电工电子技术试题(含答案)

1、1、理想二极管的反向电阻为（ B ）。A零 B无穷大C约几百千欧D以上都不对1.在换路瞬间，下列各项中除( B )不能跃变外，其他全可跃变。(a)电感电压 (b)电容电压 (c)电容电流4.在电感性负载两端并联一定值的电容，以提高功率因素，下列说法正确的是（ D ）。(A)减少负载的工作电流 (B) 减少负载的有功功率(C)减少负载的无功功率 (D) 减少线路的功率损耗5.当三相交流发电机的三个绕组连接成星形时，若线电压，则相电压（ D ）。(a) (b) (c) （d）6.两个完全相同的交流铁心线圈，分别工作在电压相同而频率不同(f1>f2)的两电源下，此时线圈的磁通F1和F2 关系是

2、( B )。(a)F1 >F2 (b)F1<F2 (c)F1=F27.一负载电阻为RL，经变压器接到内阻R0800的电源上，变压器原、副绕组的额定电流为2A20A，若使从变压器原绕组看进去的等效负载电阻RLR0时，则RL等于（ B ）(a) 0.8 (b) 8 (c) 80 (d) 8001、3的电阻中通过2的电流，试问电阻两端的电压是（ D ）。A、10V B、6mV C、1.5V D、6V2、有一额定值为5W 500 的线绕电阻，其额定电流为（ D ）。A、2500 B、100 C、1 D、0.13、一个电热器从220V的电源取用的功率为1000W，如将它接到110V的电源上，

3、则取用的功率为（ B ）W。A、125 B、250 C、500 D、10001. 稳压管起稳压作用，是利用它的（D ）。A 正向特性B 单向导电性C 双向导电性D 反向击穿特性2.某一负载消耗的有功功率为300W，消耗的无功功率为400var，则该负载的视在功率为（ c ）。(a)700VA (b)100VA (c)500VA3.图右所示电路中P点电位为( a )(a)5V (b)4V (c)3V (d)2V2. 采用差分放大电路是为了（ B ）A 加强电路对称性B 抑制零点漂移C 增强放大倍数D 以上都不对3. 交流放大电路中，晶体管一旦进入饱和或截止状态，IB对IC将（ D ）A 增强控制

4、能力B 控制能力不变C 失去控制能力 D 它们之间没有关系4、电路如图所示，根据工程近似的观点，a、b两点间的电阻值约等于（ B）A1kB101kC200kD201k5、如图电路中电压U为（C） ）A-50VB-10VC10VD50V10.若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（ C ）A.电阻性B电感性C电容性11稳压管反向击穿后，其后果为 （ B ）。A永久性损坏B只要流过稳压管的电流值不超过允许范围，管子不会损坏C由于击穿而导致性能下降D以上都不对1、在电阻元件的交流电路中，电压和电流的相位（ A ）A.相同 B电压的相位比电流的相位超前90° C电压的相位比电流的相位落

5、后90°2、在电感元件的交流电路中，电压和电流的相位（ B ）A.相同 B电压的相位比电流的相位超前90° C电压的相位比电流的相位落后90°3、若交流电路的电流相位比电压相位超前，则电路成（ C ）A.电阻性B电感性C电容性12动态电阻rZ 是表示稳压二极管性能的一个重要参数，它的大小与稳压性能的关系是 （ B ）。ArZ 越小则稳压性能越差 BrZ越小则稳压性能越好CrZ的大小不影响稳压性能D以上都不对13. 二极管两端加上正向电压时（ B ）A 一定导通 B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通D 超过0.3V才导通5、稳压二极管的动态电阻rZ 是指 （

6、 B ）。A稳定电压与相应电流IZ 之比B稳压管端电压变化量UZ 与相应电流变化量IZ 的比值C稳压管正向压降与相应正向电流的比值D以上都不对20、对三极管放大作用的实质，下面说法正确的是（ D ）A 三极管可以把小能量放大成大能量B 三极管可以把小电流放大成大电流C 三极管可以把小电压放大成大电压D 三极管可用较小的电流控制较大的电流21、二极管两端加上正向电压时（ B ）A 一定导通 B 超过死区电压才导通C 超过0.7V才导通 D 超过0.3V才导通2、理想二极管的正向电阻为（ B ）。A零B无穷大C约几千欧D以上都不对5我国通常应用的交流电工频为（ A ）Hz。A.50B60C1001

7、4. 就放大作用而言，射极输出器是一种 ( A )。A有电流放大作用而无电压放大作用的电路B有电压放大作用而无电流放大作用的电路C电压和电流放大作用均没有的电路D以上都不对3.当三相对称交流电源接成星形时，若线电压为380V，则相电压为（B）。A.380/3VB.380/V C.380/VD.380V15 触发器输出的状态取决于 (C )。A输入信号 B电路的原始状态C输入信号和电路的原始状态D以上都不对1. 交流铁心线圈，当线圈匝数N增加一倍，则磁通F将( A ) 。A 增大B 减小C 不变D 以上都不正确二填空1电路由 电源 、 负载 和中间环节三部分组成。2如果某一元件上的电压和电流的实

