多晶硅基础知识点

1、大为（100mm）.2. 探针绝缘性，一探针（包括连接弹簧和外部引线）与任何其他探针或装置任 一部分之间绝缘电阻大于（109 Q）o3. 对于P型单晶，在（6）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基硼电阻率 值。4. 对于N型单晶，在（8）倍熔区处读取电阻率值，该值即为样品的基磷电阻率 值。5. 热探笔上所用的电阻丝的功率一般只需（1015W）.6. 冷热探笔法一般适用于室温电阻率在（1000Q .Cm）以下的硅单晶。7. 整流法一般适用于室温电阻率在（11000Q .Cm）的硅单晶。8. 单晶在测试过程中应保证环境温度（232C）,温度（W 65%，（电磁屏蔽, 无强光照射）。9. 四探针恒

2、流源的光流范围为（10-110-6A）,稳定度优于（土 0.05%）。四、简答题1. 国标中太阳能级与电子级产品等级的划分基磷电阻率（Q.cm）基硼电阻率（Q.cm）N型少数载流子寿命（血）国标电子级一级为00冯000500国标电子级二级绍00总000300国标电子级三级支00100000太阳能级一级羽00海0000太阳能级二级绍020050太阳能级三级总0100302. 物理性能检测中样品制备的事故判断处理及预防1为避免机械对人造成伤害，上班前，按规定穿戴好劳保用品，使用酸碱时,穿戴好防护用品，在通风良好的条件下操作。2. 若发现机器电机转动声音异常，应立即停止进行检查，正常后即可投入使用。

3、3. 若酸碱液溅在皮肤上，立即用大量清水冲洗。4使用耐酸手套前要检查是否完好。5钻取样品时，若出现松动，应立即停机，紧固后方可进行加工，手动进刀时， 一般按照均匀进给的原则进行，以免用力过猛造成事故。3. 物理性能检测中区熔制备硅单晶的控制要点1. 在装炉时，原料棒及籽晶要做到安放平整、对中、稳定可靠。2. 在对磷检炉操作过程中，通入氩气时要控制号氩气的阀门，流量由小到大，逐 步接近工艺规定值。3. 熔接时，要选择合适的功率，升温不能过急，注意熔区在感应线圈中的位置是 否得当。4. 初始拉速不能由零突越至拉制速度，应缓慢增大。5. 选择适当的供料速度，确保熔区体积不变，熔区稍微饱满为好。6.

4、在单晶生长过程中，要控制好硅熔区，避免熔区流垮，同时尽力保持拉制棒材 直径的均匀性。7. 在进行收尾工作时，控制好速度，不能过快，以免产生位错。4. 简述物理性能检测的工艺流程图/用大型切断机切取温圈氧化夹层片（线 1）产品取样样品退火用大型切断机对样品进行切断（线 2）线1腐蚀清洗送检测岗位检测线2_ k用大型切断机对样棒进行去应力切割- *取硅芯层和生长层棒样-腐蚀清洗区熔 检测导电类型检测样品电阻率-检测样品少子寿命对单晶棒样进行红外样片切割k对切割片样进行研磨抛光、制备成红外样将红外样片送质监进行后续检测5. 单晶硅中间隙氧样品要求：(1) 样品的厚度范围为0.04 cm 0.4 cm

5、 ;(2) 单晶硅样片，样片经双面研磨抛光。(3) 加工后样片的两个面应尽可能平行，所成角度小于1(4) 其厚度差应小于等于0.5%,(5) 表面平整度应小于所测杂质谱带最大吸收处波长的1/4。样品 表面不应有氧化层。5.四探针法测量电阻率的测准条件有哪些？(1) 样品的几何尺寸必须近似满足半无限大，具体的说即样品的厚 度必须大于3倍针距，探针头中任一探针离样品边缘的最近距离不得 小于3倍针距(纵向、横断面电阻率测试的选择均由此而来)。(2) 测量区域的电阻率应是均匀的，为此针距不宜过大，一般采用12mn左右的针距较适宜。(3) 四根探针应处于同一平面的同一直线上，为此要求四根探针严格的排成一

6、直线，还要求样品表面平整。(4) 四探针与试样应有良好的欧姆接触，为此探针应当比较尖，与 样品的接触点应是半球形，使电流成放射状发散(或汇拢)，且接触半径应远远小于针距，一般要求接触半径不大于 50 微米左右，针头应有一定压力，一般取2X 9.8N较适宜。（5）电流通过样品不应引起样品的电导率发生变化。 干扰因素：1）陷阱效应影响：室温下的硅和低温下的锗，载流子陷阱会产生影 响。如果试样中存在电子或空穴陷阱，脉冲光停止后，非平衡少数载 流子将保持较高浓度并维持相当长时间， 光电导衰减曲线会出现一条 长长的尾巴。在这段衰减曲线上进行测量将错误的导致寿命值增大。2）表面复合影响：表面如果处理不好，会影响少子寿命3）注入量的影响：测量时试样电导率条幅必须很小，这样试样上电 势差的衰减才等价于光生载流子的衰减。4）光生伏特效应的影响：试样电阻率不均匀会产生衰减信号扭曲的 光电压光生伏特效应。5）光源波长的影响：光生载流子大幅度衰减会影响曲线的形状，尤 其在衰减初期使用脉冲光时，这种现象会更为显著。6）电场的影响：如果少数载流子被电流产生的电场扫描出试样的一 端，少数载流子就不会形成衰减曲线。7）温度的影响：半导体中杂质的复合特性受温度强烈影响，控制测 量时的温度非常重要，在相同的温度下进行测量才能进行比较。8）杂质复合中心的影响：不同的杂质中心具有不同的复合特性，当 试