ME-P-03C_3+及以上、Anylayer_结构HDI板制作指引_1

1、学生 奥士康精密电路(惠州)有限公司:Aoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：ARevised Description List 修订对照表AInitial vision布管制文件一不得私自复印！第1页；共14页保管部门： 布二奥士康精密电路（惠州）有限公司Aoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd文件名称:文件状态:文件编号版本-修订号：AContent 目录Page页码1.0Purpose 目的2.0Scope范围3.0Reference参考文件4.0Def

2、inition 定义5.0Responsibility and authority 职责权限6.0Flow chart流程图7.0Procedure 程序7.1 Process Design工艺流程设计7.2 Notice for tooling design工具设计注意点8.09.07.3 Current Loading Coupon耐电流测试模块设计Record记录Appendix 附件管制文件-不得私自复印!第#页；共14页保管部门:0冬奥士康精密电路(惠州)有限公司_:Aoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd文件名称：文件状态：文件编号：版

3、本-修订号：A1.0 Purpose 目的为奥士康集团有限公司制作3+及以上多阶 HDI板和Anylayer结构设计的 HDI板的工艺流程、工具设计制作建立规范，为 PE和QAE进行制作工具制作与工具审核时，提供参考依据。2.1 Scope 范围适用于奥士康集团有限公司三阶及多阶HDI板和Anylayer结构设计的 HDI板的生产和工具制作。2.2 Reference参考文件3.1 HDI板设计指引总则3.2 内层图形工具制作规范3.3 压板工序设计及工具制作规范3.4 机械加工工序工具制作规范3.5 外层图形工具制作规范3.6 绿油工序工具制作规范4.0 Definition 定义4.1 H

4、DI孔：指由激光钻机制作完成的导通孔，亦称 H孔或盲孔或激光孔；4.2 三阶HDI板：指至少含有 L1/2/3/4或L1/4三阶HDI孔的PCB板(板上同时可能还有一/二阶HDI孔，也可能没有一 /二阶HDI孔)，通常该板结卞表达为：3+X+3 ,多阶板依此类推；4.3 多阶板HDI板：指三阶或三阶以上的 HDI PCB板，通常该板结构表达为：n+X+n, (n 43)4.4 Anylayer板：指相邻每层都仅含一阶HDI孔的PCB板。通常该板结构表达为：n+2+n ,其由双面板开始，依此叠加进行压板及钻镭射孔；4.5 三阶及 Anylayer板结构中各种 HDI层别定义表示如下:1.1234

5、城孔式三访HEH孔文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A5.0 Responsibility and authority职责权限5.1 制作工程部（ME）:根据各工序生产能力制定及修改本程序；5.2 产品工程部（PE）:按此程序规定，为 MI制作与菲林制作提供制作指弓I;5.3 品质工程部（QAE）:按此程序规定，进行工具审核及MI校正。6.1 Flow chart 流程图参照HDI制造工序流程指示文件内容6.2 Procedure 程序7.1 Process Design工艺流程设计7.1.1三阶HDI板及Anylayer典型结构示意图.IL1JL2PJL41ISJIJ51L71L8

6、1L9IL1管制文件-不得私自复印!第#页；共14页保管部门:图1 L38含埋孔的卜层填孔式三阶11D1板结构作图2 L38含理孔的I 层右梯式二阶I1DI板结构图文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：AE:1 L1 rSS 1JJ,1 lH11:o15S3 5 t1Tl图3卜层Any layer板切片图图4卜层Any layer板正构图产品类型生产流程说明三阶盲孔设计L04/05, L06/07开料-IDF（前处理-贴膜-曝光-DES） - IAOI1.MI上备注开料前烤板；阶梯式三阶盲孔设计L03/08L04/05,L06/07棕化-L03/08排板/层压fCFM 钻靶/压板后处理-

7、减铜-二次棕化-LDD激光钻孔-机械钻孔-磨板-除胶- 沉铜闪镀-全板电镀 -L03/08 IDF（前处理-贴膜-曝光-DES） fL03/08OAOI1 .减薄铜控制 8+/-1um ;2 .二次棕化后铜厚控制6+/-1um ;填孔式三阶盲孔设计（L03/08）L04/05,L06/07棕化-L03/08排板/层压fCFM 钻靶/压板后处理- 减铜（1） 一二次棕化-LDD激光钻孔-磨板-除胶-沉铜闪镀- 水平填孔电镀 fX-RAY钻靶孔-减铜（2） 一机械钻孔-磨板- 除胶-沉铜闪镀-全板电镀 -L03/08 IDF（前处理-贴膜-曝光- DES）-L03/08 OAOI1 .减铜（1）后