8、际方向相反，那么这一元件是 电源 。1、半导体是一种其导电能力介于 导体 与 绝缘体 之间的物质。2、半导体分为 本征 半导体和 PN 型半导体。3、本征半导体和杂质半导体中都存在 本征激发 现象，产生 自由电子 ，在外电场作用下可定向运动而形成微小的电流（在常温下）。4、在本征半导体中掺入微量五价元素可得到 N 型杂质半导体，在本征半导体中掺入微量三价元素可得到 P 型杂质半导体。5、在N型杂质半导体中，多数载流子是 自由电子 ，少数载流子是 空穴 。1. 集成运放级间耦合方式是采用 多级直接 耦合。6、在P型杂质半导体中，多数载流子是 空穴 ，少数载流子是 自由电子 。7、型半导体主要靠

9、自由电子 来导电，型半导体主要靠 空穴 来导电。8、结具有 单向导电 性，即加正向电压时，结 导通 ，加反向电压时，结 截止 。10、半导体二极管按其所使用的材料可分为 硅 管和 锗 管两类。11、硅管的导通压降约为 0.7 V，锗管的导通压降约为 0.2 V。12、硅管的死区电压约为 0.5 V，锗管的死区电压约为 0.1 V。13、半导体二极管实质上就是一个PN 结，它具有的特性是 单向 导电性。14、半导体三极管分为 NPN 型和 PNP 型两类。15、半导体三极管的结构分为三个区，分别是 发射 区、 基 区、 集电 区。1、欲使晶体管工作在放大区，则外电路所加电压必须使晶体管的发射结

10、正 偏，同时使集电结 反 偏。2、在放大电路中，晶体管的基极电流IB通常称为 偏置 电流，产生基极电流IB的电路称为 共基极 电路。3、对一个放大电路进行静态分析，首先应作该放大电路的 直流 通路，而作动态分析时，应作该放大电路的 交流 电路。4、若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号时会容引起输出信号失真。非线性失真分为 截止 失真和 饱和 失真。5、多级放大电路中级与级之间的耦合方式主要有 阻容 耦合和 直接 耦合。6、在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 断路 ，而在画其交路时常将耦合电容视作 短路 。16、三极管的三个电极分别称为 集电 极、 基 极、 发射 极，分

11、别用字母C、B、E表示。17、一个三极管有两个PN结，分别称为 发射 结和 集电 结。18、三极管的输出特性曲线可分为三个工作区，分别为 饱和 区、截止 区、放大 区。19、要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。20、三极管具有开关特性：当三极管工作在饱和状态时，UCE 0 ，当三极管工作在截止状态时，UCE Ucc 。3已知 u=10sin(t+30)V，分别写出幅值 Um= 10 ，有效值U= 10/52 ， 相量Ù= 10 30 ° 。3、一盏电灯的额定电压是220V，额定功率是60W，那么它的额定电流是 0.2

12、7A V。4、在任意瞬时， 流入 某一结点的电流之和应等于由该结点 流出 的电流之和，这就是 KCL定律 。5、计算电位时，必须选定电路中某一点作为 参考点 ，通常设它为零。4三相电路中，负载的连接方法主要有 星形连接 和 三角形连接 两种，若负载相电压需为380V，则需采用 三角形 连接方式。2、交流量是指 大小 和 方向 都随时间而变化的量。5结具有 单向导电 性，即加正向电压时，结 处于导通状态 ，加反向电压时，结 处于截止状态 。6要使三极管工作在放大状态，则外电路所加电压必须使三极管的发射结 正 偏，同时使集电结 反 偏。1、并联的负载电阻越多，总电阻 越小 ，电路中的总电流就 越大

13、 。2、一个电压源 串联 一个电阻，可以等效变换为一个电流源 并联 一个电阻。3、应用支路电流法对电路进行求解时，对于具有n个结点和b条支路的电路，可以列出 n-1 独立的结点方程，其余的 b-（n-1） 个方程可由网孔列出。4、用叠加原理求解电路时，当对某一电源求解电路时，其他的电源要除去，即电压源 短路 ，电流源 开路 。5、戴维宁定理中，将除去负载电阻外，可将其余部分看作一个有源二端网络，即可以等效为一个 电压源 串联一个 电阻 的形式。7在画放大电路的直流通路时常将耦合电容视作 开路 ，而在画其交流通路时常将耦合电容视作 短路 。8若放大电路的静态工作点设置不合理或信号太大，在放大信号

