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文档简介

p书129 3-6 l =0 沟道长度调制效应忽略不计， I GQ = 0 VGS RG 2 VDD = - (- I DQ RS ) = -4 + I DQ (V ) RG1 + R G2 ID = 设MOS管工作在饱和区，则 m nCoxW 2 2l (V GS - VGS (th ) = 0.08(VGSQ + 1.5) (mA ) 2 ) 由图及上述分析结果得 VDSQ = VDD - (- IDQ )(R D + RS ) = -5.99 满足 VDS > VGS - VGS (th ) 假设成立 ì I DQ = 0.37m A 联立求解上述方程： í îVGSQ = -3.63V ì I DQ = 17.14m A í îVGSQ = 13.14V (舍去) gm » 2 mCoxW 2l I DQ » 0.34m A l » 0 则 rds = 1/(lI DQ ) ® ¥ 因为，

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