华中科技大学——纳米薄膜材料的制备

1、1第二章 纳米薄膜材料的制备（preparation of nano film materials） 22-1 纳米薄膜的分类（classify） 薄膜是一种物质形态，其中，无机薄膜的开发与应用更是日新月异，十分引人注目，已研制出厚度仅有1-100nm的超薄膜制品。（1） 根据组成（compose）分类n 单质元素薄膜n 化合物薄膜n 复合材料薄膜3（2） 按传统分类方法（traditional classify method）分类n 无机材料薄膜（又可分为玻璃膜、陶瓷膜、金属膜等）n 有机材料薄膜（3） 按结构（structure）分类n 非晶态薄膜n 多晶态薄膜n 单晶态薄膜4（4） 按用

2、途（purpose）分类n用于气体分离的薄膜n既用于分离，又具有催化反应功能的薄膜n既用于防腐蚀，又具有装饰功能的薄膜n用于电子信息技术的薄膜 薄膜的性能多种多样，有电性能、力学性能、光学性能、磁学性能、超导性能等。因此，薄膜材料在工业上有着广泛的应用，而且在现代电子工业领域中占有极其重要的地位，是世界各国在这一领域竞争的主要内容，也从一个侧面代表了一个国家的科技水平。52-2 纳米薄膜材料的功能特性（function characteristics） 2.2.1 纳米薄膜的光学特性（optical characteristics）（1） 蓝移和宽化（blue shifting and wid

3、en） 纳米颗粒膜，特别是IIB族-VIA族半导体CdSxSe1-x以及IIA族-VA族半导体CaAs的颗粒膜，都能观察到光吸收带边的蓝移（由于量子尺寸效应，纳米颗粒膜能隙加宽，导致吸收带向短波方向移动）和宽化（颗粒尺寸有一个分布，能隙宽度有一个分布，这是引起吸收带和发射带以及透射带宽化的主要原因）现象。6光学线性效应（optical linearity effect） 光学线性效应指介质在光波场（红外线、可见光、紫外线以及X射线）作用下，当光强较弱时，介质的电极化强度与光波电场强度的一次方成正比的现象。例如，光的反射、折射、双折射等都属于线性光学范畴。 （2） 光学线性与非线性（optica

4、l linearity and non-linearity）7 一般说来，当多层膜的每层膜的厚度与激子玻尔半径相比拟或小于激子玻尔半径时，在光的照射下吸收谱上会出现激子吸收峰，这种现象也属于光学线性效应。 图2-1是准三维到准二维转变中，InGaAs-InAlAs的线性吸收谱。86007.5nm表示InAlAs膜的厚度图2-1 InGaAs-InAlAs多层膜由准三维到准二维（曲线14）转变中线性吸收谱图9n光学非线性效应（optical nonlinearity effect） 指在强光作用下介质的极化强度中会出现与外加电磁场强度的二次、三次以至高次方成正比例的项，从而使得介质的电极化强度与

5、光波电场强度不再成一次方正比的现象。 对于光学晶体来说，对称性的破坏，介质的各向异性都会引起光学非线性。 10 对于纳米材料，由于小尺寸效应、宏观量子尺寸效应，量子限域和激子是引起光学非线性的主要原因。 当激发光的能量低于激子共振吸收能量时，不会出现光学非线性效应；只有当激发光能量大于激子共振吸收能量时，能隙中靠近导带的激子能级很可能被激子所占据，处于高激发态。这些激子十分不稳定，在落入低能态的过程中，由于声子与激子的交互作用，损失一部分能量，这是引起纳米材料光学非线性的一个原因。112.2.2 纳米薄膜的电学特性（electrical properties of nano film mate

