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1、 光电二极管脉冲响应 1. 为了获得较高的量子效率，耗尽区宽度w必须大于1/s ， 以便可以吸收大部分的光 2. 同时如果w较大，会让二极管结电容C变小，于是RLC常数 变小，从而得到较快的响应 3. 但是过大的w会导致渡越时间的增大：td = w/vd 折衷取值范围：1/s < w < 2/s 带宽 设RT是检测器电路电阻，CT是光电二极管结电容和放大器 输入电容之和，则检测器可以近似为一个RC低通滤波器，其 带宽为： B= 1 2RT CT 例：如果光电二极管的电容为3 PF，放大器电容为4 PF，负载 电阻为1 K欧姆，放大器输入电阻为1欧姆，则CT = 7 PF，RT =1
2、 K欧姆，所以电路带宽： B= 1 = 23 ( MHz 2RT CT 如果将负载电阻降为50欧姆，电路带宽增加为455 MHz。 6.4 InGaAs APD结构 结构 一种广泛应用的吸收和倍增分离的结构 光输入 InP 衬底 InP 缓冲层 InGaAs 吸收层 InP 倍增层 金属电极 特点： 工作波长在11001700 µm 高量子效率 低暗电流 高雪崩增益 6.5 温度对雪崩增益的影响 回顾M与VB的关系： M= 1 n 1 (V / VB 其中，VB与温度的关系： VB (T = VB (T0 1 + a(T T0 参数n也随温度变化： n(T = n(T0 1 + b(T T0 a, b为常数。 温度降低，电离速度变快，APD增益会增加。为保证温度变
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