低频电子电路_06章(20120505)

1、1 低频电子电路低频电子电路2 集成器件集成器件： 是指基于同一硅基片材料，通过制造工艺是指基于同一硅基片材料，通过制造工艺流程在不同区域完成二极管、晶体管、场效应流程在不同区域完成二极管、晶体管、场效应管、电阻和电容的功能区域，并经基片表面光管、电阻和电容的功能区域，并经基片表面光沉积铝层和光刻工艺完成各区域的连接沉积铝层和光刻工艺完成各区域的连接,构成具构成具有电路功能的集成器件。有电路功能的集成器件。 正因为如此，集成器件又称正因为如此，集成器件又称集成电路集成电路 (Integrated Circuit)。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础3集成电路制造的特性集成电路制造的特性

2、基于制造工艺流程的标准性，同一硅基片上相邻基于制造工艺流程的标准性，同一硅基片上相邻区域元器件的参数误差可以控制在较小范围内，即可区域元器件的参数误差可以控制在较小范围内，即可以在设计中采用对称的电路设计理念。以在设计中采用对称的电路设计理念。 集成器件的电容可以采用集成器件的电容可以采用PN结的结电容，也可以结的结电容，也可以采用二氧化硅绝缘方式得到；电阻则采用掺入一定杂采用二氧化硅绝缘方式得到；电阻则采用掺入一定杂质得到。为了避免占用较大的基片区域，大电容质得到。为了避免占用较大的基片区域，大电容 ( 200 pF ) 和几十欧至几十千欧以上的电阻，可以采用电极和几十欧至几十千欧以上的电阻

3、，可以采用电极外接分立元件方式完成，这样可以实现较精确参数选外接分立元件方式完成，这样可以实现较精确参数选择和较理想的线性特性。此外，集成工艺不易实现电择和较理想的线性特性。此外，集成工艺不易实现电感。感。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础4 集成电路集成电路自自1958年以来的年以来的50年发展，已达年发展，已达到在单个基片上制作几千万个晶体管或场效应到在单个基片上制作几千万个晶体管或场效应管的完整电子系统水平。与分立元件相比，具管的完整电子系统水平。与分立元件相比，具有体积小、重量轻、耗电少，由此制作的成品有体积小、重量轻、耗电少，由此制作的成品电路系统可靠性高、性能好，成本低。电路

4、系统可靠性高、性能好，成本低。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础5 集成电路集成电路按其处理的信号类型的不同，分按其处理的信号类型的不同，分为处理数字信号的数字集成电为处理数字信号的数字集成电 路、处理模拟信路、处理模拟信号的模拟集成电路，以及模数混合集成电路三号的模拟集成电路，以及模数混合集成电路三大类。大类。 数字集成电路数字集成电路有与、或、非等数字逻辑电有与、或、非等数字逻辑电路，路，模拟集成电路模拟集成电路有集成运算放大器（或集成有集成运算放大器（或集成增益器件）等，增益器件）等，模数混合集成电路模数混合集成电路有各种模拟有各种模拟比较器和数模、模数转换器等。比较器和数模、模数

5、转换器等。第第 6 章集成器件基础章集成器件基础66.1集成增益器件集成增益器件 集成增益器件，又称集成增益器件，又称集成运算放大器集成运算放大器，具，具体可分为双极型集成增益器件和体可分为双极型集成增益器件和MOS集成增益集成增益器件。器件。 集成运算放大器具有高增益、高可靠性等集成运算放大器具有高增益、高可靠性等优点。能作为通用增益器件，象晶体管一样，优点。能作为通用增益器件，象晶体管一样，广泛运用于对模拟信号的运算处理和信号放大，广泛运用于对模拟信号的运算处理和信号放大，以及比较判断等电路领域。以及比较判断等电路领域。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础7 从内部组成看，集成运放是一

6、个双输入的从内部组成看，集成运放是一个双输入的多级级联的直接耦合电路，其等效方框图如图多级级联的直接耦合电路，其等效方框图如图6-1-1所示。所示。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础8 它的典型输入级为各种改进型的差分放大它的典型输入级为各种改进型的差分放大电路；中间级（对电路；中间级（对CMOS集成电路可能没有该集成电路可能没有该级放大）是由一到两级放大电路组成的高增益级放大）是由一到两级放大电路组成的高增益电路；输出级采用能适应输出负载需求的放大电路；输出级采用能适应输出负载需求的放大电路；偏置电路采用恒流源偏置电路。电路；偏置电路采用恒流源偏置电路。 此外，在组成电路中，还附有电平