6、rials） 纳米薄膜的电学性质是当前纳米材料科学研究中的热点，这是由于纳米薄膜电学性质可以帮助解释导体向绝缘体的转变、绝缘体转变的尺寸限域效应。 常规导体，例如金属，当尺寸减小到纳米数量级时，其电学行为会发生很大变化。有人在Au/Al2O3的颗粒膜上观察到电阻反常现象，随着Au含量的增加（即增加纳米Au颗粒的数量），电阻不仅不减小，反而急剧增加，如图2-2所示。从这一实验现象我们认为，尺寸因素在导体和绝缘体的转变中起着重要的作用。当然存在一个临界尺寸，当金属颗粒的粒径大于临界尺寸时，将遵守常规电阻与温度的关系；当金属颗粒的粒径小于临界尺寸时，就可能失掉原有的特性。 12图2-2 Au/Al2

7、O3颗粒膜的电阻率随Au含量的变化132.2.3 磁阻效应（magnetical resistance effect）磁（电）阻效应 指材料的电阻值随磁化状态变化的现象称为磁（电）阻效应。 磁阻效应习惯上用 表示，其中 ， 和 分别表示磁中性和磁化状态下的电阻率。 对非磁性金属， 值很小，而铁磁金属与合金的值具有较大的数值。00H0H014 FeNi合金磁阻效应可达2-3%，且为各向异性。 比FeNi合金磁阻效应大得多的磁阻效应称为巨磁阻效应（huge magnetical resistance effect） 。具有巨磁阻效应的材料正是纳米多层薄膜。1998年首先发现（Fe/Cr）n多层薄膜

8、的巨磁阻效应高达20%。通常认为：。 利用巨磁效应制成的读出磁头，可显著提高磁盘的存储密度，利用巨磁效应制作的磁阻式传感器灵敏度高。因此，巨磁阻材料有很好的应用前景。152-3 纳米薄膜材料的制备技术（preparation technology of nano film materials）n纳米薄膜分为两类由纳米粒子组成或堆垛而成的薄膜在纳米粒子间有较多的孔隙或无序原子或另一种材料的薄膜，例：纳米粒子镶嵌在另一基体材料中的颗粒膜n按原理，纳米薄膜的制备方法可分为：物理方法化学方法n按物质形态，纳米薄膜的制备方法可分为：气相法液相法16真空蒸发法（单源单层蒸发、单源多层蒸发、多源反应共蒸发）

9、磁控溅射 又分为直流磁控溅射（单靶（反应）溅射、多靶反应共溅射）、射频磁控溅射（单靶（反应）溅射、多靶反应共溅射）离子束溅射（单离子束（反应）溅射、双离子束（反应）溅射、多离子束（反应）溅射）分子束外延（1） 物理方法（physical methods）17化学气相沉积（CVD）金属有机物化学气相沉积（MOCVA）热解化学气相沉积（热解CVD）等离子体增强化学气相沉积（PECVD） 激光诱导化学气相沉积（LVCD）微波等离子体化学气相沉积（MWCVD）、 溶胶-凝胶法（sol-gel method）电镀法（electroplate）（2） 化学方法（chemical methods）182.3

10、.1 物理气相沉积法（physical vapor deposition） 制备纳米薄膜的两种主要途径：在非晶态薄膜晶化的过程中控制纳米结构的形成。例如：采用共溅射方法制备了Si/SiO2纳米薄膜。在薄膜的形核生长过程中控制纳米结构的形成，其中，薄膜沉积条件的控制显得特别重要。溅射制膜工艺表明，在高溅射气压、低溅射功率条件下易于获得纳米薄膜。例如：在CeO2-x、Cu/CeO2-x的研究中，在160W、2030Pa的条件下制备了粒径为7nm的纳米颗粒薄膜。物理气相沉积（PVD） 是常规的制膜手段，广泛应用于纳米薄膜的制备与研究工作中，分为蒸镀、电子束蒸镀、溅射等。19气相物质的产生 蒸发镀膜：

