微电子技术未来发展趋势及挑战ppt课件

1、西南科技大学理学院西南科技大学理学院 2019.4.16微电子技术的四个开展方向微电子技术的四个开展方向主要内容开展中的难题和挑战开展中的难题和挑战半导体技术的运用开展趋势 近近30年来，集成电路技术不断按照年来，集成电路技术不断按照摩尔定律摩尔定律向前开展。集成电路工艺中的特征尺寸更小，集向前开展。集成电路工艺中的特征尺寸更小，集成密度更高，集成电路资料趋于多元化不再仅成密度更高，集成电路资料趋于多元化不再仅仅是硅基、二氧化硅和铝引线等，集成的元件仅是硅基、二氧化硅和铝引线等，集成的元件种类更多各种传感器，集成的系统更为复杂、种类更多各种传感器，集成的系统更为复杂、庞大，集成电路的功能更为完

2、善和强大一个芯庞大，集成电路的功能更为完善和强大一个芯片就是一个独立完好的系统片就是一个独立完好的系统-SOC，集成系统，集成系统的功耗更低，成为半导体工业微电子工业根的功耗更低，成为半导体工业微电子工业根本开展趋势。本开展趋势。 德州仪器(TI)开发商大会2019年5月26日起在中国召开。 在深圳的首场报告中，TI 首席科学家方进 (Gene Frantz) 和与会者分享了2020年半导体产业开展趋势，论述科技将如何改动未来生活，并展现了一系列极富创意和前瞻性的崭新思想，将群众带入2020年的未来科技世界。这是半导体科技界让人充溢期望的一次盛宴。 方进指出，随着对视讯影像、车用电子、通讯设备

3、、工业运用及医疗电子等相关运用的需求提升，全球 DSP、微控制器和模拟元件的需求继续以惊人的速度攀升，到2020年，全球嵌入式处置器市场将拥有突破300亿美圆的市场商机，模拟市场那么有超越1000亿美圆的市场规模。 绿色安装、机器人技术、医疗电子等相关运绿色安装、机器人技术、医疗电子等相关运用，将成为用，将成为2020年驱动市场生长的主要动年驱动市场生长的主要动力。力。关于半导体科技未来开展趋势，方进以为，关于半导体科技未来开展趋势，方进以为，到到2020年，集成电路年，集成电路 (IC) 技术将开展到非技术将开展到非常精细的程度，在许多方面会产生革命性常精细的程度，在许多方面会产生革命性的变

4、化的变化多核趋势及灵敏的协处置器革命 并行处置带来半导体性能的疾速提升，未来 IC 产业通用性将变得极其重要，系统需求更多灵敏可编程的 DSP 核，并添加优化的可编程的协处置器，以迎接未来创新运用所带来的高效严峻挑战。 低功耗节能时代到来 半导体器件功耗将到达每18个月缩减一半，这使得永续设备成为能够，某些情况下电池将被能源去除技术及能源存储单元所替代。 SiP 技术普及 未来运用尖端的叠层裸片技术 (SiP) 进展集成将与嵌入式片上系统 (SoC) 一样普遍，SiP 技术可以节省主板空间、减少组件数目，允许不同技术包集成，大大简化开发时间和本钱。 “科学演进与技术创新将大大改动人类的生活方式

5、，人类将会从全方位体验的科技革命中受害无穷。 作为业界公认的科技创新者，TI 努力于一系列尖端科技运用的研发以提升人类生活质量，包括： 绿色安装 TI 不断努力于环境维护与全球绿色工程相关产品的研发与投入，如替代能源、高效动力产品、优化的照明方案和永续设备等。 机器人技术 机器人技术将大幅提升工业消费的自动化和人类生活的便利化，TI在替代人类及肢体操作如眼睛、腿臂、器官等和人机交互直接接口方面进展探求，使科技的提高与创新更好地效力于人类的消费与日常生活。 医疗电子革命 人类对生活质量提升的诉求，推进医疗电子革命。各种自动化的医疗设备及视频安装，使人们不用亲赴医院就诊。基于TI技术研发的各种医疗

6、成像设备、超声设备、自动延伸的心脏除颤器等手持医疗设备及远端视频安装，为人类的安康与新的医疗科技革命推波助澜。 1 器件尺寸不断减少，目前器件特征尺寸已进入纳米量级。器件尺寸继续减少将遇到很多物理问题和技术挑战。2 集成度不断提高，目前曾经可以把整个电子系统或子系统集成在一个芯片里，构成集成系统芯片SOC3 与集成电路技术相关的新资料不断涌现，高K栅介质、低K互连介质、新型化合物半导体资料等都成为目前的研讨热点。4 微电子与其他学科结合诞生新的交叉学科，也是21世纪的重要开展方向，例如集成光电子学、微机械电子学MEMS、纳电子学等。 器件尺寸继续减少将遇到很多物理问题和技术挑战，为理处理这些问

7、题和挑战，必需进展新器件、新构造、新工艺等研讨。 第一个关键问题：超浅结构成 随着沟道的减小，会发生短沟道效应为了得到低薄层浅结，必需采用高剂量低能量离子注入技术。100nm技术所需的结深大约为2030nm,掺杂浓度为11020个/cm.RF: Radio frequency; MW: Microwave; IR: infrared; and UV: ultraviolet 极度紫外光刻 Extreme UV (EUV) lithography X射线光刻 X-Ray lithography 电子束光刻 Electron beam (E-beam) lithography 随着栅长减少至130

8、nm以下，栅氧化层厚度减小至2nm以坚持器件的性能。需求采用较厚的具有较低漏电流的高k介质资料。 二氧化硅 介电常数 3.9 氮化硅 7 TiO2 60100SOI(Silicon-On-Insulator: 绝缘衬底上的硅绝缘衬底上的硅)技术技术SOI技术：优点技术：优点完全实现了介质隔离完全实现了介质隔离, , 彻底消除了体彻底消除了体硅硅CMOSCMOS集成电路中的寄生闩锁效应集成电路中的寄生闩锁效应速度高速度高集成密度高集成密度高工艺简单工艺简单减小了热载流子效应减小了热载流子效应短沟道效应小短沟道效应小, ,特别适合于小尺寸器件特别适合于小尺寸器件体效应小、寄生电容小，特别适合于体效

9、应小、寄生电容小，特别适合于低压器件低压器件SOISOI材料价格高材料价格高衬底浮置衬底浮置表层硅膜质量及其界面质量表层硅膜质量及其界面质量SOI技术：缺点技术：缺点 系统芯片与集成电路的设计思想和方法是不同的。这就要求微电子专业培育的人才不仅能从事IC设计，还能从事SOC设计，研讨SOC的设计方法。SOC即是system on a chip SOC的实现存在两个妨碍： 设计的复杂性 难以制造 如：存储器制造工艺与处置器相差很大 集成光电子学、微机械电子学MEMS、纳电子学等。 这些交叉学科涉及知识面很宽，知识构造复杂，而且需求多知识多技艺的交融1 器件尺寸不断减少，目前器件特征尺寸已进入纳米量级。器件尺寸继续减少将遇到很多物理问题和技术挑战。2 集成度不断提高，目前曾经可以把整个电子系统或子系统集成在一个芯片里，构成集成系统芯片SOC3 与集成电路技术相关的新资料不断涌现，高K栅介质、低K互连介质、新型化合物半导体资料等都成为目前的研讨热点。4 微电子与其他学科结合诞生新的交叉学科，也是21世纪的重要开展方向，例如集成光电子学、微机械电子学MEMS、纳电子学等。 第一个关键问题：超浅结构成第