7、位移电此外，在组成电路中，还附有电平位移电路、保护输出级管子安全工作的过载保护电路，路、保护输出级管子安全工作的过载保护电路，以及还可能附有自动恒温控制电路等其它提升以及还可能附有自动恒温控制电路等其它提升电能性能的辅助电路。电能性能的辅助电路。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础9 电压型集成运放电压型集成运放（本章简称（本章简称集成运放集成运放）的电路符号）的电路符号如图如图6-1-2(a)、(b)所示，其中所示，其中(a)为国内常用符号，为国内常用符号，(b)为国外常用符号。图中电位、分别与符号内的同相输为国外常用符号。图中电位、分别与符号内的同相输入端入端“+”号和反相输入端号和反

8、相输入端“ ”的电位相对应，电位的电位相对应，电位代表输出电极的响应电位；输入与输出的信号转移关代表输出电极的响应电位；输入与输出的信号转移关系如图系如图6-1-2(c)所示。所示。 (a) (b) (c) (d)第第 6 章集成器件基础章集成器件基础10 从输入与输出的信号转移关系可以得出如下结论：从输入与输出的信号转移关系可以得出如下结论：该电路的总体特性与差分放大器的大信号特性该电路的总体特性与差分放大器的大信号特性(图图4-3-4)类似，即该器件属于非线性器件。从电路运用分析角类似，即该器件属于非线性器件。从电路运用分析角度看，特性可以用三条渐进线描述，如图度看，特性可以用三条渐进线描

9、述，如图6-1-2(d)所示所示,即即 较小，较小，较大，-omin-vd-omaxo)(Avvvvvvvvvvv第第 6 章集成器件基础章集成器件基础11 通常将特性中原点附近的区域称为通常将特性中原点附近的区域称为小信号小信号放大区（也称线性区），放大区（也称线性区），可以完成输入差模信可以完成输入差模信号的线性放大；在输出最大值或最小值时，则号的线性放大；在输出最大值或最小值时，则对应于管子内部的对应于管子内部的截止截止和和饱和饱和（晶体管）、或（晶体管）、或截止和可变电阻（场效应管）的非放大状态，截止和可变电阻（场效应管）的非放大状态，通常统称为增益器件的饱和区。通常统称为增益器件的饱

10、和区。 从电特性看，集成运放输入电阻大，从几从电特性看，集成运放输入电阻大，从几十十k 到几十到几十M ，而输出电阻较小，从几百，而输出电阻较小，从几百 到几十到几十 ；在小信号放大区，它的增益可高达；在小信号放大区，它的增益可高达(60140dB)，即是一种较理想的增益器件。，即是一种较理想的增益器件。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础12 基于电路内部的直接耦合特点，集成运放基于电路内部的直接耦合特点，集成运放也存在温漂问题。同时，在双直流电源的条件也存在温漂问题。同时，在双直流电源的条件下，会通过内部设计，使输入信号端电位为零下，会通过内部设计，使输入信号端电位为零时，输出端电位也

11、为零，即有利于在与其它集时，输出端电位也为零，即有利于在与其它集成运放连接时，不需要考虑它们之间的电平配成运放连接时，不需要考虑它们之间的电平配置问题。但在单电源工作时，必须外加直流偏置问题。但在单电源工作时，必须外加直流偏置电路。置电路。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础136.1.1 双极型集成增益器件双极型集成增益器件 双极型集成增益器件是在很小的硅片双极型集成增益器件是在很小的硅片(例如例如1mm2)上，将成千上万个等效元器件连接成的电路整体，由上，将成千上万个等效元器件连接成的电路整体，由于工艺上的原因，内部等效元器件具有如下特点：于工艺上的原因，内部等效元器件具有如下特点：

