MOS管工作原理和驱动电路

1、MOSFET «| 2007-06-07 1.MOSFETMOS Metal Oxide Semico nductor 体 FET Field Effect TransistorMe 的 o* MOS 型 Metal Oxide Semic on ductor FET MOSFET ( PowerMOSFET StaticIn duct ion Tran sistor SITGTR,10kW"2功 MOSFET MOSFET PN N” MOSFET 要 N2.1 MOSFET « MOSFETmos 相 ,MOSMOSFET者口 VMOSFET Vertical

2、 MOSFET -力 MOSFET，山b）H 1功隼IKSFET的结构和电气图形符号a）内部结构断面示意图b）电气图形符号 VVMOS FET 才口 MOSVDMOSFET* Vertical Double-diffusedMOSFET*VDMOSMOSFET Rectifier HEXFET, SIPMOSFET « Internetionah&emens Motorola TMOS2.2 MOSFET止pPN JIUGS，极下.p表 UGS UTN沟道PN J1 失一2.3 MOSFET2.3.1Al苫30?0i uT，$*0ib / «n *b /sb 

3、9;必 毗区 4叫刃S 2电力MOSFET的转移特性和输出特性a）转移特性b）输出特性IDUGSMOSFET ID UGSGfsMOSFETGTRGTRGTRMOSFET2.3.2“h)图3电力KSFET的开关过程小测试电路b)开关过程波形 冲倍号涌，尽一馆号渝内诅，用1册根电阴，R负裁电阴*用一检测端根电阴td(o n) uGS=UTiDuptr* uGS 升 MOSFETUGSP时一iDUEUGSPiD 的UGS 达 UGSP 后, up-iDton td(off) up GnRs RG 电 *uGS 指 UGSP iDtf* uGS UGSPiD减小 - uGStoff *2.3.3 M

4、OSFET 开MOSFETCinCinMO6FET, (<0100ns 之 100kHz2.4MB MB dv/dt * *di/dtMOSFET - 4 功. MOSFETMOSFETIGBT也寄生MOSFETA Dm in图4是功率MOSFET前络构和其相应的等效能路 IMOSFETPN PN结” MOSFETMOSFETRBN区下的横向dv/dt MOSFETMOSFET3高- MOSFETMOSFET " ,AMAOSFET 有MOS 2.4-2?6MOSFETMOSFET“500V - MOSFET800VMOSFET2/3-4Z5 3.1 MOSFET3.1.1 M

5、OSFETMOSFET,- 30V MOSFET, 延电29%, 600V MOSFET800V96.5%MOSFET 的 MOSFET3.1.2MOSFET，但 MOSFETMOSFETMOSFET.N. “一1988 -INFINEON 600V.COOLMOSMOSFET5 常 MOSFETMOSFET 的NMOSFET“p NNN- VGS - VTH N 6.07V 7.5VMOSFET- - 1/2 1/3 由D, SMOSFET- PNN N-5）内建力贲向电场的高BENOWFET断面常珈仆）垂直的正尽反型后的电估j道co磬电由道形成后来自潸梭 的电干诲垂直的N区中正电荷 中和井

6、恢笈H型特证图5内检描向电场的MQSFET剖面.垂直HZ被典断和导通 CGS VTHN N MOSFETPNPN 同的 N-3.2MOSFET3.2.1 INFINEONMOSFET600V 800VMOSFETMOSFET 1/5 1/10 相1/2 1/3 在12.6V, 19.1V 降 6.07V 7.5VMOSFPOLMS1/3 .由322COOLMOS MOSFET /)、 1/3 1/4 COOLMOSMOSFET 1/3 TO-220 RTHJC1/w0£/W 125W 升-208W3.2.3 COOLMOSMOSFET, QG.QGD XOOLMOSMOSFET *1

7、/2 50% COOLMOS (* * 13.2.4 SCSOA MOSFET- COOLIMOS COOLMOS IAS ID25IAS MOSFET, IAS EASMOSFETo COOLMOS6CSOA*- 常 MOSCOOLIMOS SCSOA CAOOLMOS " "6所示。6 可以看 VGS 8V 时 COOLMOS ID25 23-3.515VID25 COOLMOS350V 2ID25 6.07V 7.5VMOSFET- - 1/2 1/3 由抑制了 芯温度的速。此 maOOLMOS 在0.6VDSS 10MS 1S* 1000 GOOLMOS IGBT”

8、 UGS/V降.MOSFET图6 C0QUI0S转移特性3.3MOSFET INFINEON1988 推 COOLMOS 后 2000 ST 500V .COOLMOS500V 12A MOSFETTO-220 0.35IRFP450 0.4 IRFP450 近+XYSCOOLMOS 术. MOSFET* IRSUPPER220 SUPPER247MOSFET, 35A, 59A >0.082 0.045 1504.7VMOSFETMOSFETMOSFET3.4 COOLMOS IGBT600V > 800V 压 COOLMOS6V7 巧 V 1/2 1 /2MOSFETe 40%

9、50% 常 600V MOSFET75%IGBT- -160KHZ75%- COOLMOS MOSFET 40%-50%IGBT160KHZ40KHZMOSFETMOSFETMOSFET 4功MOSFET , MOSFETMOSFET电 COSSCRSS 极容 CISS存 MOSFET VGS, TON u延时FDTR 部 ，分。CISS ROFF电*COSS RL电* *COSS大 VDS - TVDS(T)VDS - TCOSS速.VDS TMOSFETMOSFET MOSFET4.1 MOSFET4.1.1 *7“ a，简 Be*b)MOSFET “05 “- +U1v«3(6)防莒用的才隔葛的直补驰动电 路S1 - S2MOSFETMOSFETV1> V2 RV1“V2V2S1V14.1.2 9 a)*N3. J M0SFE1S2> -16>MOSFET10所示vi V2图1。有隔离麦压器的玄补驱动1-D)Ui时为DUiS1 - 2VN1/N2 12/- 1-D - UiGS稳-CMOSFET D0.5MOAFET >0.5 3UC3724/372511 UC3724*600kHz 46 UC372