8、铜厚控制8+/-1um ;2 .二次棕化后铜厚控制6+/-1um ;3 .减铜（2）后铜厚控制12+/-3um ;阶梯式三阶盲孔设计L02/09L02/09棕化-L02/09排板/层压fCFM钻靶/压板后处理-二次 棕化fLDD激光钻孔-磨板-除胶-沉铜闪镀-全 板电镀 -L02/09IDF（前处理-贴膜-曝光-DES）-L02/09 内层 AOI1 .二次棕化前不需减铜；2 .二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um ;阶梯式三阶盲孔设计L01/10L01/10棕化-L01/10排板/层压fCFM钻靶/压板后处理-减铜 二次棕化fLDD激光钻孔-机械钻孔磨板 除胶 沉 铜闪镀-全板电镀-

9、L01/10 ODF（前处理-贴膜-曝光-DES）- L01/10OAOI1 .减薄铜控制 8+/-1um ;2 .二次棕化后铜厚控制6+/-1um填孔式三阶盲孔设计L02/09L02/09棕化 -L02/09排板/层压fCFM钻靶/压板后处理-二 次棕化-LDD 激光钻孔-磨板-除胶-沉铜闪镀-水平填孔电 镀-L02/09 IDF（前处理贴膜曝光-DES） - L02/09内层AOI1 .二次棕化前不需减铜；2 .二次棕化后铜厚控制8.75+/-0.75um ;填孔式三阶盲孔设计（L01/10）L01/10棕化-L01/10排板/层压fCFM钻靶/压板后处理-减铜（1）一匚次棕化 -LDD激

10、光钻孔-磨板-除胶-沉铜闪镀-水平1 .减铜（1）控制 8+/-1um；2 .二次棕化后铜厚控制6+/-1um文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：AAoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd填孔电镀fX -RAY钻靶孔-减铜（2）-机械钻孔-磨板-除胶- 沉铜闪镀-全板电镀-L01/10 ODF（前处理-贴膜-曝光-DES）- L01/10 OAO I3.减铜（2）后铜厚控制12+/-3um ;Anylayer 流程(以 10 层 Anylayer为例)L5/6开料-L5/6机械钻孔（钻工具孔）-锣板修边（倒圆角）-L5/6IDF （采用湿膜

11、做CFM开窗）或者二次棕化 -L5/6激光钻 孔-L5/6除胶-L5/6沉铜闪镀fL5/6水平填孔电镀-L5/6IDF（前处理-贴膜-曝光-DES）- L5/6AOI -L4/7 棕化排 板压板-CFM钻靶孔-压板后处理-二次棕化-激光钻孔（LDD）-磨板-除胶-沉铜闪镀-水平填孔-IDF（前处理-贴 膜-曝光-DES户IAOI-L3/8棕化-排板压板-CFM钻靶孔-压板后处理-二次棕化-激光钻孔（LDD）-磨板-除胶-沉铜闪镀-水平填孔-IDF（前处理-贴 膜-曝 光-DES户IAOI -L2/9棕化-排板压板-CFM 钻靶孔-压板后处理-二次棕化-激光钻孔（LDD）- 磨板- 除胶-沉铜闪

12、镀-水平填孔-IDF（前处理-贴膜-曝光-DES户IAOI-L1/10棕化-排板压板-CFM钻靶孔-压板后处理-减铜-二次棕化-通盲孔拆分电镀 （激光钻孔（LDD）-磨板-除胶-沉铜闪镀-水平填孔电镀fXRAY钻靶孔-减铜（2） 一机械钻孔-磨板-除胶-沉铜闪镀- 全板电镀）/通盲孔合镀（激光钻孔（LDD）-机械钻孔-磨板-除 胶-沉铜闪镀-垂直填孔电镀-水平填孔电镀）-机械钻孔- ODF（前处理-贴膜-曝光-DES）- OAOI1.L5/6层锣板修边时，注明 倒圆 角”；在除胶流程后面备注 除胶前 过薄板清洗线；走LDD流程 时：二次棕化后铜厚控制9.5+/-0.5um ;2.L4/7,L3