11、通过加热蒸发沉积物产生气相物质溅射镀膜：用具有一定能量的粒子轰击靶材，从靶材中轰击出沉积物原子气相物质的运输 气相物质运输要求在真空条件下进行，主要是为了避免气体碰撞妨碍沉积物达到基片，这样沉积物可沿直线沉积到基片上，沉积速率较快。（1） 气相沉积的基本过程（basic process）20气相物质的沉积 气相物质在基片上沉积是一个凝聚过程。控制凝聚条件，可制备非晶态膜、多晶膜或单晶膜。 沉积过程中，沉积物原子之间发生化学反应形成的化合物膜称为反应膜；用具有一定能量的离子轰击靶材，改变膜层结构与性能的沉积过程称为离子镀膜。21a、真空蒸发制膜（ 简称蒸镀 ）原理（图2-3） （a） 电阻加热

12、（b） 电子束加热 （c） 高频加热图2-3 真空蒸发装置原理示意图（2） 真空蒸发制膜（vacuum evaporation）22蒸镀原理 在高真空中，将源物质加热到高温，相应温度下的饱和蒸气向上散发，蒸发原子在各个方向的能量并不相等。基片设在蒸气源的上方阻挡蒸气流，于是蒸气则在基片上形成凝固膜。为了弥补凝固蒸气，蒸气源要按一定比例供给蒸气。 23电阻加热蒸镀 加热器材料常使用W、Mo、Ta等高熔点金属，可制成丝状、带状和板状薄膜。电子束加热蒸镀 （图2-4） 灯丝发射的电子经610kV的高压加速后进入偏转磁场被偏转270之后，轰击W等高熔点金属，使之熔化并升华，从而制备出薄膜。图2-4 电

13、子束加热蒸发源b、蒸镀方法24合金膜的制备（preparation of alloy film）图 2-5 单蒸发源和多蒸发源制取合金膜示意图n 沉积合金膜要求在整个基片表面和膜层厚度范围内成分必须均匀。n 两种基本沉积方式（图2-5）：单电子束蒸发源沉积、多电子束蒸发源沉积。25蒸镀 由于大多数化合物在加热蒸发时会全部或部分分解，因此，采用简单蒸镀技术无法由化合物直接制成符合化学计量式的膜层。但是，化合物膜的制备（preparation of compound film）26反应镀（reaction plating） 例如：制备TiC薄膜是在蒸镀Ti的同时，向真空室通入乙炔（C2H2），于是

14、基片上发生以下反应 2Ti + C2H2 2TiC + H2 从而得到TiC薄膜。 c、蒸镀的用途 ，如用作电极的导电膜、光学镜头用的增透膜等。蒸镀纯金属膜中，90%是铝膜。27（3） 分子束外延（molecule beam extension） 以蒸镀为基础发展起来的分子束外延技术和设备，经过10余年的发展，近年来已制备出各种IIIB-VA族化合物的半导体器件。 外延是目前，利用分子束外延技术制备的膜厚可达到单原子层。28（4） 溅射制膜（spattering） 溅射现象于19世纪被发现，50多年前被用于制膜。 溅射制膜是。 溅射制膜装置有多种，如二极溅射、三极溅射、四极溅射、磁控溅射、对向

15、靶溅射、离子束溅射等。29反应溅射（reaction spattering） 若在Ar中混入反应气体，如O2、N2、CH4、C2H2等，可制备靶材的氧化物、氮化物、碳化物等化合物薄膜。偏压溅射（bias voltage spattering） 在成膜的基片上，若施加-500V的电压，在离子轰击膜层时同时成膜，并能使膜层致密，改善薄膜的性能。射频溅射（radio frequency spattering） 在射频电压作用下，利用电子和离子运动特性的不同，在靶材的表面上感应出负的直流脉冲而产生的溅射现象，对绝缘体也能进行溅射镀膜。30离子束溅射（ion beam spattering） 指。注意：

16、离子束溅射制膜价格昂贵，只有在用于分析技术、制备特殊的薄膜时才用离子束溅射。等离子束溅射（plasma beam spattering） 指。根据轰击粒子的种类，溅射镀膜分为两类等离子体物理的发展为材料、能源、信息、环境空间、空间物理、地球物理等科学的进一步发展提新的技术和工艺。 31a、离子溅射的种类 当入射离子的能量在100eV10keV范围时，离子会从固体表面进入固体内部，与构成的固体原子和电子发生碰撞。若反冲原子的一部分达到固体表面，且具有足够的能量，则这部分反冲原子会克服逸出功而飞离固体表面，这种现象称之为“离子溅射”。32 直流二极溅射（direct current two ele

