模电第3章场效应答案_第1页
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文档简介

1、习题答案3.1 已知场效应管的输出特性或转移如题图3.1所示。试判别其类型，并说明各管子在UDS= 10V时的饱和漏电流IDSS、夹断电压UGSOff（或开启电压UGSth）各为多少。iD/mAiD/mA uGS/VuDS/VuGS/V(a)解：FET有JFET和MOSFET，JFET有P沟（UGS负）和N沟（UGS只能为正）。(c)只能为正）和N沟（UGS只能为负）之分。MOSFET中有耗尽型P沟和N沟（UGS可为正、零或负），增强型P沟（UGS只能为 图 (a)：N沟耗尽型MOSFET，IDSS=2mA,UGS(th)=-3V。 图 (b)：P沟结型FET，IDSS=3mA, UGS(th

2、)=3V。图 (c)：N沟增强型MOSFET，IDSS无意义 ，UGS(th)=1.5V。3.3已知各FET各极电压如题图3.3所示，并设各管的UGS(th)=2V。试分别判别其工作状态（可变电阻区，恒流区，截止区或不能正常工作）。3V5V-5V(c)0V (d)=2V，9V(a)(b) 题图解：图 (a)中，N沟增强型MOSFET，因为UGS=3V>UGS(th)UGD=-2V=UGS(th)=2V，所以工作在恒流区。图 (b)中,N沟耗尽型MOSFET，UGS=5V>UGS(th)=-2V，UGD=0V>UGS(th)=-2V，所以工作在可变电阻区。图 (c)中，P沟增强

3、型MOSFET，UGS=-5V<UGS(th)=-2V，UGD=0V>UGS(th)=-2V，所以工作在恒流区。图（d）中，为N沟JFET，UGS=-3V<UGS(th)=-2V，所以工作在截止区。3.5在题图3.5（a）和（b）所示电路中。DD(+10V)1kR1M(a)=5mV，UGS(off)=-5V。试求IDQ、UGSQ和UDSQ的=100A/V,UGS(th)=2.5V。试求IDQ、UGSQSS(-10V)(b)（1）已知JFET的IDSS值。（2）已知MOSFET的和UDSQ的值。 解(1)nCoxW2LUGSID=IDSS 1-UGS(offUGS=USS-IDR) 解得：IDQ=2.8mA,UGSQ=-1.2V,UDSQ=6V (2)3.12题图3.12电路中JFET共源放大电路的元器件参数如下：在工作点上的管子跨gm=1mS，rds=200k，R1=300 k，R2=100k，R3=1M，R4=10k，R5=2k，R6=2k，试估算放大电路的电压增益、输入电阻、输出电阻。解：Au=-gmRL

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