13、/8,L2/9 流程中，若本层 板厚大于等于0.3mm时设计磨板流程，否则直接在除胶流程后 面备注除胶前过薄板清洗线”； 3.开料后的机械钻孔钻出后工序 需使用工具孔；开料后的机械钻 孔；a、 CFM+湿膜：用于钻出板角的 镭射、湿膜曝IDF光、 和锣 板修边的定位孔；b、 LDD :开料后的机械钻孔用 于IDF钻出板角的镭射、和 锣板修边的定位孔。4.BU 层（L4/7, L3/8,L2/9）二次棕 化前不需减铜，二次棕化后铜厚 控制 8.75+/-0.75um5. L1/10 （外层）减薄铜控制 8+/-1um ; 二次棕化后铜 厚控制6+/-1um。外层板表面涂覆与检 测生产流程绿油-字

14、符-沉银金-阻抗测试-铳外形 -ETEST - 最终检验 -FQA抽检-包装此流程为典型生产流程，具体依 客户对板面表面要求决定。Remark: 1.布二奥士康精密电路（惠州）有限公司以上的流程中沉铜闪镀均是在水平线（LbCu12生产），MI需要注明使用水平电镀线;2.3.表中所有 CFM表示“CFM前处理-贴膜-曝光-蚀刻”;耐电流测试按照正常 HDI板流程设计，安排在内外层AOI工序;7.1.3工艺流程设计注意点LDD流7.1.3.1 Anylayer的芯Core层在满足客户要求及内部制作要求的情况下，优先使用程；生产（芯板 LDD流程适用范围如下）若由于部分限制条件或客户要求无法使用LD

15、D流程时，则镭射采用CFM开等大窗设计，且在 CFM工序后备注 蚀刻后控制开窗尺寸 A+/-15um （A指设计的孔径）”其余各层镭射孔均为LDD工艺，但当不能管制文件-不得私自复印!第#页；共14页保管部门:学生 奥士康精密电路（惠州）有限公司:Aoshikang Precision Circuit（HuiZhou）Co.,Ltd文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A设计LDD工艺时，需与 ME沟通决定工艺设计；（对于任何 HDI板中采用叠盲孔设 计的盲孔，处于叠孔下方的盲孔优先采用LDD工艺设计；若出现其它限制导致无法使用LDD工艺时，需采用 CFM开等大窗工艺设计且在CFM工序备

16、注控制开窗蚀刻后完成尺寸：A+/-15um （A指设计的孔径）；Any layer制板芯板适用 LDD流程目前适用范围： （1）芯板开料设计铜厚为T&TOZ（2）芯板介厚与镭射钻孔孔径控制符合以下条件 A、 CS Core厚2mil （不含铜），孔径设计为 3.5mil; B、 CS Core厚2.5mil （不含铜），孔径设计为 3.5mil; C、 CS Core厚3mil （不含铜），孔径设计为 4.5mil; 如有其它设计需提前与ME确认是否可以制作。7.1.3.2对于Anylayer设计的CS层（双面板），优先采用 2.5mil（不含铜）设计，如镭射工艺 采，孔径设计为用CFM开等大

17、窗（蚀刻完成开窗直径控制D（盲孔孔径）+/-15um）3.54.5mil ,若必须采用 3mil core设计，则采用 CFM开等大窗设计（蚀刻完成开窗 直径控制 D（盲孔孔径）+/-15um）,孔径设计为 4.5mil5mil ;采用其它厚度 Core时需 与ME协商处理；对于孔径加大后通过移线或移孔仍然出现间距不足问题时，允许局 部削Pad至最小2.5mil ,超出此范围后需与 ME协商。7.1.3.3 Anylayer芯板（CS层）在电镀工序（薄板清洗线、沉铜闪镀、填孔电镀等）容易卡板报废，因此，满足以下条件制板，需增加锣板修边流程对制板板角倒圆角：（1）满足条件：Any layer芯板

18、Core厚3mil及3mil以下（不含铜）（2）流程设计：开料 一钻工具孔一锣板修边一芯板正常流程 一除胶渣一正常流程7.1.3.4 镭射钻使用 LDD工艺时，若本层镭射孔的最小孔底pad单边小于3mil ,则需要镭射钻孔时需使用 Skiving烧靶制作（除芯板LDD流程使用机械钻孔钻出通孔定位外&外层使用CFM通孔定位外）；若本层镭射孔的最小孔底pad单边大于等于 3mil,则不需要增加镭射钻孔Skiving烧标靶，直接走正常的LDD流程；另外，当本层镭射孔的最小孔底pad单边小于3mil时，需要在其之前的一层的线路曝光工序中备注使用DI/LDI曝光制作（例如L8/7和3/4的镭射孔底 Pa

