D1处于状态,D2处于状态，输出电压Uo为伏。52、BJT工作在截止区时，其发射结处于置，集电结处于偏置。.状态，因此它的输入电阻比双极型三53、结型场效应管输入回路PN结处于_ 极管的输入电阻，集电结54、晶体三极管的输出特性曲线一般分为三个区， 即: 要使三极管工作在放大区必须给发射结加 加 55、测得工作在放大电路中的晶体管三个电极电位Ui，U2，U3分别为，Ui =6V,U2

11、 =11.3V,U3 =12V，J则此管是型三极管，材料为O56、理想运放有“虚短”即指和“虚断”即指两个重要特性，“虚57、5&作用是利用PN结的特性。地”的特殊情况。二极管最主要的特性是.在选用整流二极管时，主要应考虑参数 、。59、 在室温下，某三极管的|CBO=8 3，P=70，穿透电流为 mA 。另一只三极管的电流值：IB = 20MA 时 IC = 1.18m A、Ib= 80MA 时 Ic = 4.78m A，该管的 P = 。60、整流二极管的整流作用是利用 PN结的特性，稳压管的稳压三、判断题:61、运放的输入失调电压Uio是两输入端电位之差。（）62、63、因为N型半导体的

12、多子是自由电子，所以它带负电。 （） 本征半导体温度升高后，自由电子数目增多，空穴数基本不变。64、 P型半导体中的多数载流子是空穴，因此，P型半导体带正电。65、本征半导体不带电，P型半导体带正电，N型半导体带负电。66、N型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。67、P型半导体中的多数载流子是空穴，少数载流子是自由电子。(（ ）68、BJT的P值越大，放大能力越强，但在选用BJT时，并不是P值越大越好。（）69、发射结处于反偏的BJT，它一定工作在截止区。（）70、 BJT是由两个PN结组合而成的，所以将两个二极管对接，也可以当BJT使 用。（）71、BJT的输入电阻rbe是对

13、交流而言的一个动态电阻，在小信号情况下为常数。（）72、在三极管放大电路的三种基本组态中，共集电极放大电路带负载的能力最强。（ ）73、 二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）74、 处于放大状态的晶体管其基极电流同场效应管的栅极电流差不多。（）75、三极管是双极型管，属于电流控制器件；场效应管是单极性管，属于电压控制器件。（） 76、在运放电路中，闭环增益Qf是指广义的放大倍数。（）7、二极管的反向偏置电压升高时，其正向电阻增大。（）80、小功率晶体二极管2CP12的正向电流在20mA的基础上增加1倍，它的两 端压降也增加1倍。（）81、 双极型晶体管和场效应管都是电流控制型器件。（82、 处于线性工作状态的实际集成运放， 在实现信号运算时，两个输入端对地的 直流电阻必须相等，才能防止输入偏置电流带来误差。（四、分析作图题:83、画出图中各电路的Uo波形。设Ui=iosin 3 t（V）,且二极管具有理想特性。-OUo2DUi匕立R10K QD R l!10K Q-O10K Q LJ Uo1O84、电路如图（a）、（b）所示，稳压管的稳定电压UZ= 3V, R的取值合适，Ui的 波形如图（C）