开关断开时：I = 0,开关两端电阻为 ppt课件

1、开关断开时：开关断开时：I = 0,I = 0,开关两端电阻为开关两端电阻为。开封锁合时：开封锁合时：R = 0, R = 0, 开关两端电压为开关两端电压为0 0。开关动作瞬时完成。开关动作瞬时完成。以上三点不受温度等环境要素影响。以上三点不受温度等环境要素影响。 在脉冲与数字电路中，晶体管经常被当作开关电子开关来运用，那么晶体管任务于开关形状其开关特性是什么？ 开关元件的作用是能把电路接通和断开。接通就是要元件呈现很小的电阻，最好接近于短路；断开就是要元件呈现很大的电阻，最好接近于开路。K硅二极管的伏安特性如下图：+-V VD(V VD0.5V )K+-V VD(V VD0.6V )VD=

2、 0.7V 由于二极管具有单导游电性，外加正向电压时导通，外加反向电压时截止。所以，二极管是受外加电压极性控制的开关。正向特性：正向特性： 硅二极管导通，伏安特性曲线非常峻峭。正向压降为0.7V的恒压源。反向特性：反向特性： 硅二极管截止，反相电流很小，普通在1以下，反相运用时，硅二极管相当于断开的开关。/DVV/I mA30201010203024600.5 1.0uA/DVV/I mA1086422040600.10.20.30.50+-V VD(V VD0V )IO+-V VD(V VD0 V )RD锗二极管的伏安特性如下图：正向特性：正向特性： 锗二极管导通，正向伏安特性变化缓慢。正向

3、压降随正向电流的添加而添加。可用等效电阻RD表示。反向特性：反向特性： 锗二极管截止，反向电流较大，普通在0.010.3m。通常用恒流源表示反向反向偏置锗二极管。恒流源的大小等于锗二极管的反向电流值。 通常情况下，可以将硅、锗二极管看作是理想开关，截止以为开路，导通视为短路。VD0ID VD0,二极管正偏，管压降为0,有大电流流过。等效开封锁合。当外加电压 VD 和 V t h 相比，不可忽略时： 二极管导通后，其管压降以为是恒定的，且不随电流变化而改动。典型值硅管0.7V，锗管0.3VV7 . 0VthVD0IDVIVOK2.2.二极管反向恢复时间：二极管反向恢复时间：理想情况下：理想情况下

4、：当 VI = VF 时，二极管正偏而导通。LDFIFRVVi当 VI = -VR时，二极管反偏而截至。0Fi 二极管由导通变为截止形状是不能瞬间完成。FVRVFi00iVittFi+ +- -VIVDF实践情况，二极管反偏时：实践情况，二极管反偏时：0Fi当 VI = VF 时，二极管导通。LDFIFRVVi当 VI由VF下跳到VR瞬间，LRRRVi 二极管依然导通，PN结两端仍有很小管压降。只需经过一段时间t R以后，流经二极管的电流才近似等于反向电流 IO 。t R ：反向恢复时间。t R = t s + t ft s ：存储时间。t f ：下降时间。FiiV0tFVRVit0FiRi反

5、向电流RtStft+ +- -VIVDF PN结正偏时，在外电压作用下，PN结两端多数载流子不断向对方分散，P区的空穴分散到N区，N区的电子分散到P区。P区存有大量电子，N区存有大量空穴。当外加电压由当外加电压由VFVF下跳到下跳到VRVR时：时： P区积累的大量电子被反向电场拉回到N区， N区积累的大量空穴被反向电场拉回到P区。构成电子、空穴漂移电流，这两个漂移电流就构成了反向电流 i R = -VR/RL 。存储时间存储时间 ts : ts : 反向电流 i R 使存储电荷逐渐消逝,接近空间电荷区的存储电荷消逝的比较快,当空间电荷区的边境处没有存储电荷时,二极管由正偏转向反偏。存储时间终了

6、。下降时间下降时间 tf : tf : 二极管由正偏转向反偏以后，反向电流随漂移电流的减少而减小。普通以为反向电流近似为 ：0.1 VR / RL时，下降时间 t f 终了。t R普通只需几个 ns VI0tVI0t、限幅原理：、限幅原理： 利用二极管单导游电性,完成限幅。在理想模型下,VD 0 二极管导通。VD 0, D 导通，VO = Vi 。当 Vi E , D 导通。 VO = Vi Vi V1 ，D2 正偏导通，D1反偏截止。D1能否导通看 A 点电位。121121RRRVVVVAVi VA ： D1 止、 D2 导。 VO=VAVA Vi V2：D1 导、D2 止。 VO=V2 并

7、联双向限幅器用同样分析方法。ivOvt02VAVA在输入端不加信号时：输入电压ViVA,D1才会导通。V2和VA分别为两个二极管导通或截止的分界。+ +- -V1VID1R1VO+ +- -V2D2R2限幅电平为VA的下限器幅限幅电平为V2的上限器幅下面主要讨论寄生电容对二极管限幅器的影响。寄生电容：接线电容、下一级输入电容之和。寄生电容：接线电容、下一级输入电容之和。 前面对二极管限幅器的分析没有思索二极管的开关惰性和寄生电容的影响，其结果只顺应于低速任务场所。在高速任务时，二极管的开关惰性和寄生电容的影响是不能忽略的。二极管限幅器作高速运用时：二极管限幅器作高速运用时： 首先选用高速开关二

8、极管，其反向恢复时间远小于任务周期。所以其开关惰性和结电容可以忽略不计。 其次要留意输出端寄生电容对输出波形有较大的影响，限幅电阻越大，对波形影响也就越大。首先输入理想方波tivOv02E1Ertft当：VI=-E2,D截止VO=0当：VI从-E2跳变为+E1时，D导通。+E1经过rd向CO充电。充电时常数充电时常数rd cord co当：VI从+E1跳变为-E2时，D截止。 CO经过电阻R放电。放电时常数放电时常数RCORCO输出电压上升时间：OdrCrt3 . 2输出电压下降时间：OfRCt3 . 2 由于Rrd，所以下降时间要比上升时间慢的多。 要改善下降边，必需减小R。减小R又会带来输

9、出幅度减小。 所以串连限幅器的下降边要比上升边差很多。VOVIRCOdrDivOv0t1E2E当：VI=-E2,D导通， VO=0当：VI从-E2跳变为+E1时，D截止。+E1经过R向CO充电。输出电压上升时间：输出电压上升时间：OrRCt3 . 2当：VI从+E1跳变为-E2时，二极管能不能导通？ 由于电容上电压不能突变，D依然截止。VO以时常数RCO从+E1趋向于-E2放电。放电三要素：放电三要素： 10EVO 2EVOORC输出电压：RCtOeEEEV122VIDRCOVOivOv1E02EtRCtOeEEEV122 当：输出电压VO下降到低于零时，二级管立刻导通，且将输出电压限制在0V。所以令VO=0,代入公式，求出下降时间tf:ft221lnEEERCtOf假设E1=E2:OfRCt7 . 0并联限幅器下降沿比