19、d在此范围时，在 L4/7的IDF 曝光工序；备注使用DI/LDI机制作）文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A7.1.3.5 Anylayer板的Panel size常规设计为 16.2x20.4”,最大尽量不要超过18.4X21（特殊有超过时请与 ME沟通解决）；且单元内unit/set的排布要求规则，不可以出现横竖排 列并存情况。为避免镀铜均匀性对单元内的影响，除外层外的其他需电镀层次要求板边设计需20mm但镀夹边30mm）在不影响板料利用率的前提下，板边尽量大；对于 3+及以上HDI板最大尺寸不要超过20.4” X24.4” ；7.1.3.6 针对填孔板，若同时含有通孔和盲孔的

20、层且需填盲孔，原则上均设计通盲孔拆分电镀； 即：镭射一电镀填孔一机械钻一电镀；（对于不同板 ME测试后确认可以一次性镀时， 再各板单独修改流程，其中如部分制板ME已ECN更改为通盲孔合镀流程，对于等同设计制板或制板升级版本时，可参考设计）；7.1.3.7 三阶及以上 HDI和Anylayer盲孔设计中：（1） Anylayer 芯板A、如芯板设计为 LDD流程时，流程设计为：开料-钻工具孔锣板修边（倒圆角）（注意：满足条件时才增加此流程）一二次棕化一镭射钻孔；B、如芯板设计为CFM流程时，流程设计为：开料-钻工具孔一锣板修边（倒圆角）（注意：满足条件时才能增加此流程）-CFM-镭射钻孔一后续正

21、常流程；（2） BU层（且只含有盲孔）盲孔均采用12um铜直接钻孔工艺，流程为：层压后处理一二 次棕化（棕化后铜厚8.75+/-0.75um）-LDD 镭射钻孔后续正常流程；（3）其它各层的 LDD走的流程：层压后处理-减薄铜（8+/-1um）-二次棕化（棕化后铜 厚6+/-1um）-LDD 镭射钻孔-（机械钻孔）-后续正常流程；7.1.3.8 各层次线路蚀刻干膜宽度需满足：0.1 ” =边后当层基板尺寸L-当层CFM/线路干膜尺寸 W=0.2 ；7.1.3.9 Anylayer板的CS层走CFM工艺时，需要设计走IDF湿膜流程且全板涂覆湿膜，曝光菲林设计时，菲林边不需要留黑边，即板边不留基材

22、区设计：7.1.3.10 镭射走LDD工艺的板，在镭射钻（/机械钻）后到电镀时，若本层板厚度小于0.3mm,请在除胶流程中备注除胶前过薄板清洗线”；当板厚=0.3mm时则为正常的在除胶前加磨板”流程；7.1.3.11 锣板后的过IR流程并非必需要流程，若客户有明确要求必须过IR或按照 ME其他文件规定需要过IR时方需要设计过IR流程；管制文件-不得私自复印!第7页；共14页保管部门：布二奥士康精密电路（惠州）有限公司Aoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd文件名称:文件状态:文件编号版本-修订号：A7.1.3.12 对于Anylayer设计的CS层

23、（双面板），如无法满足 LDD流程条件而需要使用CFM流程时，铜箔选择需满足客户铜厚要求及线路制作要求（若设计采用H OZ铜箔时又由于铜厚原因需要在CS填孔后IDF前增加减铜流程时，选用 1/3 OZ铜设计）；Anylayer的各层，当其最小线宽/线距设计 50um时，优先选用反转铜箔（RTF铜箔），所有HDI板存在线宽/线距W50um时，同样优先选用反转铜箔（ RTF铜箔）；7.1.3.13 对于3+及以上/Anylayer结构设计的板，若介电层可以使用106/1067PP时且使用的材料供应商提供1067PP时，在满足压合其它限制条件的前提下，必须优先使用1067PP,以改善压板变形问题，1