12、元器件参数的绝对值不易控制，但对于多个对称元器件参数的绝对值不易控制，但对于多个对称元器件的参数则能做到较好的一致性。元器件的参数则能做到较好的一致性。 限于工艺，内部单个等效限于工艺，内部单个等效 PNP 管的管的 1000以上的晶体管。以上的晶体管。第第 6 章集成器件基础章集成器件基础14 为了简化工艺，二极管采用将晶体管的发射结或为了简化工艺，二极管采用将晶体管的发射结或集电结短路方式实现，即管子制造只保留双极型晶体集电结短路方式实现，即管子制造只保留双极型晶体管的制造工艺。管的制造工艺。 为了避免占用较大的基片区域，交流电阻值大于为了避免占用较大的基片区域，交流电阻值大于几十几十k

13、时，可考虑采用恒流源方式实现，或外接。时，可考虑采用恒流源方式实现，或外接。 本节以双极型工艺制造的本节以双极型工艺制造的F007（也称，或（也称，或LM741）集成运放为例，给出电压型集成放大单元的分析。集成运放为例，给出电压型集成放大单元的分析。 F007内部电路具体分为四部分，即偏置电路、输内部电路具体分为四部分，即偏置电路、输入放大级、中间放大级和输出放大级。入放大级、中间放大级和输出放大级。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础15图6-1-3F007集成运放内部等效电路第第 6 章集成器件基础章集成器件基础1617图图6-1-5F007的偏置电路的偏置电路第第 6 章集成器件基础

14、章集成器件基础186.1.2 MOS集成增益器件集成增益器件 根据管子隔离的需要，以及根据管子隔离的需要，以及MOS集成电路集成电路制造工艺水平的限制，其内部各制造工艺水平的限制，其内部各MOS管的衬底管的衬底不可能总具有相同的电位，即不可能总具有相同的电位，即MOS管衬底不总管衬底不总是与相应的是与相应的MOS管源极相连接。正因为如此，管源极相连接。正因为如此，针对不同情况的放大单元电路，其电路结构也针对不同情况的放大单元电路，其电路结构也应有所不同，图应有所不同，图6-1-6给出了常见的三种情况。给出了常见的三种情况。图中，图中，T1管为放大管，管为放大管，T2管为管为T1管的有源负载管的

15、有源负载管。管。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础19（a） （b） （c）（a）以地为衬底）以地为衬底 （b）以地为衬底）以地为衬底 （c）分别以最高和最低电位为衬底）分别以最高和最低电位为衬底图6-1-6MOS集成内部单元放大器第第 6 章集成器件基础章集成器件基础20 其中，其中，(a)、(b)两图中管子的衬底均是与电路最两图中管子的衬底均是与电路最低电位地相连接，因其两管子均为低电位地相连接，因其两管子均为N沟道，即可以采沟道，即可以采用单一的用单一的N沟道沟道MOS集成工艺制作技术完成，因此统集成工艺制作技术完成，因此统称为称为NMOS放大单元电路。其中，放大单元电路。其中，(

16、a)图两管均为增强图两管均为增强型管子，也称为型管子，也称为E/E放大器，放大器，(b)图因含增强和耗尽型图因含增强和耗尽型两种管子，则称为两种管子，则称为E/D放大器。放大器。 通常将衬底电位不同的放大单元电路称为通常将衬底电位不同的放大单元电路称为CMOS放大单元电路，典型电路如图放大单元电路，典型电路如图6-1-6 (c)所示；该电路所示；该电路对应的集成制造工艺称为对应的集成制造工艺称为CMOS集成工艺（集成工艺（CMOS，Complementary MOS）。图）。图6-1-7为图为图6-1-6 (c)的典型的典型CMOS双管的结构示意图。双管的结构示意图。 第第 6 章集成器件基础

17、章集成器件基础21图6-1-7图6-1-6(c)的CMOS双管结构示意图 综上所述，无论综上所述，无论NMOS或是或是CMOS放大电路，放大电路，放大管和负载管的衬底都可能与管子的源极电位不放大管和负载管的衬底都可能与管子的源极电位不一致，因此，我们在管子小信号等效电路中必需考一致，因此，我们在管子小信号等效电路中必需考虑衬底与源极电压差对导电沟道的影响。虑衬底与源极电压差对导电沟道的影响。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础22 在集成电路的分析与设计中，除了考虑衬在集成电路的分析与设计中，除了考虑衬底带来的影响外，我们或应该充分重视各级间，底带来的影响外，我们或应该充分重视各级间，以及