14、时会容易引起输出信号失真。非线性失真分为 饱和 失真和 截止 失真。9当放大电路输入端短路时，输出端电压缓慢变化的现象称为 零点漂移 。 温度 是0/52 ，相量= 10- 30° 。6、12.有两个正弦交流电流分别为i1=10Sin100tA，i2=10Sin(100t+90°)A，它们叠加后的电流有效值相量= 11.545 ° ，对应的瞬时值 11.5sin（100tA+45°）。1313.在电容元件的交流电路中，电压的相位比电流的相位 滞后90°。8、14.提高交流电路功率因数的意义在于 增加有用功 ，其方法是 并联电容 。1、对称三相电

15、路作星形联结时，其电路中线电压UL、相电压UP，线电流IL、相电流IP之间的关系为UL= J3 UP，IL= 1 IP。2、对称三相电路作三角形联结时，UL= 1 UP，IL= J3 IP。3、三相对称电源做星形连接，线电压Ul与相电压Up的相位差是 30°，UL= J3 UP。4、三相电路中，负载的连接方法主要有 星形 和 三角形 两种，若负载相电压需为308V，则需采用 星形 连接方式。5、有一三相对称负载，其每项的电阻R =8W，XL =6W。如将负载联成星形接于线电压为380V的三相电源上，则UL= 380V ，UP 220V ， IP= 22A 。引起这种现象的主要原因。4

16、、 10.已知 i=10sin(t-30)A，分别写出幅值Im= 10 ，有效值I=判断题： 1、电路中的参考方向与实际方向是相同的。（ × ） 2、如果某一元件上的U和I的实际方向相同，电流从“+”端流入，则该元件是负载。（ ） 3、在任一瞬时，一个结点上电流的代数和恒等于零。（ ） 4、在某一确定电路中，某一点的电位是一定的。（ × ） 5、在某一确定电路中，电阻上的电压是一定的。（ ）1.选取不同的参考点，电路中各点的电位也将随之改变；（ ）2.型半导体的多数载流子是空穴，因此型半导体带正电。（ × ）3.在交流电路中，电感元件和电容元件的平均功率为0，所以

17、并不消耗能量。（ × ）4.三相正弦交流电，当三相负载对称时，任何时刻三相电流之和总是等于零。（ × ）5.直流铁心线圈只有铜（ ） 6.磁性材料 。( × )1.磁感应强度B 是表示磁场空间某点的磁场强弱和方向的物理量，是矢量。( )2.磁场内各点磁感应强度的大小和方向均相同。( × )3.磁性材料 。( × )4.铁损DPfe包括磁滞损耗DPh和铜损DPcu。( )5.变压器原、副绕组的电流与匝数成正比。( )6直流铁心线圈只有铜损( )7.三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念，但其值近似相等。（）8.阻容耦合和直接耦合的多级

18、放大电路中，各级的静态工作点都相互独立。（× ）9.放大电路的输出电阻越大，其带负载能力越强。（ × ）1、型半导体的多数载流子是自由电子，因此型半导体带负电。（ × ）2、型半导体的多数载流子是空穴，因此型半导体带正电。（ × ）3、因为晶体三极管由两个结组成，所以能用两个晶体二极管反向连接起来当晶体三极管使用。（ × ）4、因为晶体三极管由两个结组成，所以晶体三极管可以当同材料的晶体二极管使用。（ ）5、发射结处于正向偏置的晶体三极管，其一定是工作在放大状态。（ × ）6、发射结处于反向偏置的晶体三极管，其一定是工作在截止状态。（

19、 ）7、在半导体中，自由电子和空穴都是载流子。（ ）8、在外电场作用下，半导体中会同时出现电子电流和空穴电流。（ ）9、一般情况下，晶体三极管的电流放大系数随温度的增加而减小。（ ）10、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为4V、3.4和9，说明这个晶体三极管是NPN型硅管。（ × ）11、今在电路中测得晶体三极管的三个管脚的电位分别为-2.3V、-2和-6，说明这个晶体三极管是PNP型锗管。（ ）12、半导体中空穴带正电，电子带负电。（ ）13、二极管的反向电压一旦超过其最高反向工作电压时就会损坏。（ ）14、P型半导体带正电，N型半导体带负电。（ × ）15、

20、发光二极管在使用时必须加适当的正向电压才会发光。（ ）16、由于发射区和集电区的掺杂浓度以及面积不同，因此三极管的集发射与电极极不能互换使用。（ ）17、二极管具有开关特性，三极管不具有开关特性。（ × ）18、二极管和三极管都具有明显的温度特性。（ ）19、半导体的导电能力介于导体与绝缘体之间，硅和锗是最重要的两种半导体材料。（ ）20、三极管的交流放大倍数和直流放大倍数是两个不同的概念，但其值近似相等。（ ） 1、n个电阻串联，总的阻值等于n个电阻各自倒数之和的倒数。（ × ） 2、电阻a和b并联，如果a>>b,那么并联后的等效电阻可约等于b电阻的阻值。（ × ） 3、一个电压源并联一个电阻的形式可等效为一个电流源串联一个电阻。（ ×