24、067Pp相关镭射孔设计同106Pp 一致。7.1.3.14 Notice for tooling design 工具设计注意点7.2.1 Anylayer芯板锣板修边工具设计（1）设计要求A.芯板为LDD流程&CFM湿膜流程时（湿膜流程，全板覆盖湿膜油墨;CFM湿膜流程MI备注 涂覆不留边”，锣板修边设计：四角倒圆角，R=20mm（请注意锣板程序资）料在制作时，下刀及出刀处保证无尖角），如下图所示 A;为减少曝光过程中产生的板角干膜碎，Anylayer结构芯板层图形制作时，四个板角在倒圆角锣带基础上往里+2mm区域做成非曝光区，见下图 B所示B.钻工具孔工具制作时，需在四角增加一组3.175

25、mm锣板修边用定位孔（如下图涂色示管制文件-不得私自复印!第9页；共14页保管部门:奥士康精密电路(惠州)有限公司Aoshikang Precision Circuit(HuiZhou)Co.,Ltd文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A管制文件-不得私自复印!第11页；共14页保管部门:C.锣板修边用定位孔系数设定为：1:1 （属性设定为不作拉伸处理）；锣板修边锣带按照1:1制作；锣板修边工具孔不能使用于其它流程；D.除锣板修边工具孔特别控制外，镭射钻孔、图形制作及机械钻孔等工序使用定位孔 按照正常拉伸系数进行制作；E.另外，若为LDD流程，镭射钻孔及图形制作使用相同定位孔；若为 C

26、FM流程， CFM及图形制作使用相同定位孔，镭射钻孔定位孔按照SOP设计使用 CFM蚀刻出来的定位标靶制作。7.1.3.12 孔时根据板边的对位Mark定位，Mark点需要设计内层 Mark点和通孔 Mark点两种。7.2.2.1内层 Mark ：当盲孔底 pad的最小 Annular Ring在2.5mil以下时，盲孔对位Mark采用其下一层的内层标靶对位；各层标靶独立设计;bottom文件名称：文件状态：文件编号：版本-修订号：A7.2.2.2内层 Mark图形：内层菲林设计：内环为直径1.0mm的铜盘（Copper Pad）外环，（Clearance）为130mil的基材圈。CFM菲林设

27、计：直径 130mil的基材圈。I心内层萨林图1CFM邪林设计7.2.2.3 通孔Mark：若盲孔底 pad的最小 Annular ring 在2.5mil以上时，采用四个角 4个 通孔进行对位，此通孔为CFM对位孔，由压板后处理采用X-Ray钻孔机钻出，其设计同普通 HDI设计规范。（同普通 HDI板的LDD工艺激光钻孔对位 Mark ,直 接使用CFM曝光的四个 3.175mm孔做标靶，制作LDD工艺的激光钻带时只需将 原来的位标 PE靶坐标替换为此 4个孔的坐标即可）（但请注意7.1.3.2中关于使用 DI/LDI 机的要求）.7.2.2.4 当任何一次镭射只有单面有镭射孔而另外一面无镭

28、射孔时（Anylayer的CS层除外），CFM通孔Mark只设计在有镭射孔那一面的底层上；（例如若L3/8镭射钻时，若只有L3面有需做镭射钻而 L8面无镭射孔，则 L3/8的CFM对位孔的标靶只设计在 L4层上）7.2.3对于有机械钻孔的层次，其机械钻孔的定位孔和备用定位孔均需要尽量设计在板的长边或 宽边的正中间，且尽量向单元区域靠近，如下图所示，标靶1/2必须设计在宽边的正中间；标靶4/5必须设计在板长边的正中间（即 A=B）;学生 奥士康精密电路（惠州）有限公司:Aoshikang Precision Circuit（HuiZhou）Co.,Ltd文件名称:文件状态:文件编号版本-修订号：A管制文件-不得私自复印!第#页；共14页保管部门：7.2.4 由于3+和Anylayer板有多次层压及电镀填孔等，因此在板边标靶上与普通HDI比要求增加以下要求：7.2.4.1 板角的工具孔（测数同心圆，测数的各层独立标靶，CFM标靶，机械钻孔标靶和备用标靶，镭射标靶）紧挨着板角的单元，工具孔设计在离板角30mm以内区域；7.2.4.2 板边四个角无需添加常规的测数同心圆多层环标靶；但是需要添加9处对称的测数标靶（至少添加 1/2/3/7/8/9共6处，若4/5/6三处无空间添加时，在板中的set中