17、ctrode spattering）（图2-6） 由一对阴极和阳极组成的冷阴极辉光管结构，被溅射靶（阴极）和成膜的基片及其固定架（阳极）构成溅射装置的两个极，阴极上接13kV直流负高压，阳极通常接地。 图 2-6 直流二极溅射装置33直流二极溅射的优点 结构简单、控制方便。直流二极溅射的缺点n 当工作电压较高时，膜层有沾污n 沉积速率低，不能镀10m以上厚的膜n 由于大量二次电子直接轰击基片，使基片升温过高34三级溅射（three electrode spattering） ，这样既能提高溅射速率，又便于控制溅射工况。它可以在主阀全开的状态下制备高纯度薄膜。35 四极溅射（ four elec

18、trode spattering）：在原来二级溅射靶和基片垂直的位置上分别放置一个发射热电子的灯丝（热阴极）和吸引热电子的辅助阳极，其间形成低电压、大电流的等离子体弧柱，大量电子碰撞气体电离，产生大量离子。：不能抑制由靶材产生的高速电子对基片的轰击；存在因灯丝具有不纯物质而使膜层污染。图 2-7 四极溅射装置36 射频溅射（radio frequency spattering）n 射频指。为了避免干扰电台工作，溅射专用频率规定为13.56MHz。在射频电源交变作用下，气体中的电子随之发生振荡，并使气体电离为等离子体。（阳极） ：与机壳相连，且接地，其相对安装靶材的电极而言，大积大，电位与等离子

19、体相近，几乎不受离子轰击：对于等离子体处于负电位，受离子轰击：大功率的射频电源不仅价格高，对于人身防护也成问题，因此，不适合用于工业生产。37 磁控溅射（magnetron sputtering） 磁控溅射是20世纪70年代迅速发展起来的新型溅射技术，目前已在工业生产中应用。这是由于磁控溅射的镀膜速率与二级溅射相比提高了一个数量级，。注意：。38 在阴极靶面上安装一个环状磁靶（图2-8），以使二次电子跳跃式地沿着环状磁场转圈，离子轰击靶面所产生的二次电子在阴极暗区被电场加速之后飞向阳极。 实际上，任何溅射装置都有附加磁场以延长电子飞向阳极的行程，使电子尽可能多产生几次碰撞电离，从而增加等离子体

20、密度，提高溅射效率。只是磁控溅射所采用的环形磁场对二次电子的控制更加严密。图2-8 平面磁控溅射靶39 。环状磁场是电子运动的轨道，环状的辉光和沟槽可形象地将其表现出来。 能量较低的二次电子在靠近靶的封闭等离子体中做循环运动，路程足够长，每个二次电子使原子电离的机会增加，且只有当二次电子的能量耗尽后才能脱离靶表面而落在阳极（基片）上，这是基片升温慢、损伤小的主要原因。 高密度等离子体被电磁场束缚在靶面附近不与基片接触，于是电离产生的正离子能十分有效地轰击靶面，基片又免受等离子体的轰击，电子与气体原子的碰撞几率高，因此，气体离化速率大大增加。40n ：原理结构简单，但其形状限制了其用途n ：在工

21、业生产中应用最多，目前已有长度达4m的矩形靶用于镀制窗玻璃的隔热膜。 与二级溅射相比，其镀膜速率可提高一个数量级，且镀膜时基片温度低、损伤小。 磁控溅射靶的溅射沟槽一旦穿透靶材，就会导致整块靶材报废，以致靶材的利用率低，一般低于40%。41 在PVD制备纳米薄膜的各类技术中，溅射镀膜最容易控制合金膜的成分。镀制合金膜可以采用多靶共溅射，这时控制各个磁控靶的溅射参数，可以得到一定成分的合金膜。 化合物膜是指金属元素与O、N、Si、C、B等非金属的化合物构成的膜层。化合物膜的镀制可选用化合物溅射和反应溅射。例如：许多导电化合物的导电率与金属材料相当，这时可采用化合物靶进行直流溅射。对于绝缘材料化合