18、各以及各PN结间的电容在高频应用时带来的影响。结间的电容在高频应用时带来的影响。由于过多涉及集成内部的制造和技术问题，这由于过多涉及集成内部的制造和技术问题，这里就不在叙述。里就不在叙述。 图图6-1-9给出了给出了SJ14573CMOS类程控集成类程控集成放大器的原理图。放大器的原理图。 图中图中T6、T3和和T8为偏置电路，分别为第一为偏置电路，分别为第一放大级和输出级提供工作电流放大级和输出级提供工作电流IQ1,4和和IQ8 。其中，。其中，T6和和RRET电阻决定基础电流，即间接决定工作电阻决定基础电流，即间接决定工作电流电流IQ1,4和和IQ8的大小。的大小。 第第 6 章集成器件基

19、础章集成器件基础23第第 6 章集成器件基础章集成器件基础24 图中图中T1和和T4为差分放大电路，为差分放大电路，T2和和T5为动为动态电流镜，完成双端输出变单端输出的转换，态电流镜，完成双端输出变单端输出的转换，较好保证了第一级的增益；电路的第二级放大较好保证了第一级的增益；电路的第二级放大由由T7构成。构成。 该电路具有较大的的放大能力，但也存在该电路具有较大的的放大能力，但也存在输出电阻大，带负载能力较差等特点。输出电阻大，带负载能力较差等特点。 图图6-1-10给出了给出了TLC2202CMOS集成放大器。集成放大器。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础25图6-1-10 TLC

20、2202集成运放内部等效电路第第 6 章集成器件基础章集成器件基础266.1.3 集成增益器件的技术指标集成增益器件的技术指标 基于集成增益器件内部的差放和多级放大的直接基于集成增益器件内部的差放和多级放大的直接耦合特点，集成增益器件的参数应包括直接耦合和差耦合特点，集成增益器件的参数应包括直接耦合和差放电路的参数组成。放电路的参数组成。 一般来说，在应用集成增益器件的电路设计中，一般来说，在应用集成增益器件的电路设计中，正确理解和运用其特性参数，是评价和选择集成增益正确理解和运用其特性参数，是评价和选择集成增益器件所必需的。但由于集成增益器件的参数名目很多，器件所必需的。但由于集成增益器件的

21、参数名目很多，以及各生产厂家给出的参数的不同，我们只能就一些以及各生产厂家给出的参数的不同，我们只能就一些未提及的基础参数讲解如下。未提及的基础参数讲解如下。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础271、直流参数、直流参数 直流参数包括输入失调电压直流参数包括输入失调电压VIO和输入失调电流和输入失调电流IIO、输入失调的温度系数、输入失调的温度系数VIO/T(和和IIO/T)(温漂温漂)、输入偏置电流输入偏置电流IIB 、电源电压抑制比、电源电压抑制比KSVR等。等。 其中，双极性晶体管作为输入级的集成增益器件，其中，双极性晶体管作为输入级的集成增益器件，其输入失调电压在其输入失调电压在1

22、mV10mV范围，输入直流偏流范围，输入直流偏流在在10nA1A范围，输入失调电流与输入直流偏流大范围，输入失调电流与输入直流偏流大小直接相关；场效应管作为输入级的集成增益器件时，小直接相关；场效应管作为输入级的集成增益器件时，输入失调电压较大，输入直流偏流小于输入失调电压较大，输入直流偏流小于0.1nA。 一般说来，输入失调电压和电流、输入失调的温一般说来，输入失调电压和电流、输入失调的温度系数、输入偏置电流均与温度有关，即这些指标大度系数、输入偏置电流均与温度有关，即这些指标大小应理解为在特定温度下的，若温度不同，则数值应小应理解为在特定温度下的，若温度不同，则数值应有所变化。通常失调电压

23、温漂系数在有所变化。通常失调电压温漂系数在10V/oC。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础28 对于高精度、低温票集成增益器件，则失调、温对于高精度、低温票集成增益器件，则失调、温漂均较小，如输入失调电压在漂均较小，如输入失调电压在0.1V20V范围，失调范围，失调电压温漂系数在电压温漂系数在1V/oC。 电源电压抑制比。在线性区工作时，将输入失调电源电压抑制比。在线性区工作时，将输入失调电压随电源电压改变的变化率定义为电源电压抑制比，电压随电源电压改变的变化率定义为电源电压抑制比，即即 CCIOVVSVRKEEIOVV 或（6-1-3）一般来说，不同直流电源引起的是有差异的。一般来说，

