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文档简介

1、静电放电(ESD)现象瞬间产生的上升时间低于纳秒(ns)、持续时间可达数百纳秒且高达数十安培的电流，会对芯片造成损伤。 最有效的方法是使用保护元件来将电流导离较敏感的元件。也就是在电子系统的连接器或端口处放置ESD保护元件，使得电流流经保护元件，且不流经敏感元件，以维持敏感元件的低电压，使其免受ESD应力影响，进入有效控制ESD事件的发生 图一图二 ESD图二展示在输入或输出引脚通常用二极管和电阻来保护，二极管用n+到p衬底构成，电阻一般直接用p阱构成。图三 ESD常见保护原理ADS800ESD保护：对于GND管脚，一般用三极管作为二极管作用来钳位保护。当电压低于-图三 GND保护图四 输出管

2、脚保护 输出管脚主要还是有MOS管构成二极管起到保护作用。前面那部分是OE控制输出状态。其他ESD保护元件压敏电阻：为双向保护元件，在低电压时，呈现出高电阻，其中的每个小型二极管两端的电压都相当低，同时电流也相当小；而在较高电压时，其中的独立二极管开始导通，同时压敏电阻的电阻会下降。聚合物：带导电粒子的聚合物，在正常电压下，这些材料拥有相当高的电阻，但当发生ESD冲击时，导电粒子间的小间隙会成为突波音隙阵列，从而带来低电阻路径瞬态电压抑 制器(TVS)：采用标准与齐纳二极管特性设计的硅芯片元件。TVS元件主要针对能够以低动态电阻承载大电流的要求进行优化 。静电放电一般有两种破坏：一是由高电压引起栅级电介质破坏；二是由热量引起的物质熔化（H=J*E）测试ESD鲁棒性最主要的工业测试主要是HBM、MM、CDM。HBM是测试ESD最具资格

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