N沟道增强型高压功率MOS场效应晶体管SVF4N60D(F)(T)(K)(M)(MJ)说明书_1.2-L_图文

1、SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 4A、600V N沟道增强型场效应管 描述 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ N沟道增强型高压功率MOS场效应 晶体管采用士兰微电子的F-CellTM平面高压VDMOS 工艺技术制 造。先进的工艺及条状的原胞设计结构使得该产品具有较低的导 通电阻、优越的开关性能及很高的雪崩击穿耐量。 该产品可广泛应用于 AC-DC 开关电源，DC-DC 电源转换 器，高压 H 桥 PWM 马达驱动。 特点 4A，600V，RDS(on（典型值）=2.0 VGS=10V 低栅极电荷量 低反向传输电容 开关速度快 提升了 dv/dt 能力 命名规则 产品规格分

2、类 产 品 名 称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60K SVF4N60D SVF4N60DTR SVF4N60MJ SVF4N60M 封装形式 TO-220-3L TO-220F-3L TO-262-3L TO-252-2L TO-252-2L TO-251J-3L TO-251D-3L 打印名称 SVF4N60T SVF4N60F SVF4N60K SVF4N60D SVF4N60D SVF4N60MJ SVF4N60M 材料 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 无铅 包装 料管 料管 料管 料管 编带 料管 料管 http:/www.junyi- 版本号：1.2 2012

3、.01.18 共11页 第1页 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 极限参数(除非特殊说明，TC=25°C 参数范围 参 数 名称 符号 SVF4N 60T 漏源电压 栅源电压 漏极电流 漏极脉冲电流 耗散功率（TC=25°C） - 大于 25°C 每摄氏度减少 单脉冲雪崩能量（注 1） 工作结温范围 贮存温度范围 TC=25°C TC=100°C VDS VGS ID IDM PD EAS TJ Tstg 100 0.8 33 0.26 SVF4N 60F SVF4N 60D/M 600 ±30 4.0 2.5 16 7

4、7 0.62 217 -55+150 -55+150 86 0.69 95 0.76 SVF4N 60MJ SVF4N 60K V V A A W W/°C mJ °C °C 单位 热阻特性 参数名称 芯片对管壳热阻 芯片对环境的热阻 符号 RJC RJA 参数范围 SVF4N60T 1.25 62.5 SVF4N60F 3.85 120 SVF4N60D/M 1.61 110 SVF4N60MJ 1.45 110 SVF4N60K 1.32 62.5 单位 °C/W °C/W 关键特性参数(除非特殊说明，TC=25°C 参数名称 漏

5、源击穿电压 漏源漏电流 栅源漏电流 栅极开启电压 导通电阻 输入电容 输出电容 反向传输电容 开启延迟时间 开启上升时间 关断延迟时间 关断下降时间 栅极电荷量 栅极-源极电荷量 栅极-漏极电荷量 符号 BVDSS B 测试条件 VGS=0V，ID=250µA VDS=600V，VGS=0V VGS=±30V，VDS=0V VGS= VDS，ID=250µA VGS=10V， ID=2A VDS=25V，VGS=0V， f=1.0MHZ VDD=300V，ID=4A， RG=25 (注 2，3 VDS=480V，ID=4A， VGS=10V (注 2，3 最小值

6、600 -2.0 - 典型值 -2.0 449.7 57 2.0 15.7 37.3 19.1 19.3 8.16 2.63 3.01 最大值 -1.0 ±100 4.0 2.4 - 单位 V µA nA V IDSS IGSS VGS(th RDS(on Ciss Coss Crss td(on tr td(off tf Qg Qgs Qgd pF ns nC http:/www.junyi- 版本号：1.2 2012.01.18 共11页 第2页 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 源-漏二极管特性参数 参 数 名 称 源极电流 源极脉冲电流 源-漏二极管压

7、降 反向恢复时间 反向恢复电荷 注： 1. 2. 3. L=30mH，IAS=3.45A，VDD=155V，RG=25，开始温度 TJ=25°C； 脉冲测试： 脉冲宽度300s，占空比2%； 基本上不受工作温度的影响。 符 号 IS ISM VSD Trr Qrr 测试条件 MOS 管中源极、漏极构成的 反偏 P-N 结 IS=4.0A，VGS=0V IS=4.0A，VGS=0V， dIF/dt=100A/µs (注 2 最小值 -典型值 -190 0.53 最大值 4.0 16 1.4 -单位 A V ns µC 典型特性曲线 http:/www.junyi-

8、版本号：1.2 2012.01.18 共11页 第3页 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 典型特性曲线（续） http:/www.junyi- 版本号：1.2 2012.01.18 共11页 第4页 SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 典型特性曲线（续） 图9-3. 最大安全工作区域(SVF4N60D/M 102 此区域工作受限于RDS(ON 图9-4. 最大安全工作区域(SVF4N60MJ 102 此区域工作受限于RDS(ON 101 漏极电流 - ID(A 1ms 10ms 100µs 101 漏极电流 - ID(A 1ms 10ms 100µ

9、s 10 0 DC 10 0 DC 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 10-2 100 101 102 103 10-2 100 101 102 103 漏源电压 - VDS(V 漏源电压 - VDS(V 图9-5. 最大安全工作区域(SVF4N60K 102 此区域工作受限于RDS(ON 图 10. 最大漏电流vs. 壳温 4 101 漏极电流 - ID(A 1ms 10ms 0 100µs 3 漏电流 - ID(A 103 10 D

10、C 2 10-1 注： 1.TC=25°C 2.Tj=150°C 3.单个脉冲 1 10-2 100 101 102 0 25 50 75 100 125 150 漏源电压 - VDS(V 壳温 TC(°C http:/www.junyi- 版本号：1.2 2012.01.18 共11页 第5页 典型测试电路栅极电荷量测试电路及波形图 封装外形图 封装外形图(续 封装外形图(续 封装外形图(续 声明:士兰保留说明书的更改权,恕不另行通知!客户在下单前应获取最新版本资料,并验证相关信息是否完整和最新。任何半导体产品特定条件下都有一定的失效或发生故障的可能,买方有责任在使用Silan产品进行系统设计和整机制造时遵守安全标准并采取安全措施,以避免潜在失败风险可能造成人身伤害或财产损失情况的发生!产品提升永无止境,我公司将竭诚为客户提供更优秀的产品!SVF4N60D/F/T/K/M/MJ 说明书 附： 修改记录： 日 期 2010