24、不同直流电源引起的是有差异的。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础292、信号参数、信号参数 该类参数包含差模开环增益该类参数包含差模开环增益Ad、开环共模增益、开环共模增益Ac、共模抑制比共模抑制比KCMR、开环带宽、开环带宽BW、差模输入阻抗、差模输入阻抗Zid、共模输入阻抗共模输入阻抗Zic和输出阻抗和输出阻抗Zo 、等效输入噪声电压；、等效输入噪声电压；以及输出峰以及输出峰-峰电压值峰电压值Vopp、最大差模输入电压、最大差模输入电压VidM和和最大共模输入电压最大共模输入电压VicM 。 等效输入噪声电压。特指在屏蔽良好、无输入时，等效输入噪声电压。特指在屏蔽良好、无输入时，集成

25、增益器件输出端产生的任何交流无规则的干扰电集成增益器件输出端产生的任何交流无规则的干扰电压按差模增益换算到输入端的等效电压。通常其值在压按差模增益换算到输入端的等效电压。通常其值在10V20V。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础30 输出峰输出峰-峰电压值峰电压值Vopp 。在特定的负载下，。在特定的负载下，集成增益器件能输出的最大不失真电压幅度。集成增益器件能输出的最大不失真电压幅度。一般来说，正负摆幅会有所不同。一般来说，正负摆幅会有所不同。 最大差模输入电压最大差模输入电压VidM 。它指两输入端允。它指两输入端允许加入的最大电压差。许加入的最大电压差。 最大共模输入电压最大共模输

26、入电压VicM 。它指在规定共模。它指在规定共模抑制比条件下，两输入端允许加入的最大共模抑制比条件下，两输入端允许加入的最大共模输入电压。输入电压。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础313、快速转换信号参数、快速转换信号参数 转换速度转换速度 SR 、建立时间、建立时间 ts 。该类参数强调的是。该类参数强调的是电路反应时间，常用于开关应用领域，如开关电路、电路反应时间，常用于开关应用领域，如开关电路、比较器应用等。比较器应用等。 转换速度转换速度 SR。在特定的负载下，集成增益器件输。在特定的负载下，集成增益器件输入阶跃大信号时输出的最大变化率，如图入阶跃大信号时输出的最大变化率，如图

27、6-1-11（a）所示。一般来说，集成增益器件的同相输入端和反向所示。一般来说，集成增益器件的同相输入端和反向输入端的转换速率存在差异，输出波形的前沿和后沿输入端的转换速率存在差异，输出波形的前沿和后沿的转换速率也存在差异。通常其值在的转换速率也存在差异。通常其值在 1V/s，高速型，高速型集成增益器件转换速率会大于集成增益器件转换速率会大于 10V/s。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础32（a）转换速度含义）转换速度含义 （b）建立时间含义）建立时间含义 图图6-1-11 快速转换信号参数快速转换信号参数第第 6 章集成器件基础章集成器件基础33我们必须指出：增益器件在使用时，应注意

28、如下问题：我们必须指出：增益器件在使用时，应注意如下问题：（1）注意手册的指标是在一定条件下测量得出的，）注意手册的指标是在一定条件下测量得出的，该测量条件并非是你的应用条件，因此手册的指标只该测量条件并非是你的应用条件，因此手册的指标只具有参考意义。具有参考意义。（2）在实际中，器件的各种指标往往不能同时达到）在实际中，器件的各种指标往往不能同时达到最优。如场效应管虽然有高的输入电阻和低的输入偏最优。如场效应管虽然有高的输入电阻和低的输入偏置电流，但电路的失调电压会较大。对于弱信号下的置电流，但电路的失调电压会较大。对于弱信号下的应用，则更应关注噪声系数、失调和温漂。应用，则更应关注噪声系数

29、、失调和温漂。（3）在强冲击电压、电流环境下的应用时，应选用）在强冲击电压、电流环境下的应用时，应选用带过压、过流、过热等具有较强保护功能的增益集成带过压、过流、过热等具有较强保护功能的增益集成器件。器件。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础34356.2集成与非、或非的电路基础集成与非、或非的电路基础 为了适应数字信号的逻辑处理，人们已将集成技为了适应数字信号的逻辑处理，人们已将集成技术应用于数字电路领域。从分析角度讲，该领域的电术应用于数字电路领域。从分析角度讲，该领域的电路属于增益器件的大信号应用。下面就基础的逻辑电路属于增益器件的大信号应用。下面就基础的逻辑电路原理讲解如下。路原理

30、讲解如下。1. 基础逻辑非门基础逻辑非门 根据表根据表3-2-1的非逻辑信号目标，即输入代表信息的非逻辑信号目标，即输入代表信息1的高电平时，电路应输出低电位；当输入代表信息的高电平时，电路应输出低电位；当输入代表信息0的低电平时，电路应输出高电位。由此，可以采用共的低电平时，电路应输出高电位。由此，可以采用共发射极晶体管电路的反相原理来实现逻辑非的数字信发射极晶体管电路的反相原理来实现逻辑非的数字信号处理，具体电路如图号处理，具体电路如图 6-2-1(a)所示。所示。 第第 6 章集成器件基础章集成器件基础36 （a）原理图）原理图 （b）分析曲线）分析曲线图图6-2-1 逻辑非门电路原理逻

31、辑非门电路原理 下面分析的关键是找出：代表信息下面分析的关键是找出：代表信息1和和0的高、的高、低电平大小和范围。低电平大小和范围。第第 6 章集成器件基础章集成器件基础37 由图由图6-2-1(b)可知，在晶体管处于饱和状态时，电可知，在晶体管处于饱和状态时，电路输出低电平为路输出低电平为 （6-2-1） satCEOVv 设晶体管处于饱和和放大的临界状态时，可得设晶体管处于饱和和放大的临界状态时，可得 （6-2-2） 实际晶体管饱和输出电压在实际晶体管饱和输出电压在0.10.3V左右，则左右，则 satCEVvmaxOL VvV3 . 01 . 0L（6-2-5）第第 6 章集成器件基础章

32、集成器件基础38 如考虑到晶体管截止时，输出电压约为的情况，如考虑到晶体管截止时，输出电压约为的情况，电路高电平应限制在电路高电平应限制在 （6-2-6） CCVv H 若进一步考虑到，晶体管截止时的若进一步考虑到，晶体管截止时的 的实际的实际情况。为使电路可计算，此时电流用穿透电流情况。为使电路可计算，此时电流用穿透电流 ICEO 来来劲时表示，则电路高电平的限制范围为劲时表示，则电路高电平的限制范围为 （6-2-7） 0CiCEOCCCIRVvH第第 6 章集成器件基础章集成器件基础392. 晶体管集成逻辑与非门晶体管集成逻辑与非门 与非逻辑电路是指能完成如表与非逻辑电路是指能完成如表6-

33、2-1所示的输入输所示的输入输出关系的具体电路。出关系的具体电路。 输入特输入特性描述性描述输入输入 viA输入输入 viB输入输入 viC中间量中间量vc1输出输出vo输入含一输入含一个个0以上以上00001001010011100101110输入全输入全111110第第 6 章集成器件基础章集成器件基础40 晶体管集成逻辑与非门的典型逻辑电路如图晶体管集成逻辑与非门的典型逻辑电路如图6-2-2所示。图中输入级的管完成逻辑与的功能，中间级和所示。图中输入级的管完成逻辑与的功能，中间级和输出级一起完成逻辑非的功能。输出级一起完成逻辑非的功能。 （a）原理图 （b）输入输出关系曲线第第 6 章集

34、成器件基础章集成器件基础41 其中，其中，T1管的逻辑与功能是利用管的逻辑与功能是利用T1管的多发射级管的多发射级晶体管来实现的。类似于题图晶体管来实现的。类似于题图1-13(b)的二极管的逻辑的二极管的逻辑关系，具体可采用图关系，具体可采用图6-2-3来说明来说明(a)集成内部示 (b)等效电路符号 (c)原理说明图图6-2-3 多发射级晶体管第第 6 章集成器件基础章集成器件基础42 由图由图6-2-2(b)可见，该集成电路输入低电平可见，该集成电路输入低电平在在0.350.6V，高电平在，高电平在23.6V范围内是可靠范围内是可靠的。当然，若考虑到温度等因素的影响，我们的。当然，若考虑到温度等因素的影响，我们在实际中还应留有余地，有关讨论，可以参见在实际中还应留有余地，有关讨论，可以参见数字电路的相关课程教材。数字电路的相关课程教材。 第第 6 章集成