22、物，只能采用射频溅射。 42 离子束溅射（ion beam spattering） 由于上述直流二极溅射、三极溅射、四极溅射、射频溅射、磁控溅射等溅射方法是将靶置于等离子体中，因此，膜面都受到气体和带电粒子的冲击，膜的性能受等离子体状态的影响很大，溅射条件也不容易严格控制，例如气体气压、靶电压、放电电流等参数都不能独立控制。 离子束溅射是，能够独立控制轰击离子的能量和束流密度，且基片不接触等离子体，有利于控制膜层质量；同时，是在真空度比磁控溅射更高的条件下进行的，有利于降低膜层中的杂质气体含量。但是，镀膜速率低，只能达到0.01m/min左右，不适应于镀制大面积工件，从而限制了离子束溅射在工业

23、中的应用。 43图2-9 宽束离子源溅射示意图溅射 溅射，阴极灯丝发射的电子加速到4080eV飞向阳极，并使气体（氩气）电离为等离子体。阳极沿离子源的器壁布置，阳极外围有屏蔽磁场以阻止电子到达阳极，这样可以增强等离子体密度。宽束离子源的阳极和磁场布置是为了获得均匀的等离子体。44n 阳极（与等离子体差不多是等电位的）与靶材的电位差决定了离子到达靶材时的能量（即离子轰击靶材的能量）。n 屏栅是离子源器壁的开口部位，是离子的出口处。n 加速栅离屏栅很近，且电位比靶材低1025%。屏栅与加速栅之间的强电场将离子引出离子源。屏栅和加速栅都是用石墨片或Mo板钻孔制成。安装时两者的小孔对准，这样，可以保证

24、得到准直的离子束。n 在离子束的行程中装有中和灯丝，用以发射电子来中和离子所带的正电荷。45b、溅射制膜的用途 ：从薄膜组成来看，可制备单质膜、合金膜、化合物膜；从来看，可制备多晶薄、单晶膜、非晶膜；从来看，可制备光、电、声、磁或优良力学性能的各类功能材料膜。列出了各种薄膜材料的典型示例。 利用溅射技术可在较低温度下制备许多高温材料的薄膜，如TiC、TiN、B4C、BiC、PbTiO3及金刚石薄膜等。此外，利用溅射技术还可通过变换放电气体法或多靶轮换法制备化学组成按层状变化的多层膜。 46表2-1 溅射薄膜的应用举例472.3.2 离子镀膜（ion plating） （1） 离子镀膜的原理。：

25、 磁控溅射时，若将基片与真空室绝缘，再施加几百伏的负偏压，则有能量为100eV能量级的离子向基片轰击，从而实现离子镀 蒸镀时，若在真空室内通入1Pa数量级的氩气后，在基片上施加1000V以上的负偏压，则可产生辉光放电，并有能量为数百电子伏的离子轰击基片，这就是二级离子镀（图2-10）。481-阴极；2-蒸发源；3-进气口；4-辉光放电区；5-阴极暗区；6-基片；7-绝缘支架；8-直流电源；9-真空室；10-蒸发电源；11-真空系统图2-10 直流二级型离子镀示意图49 一般来说， 离子镀是运用能量为几百至几千电子伏特的离子轰击膜层。实际上，有些离子在行程中与其它原子发生碰撞时可能发生电荷转移而

26、转变成中性原子，但其动能并没有变化，仍然继续前进轰击膜层。由此可见， ：离子轰击可以提高靶材原子在膜层表面的迁移率，有利于获得致密的膜层。 ：Ar离子的轰击会使膜层中的Ar含量升高；此外，因择优溅射会改变膜层的成分。50（2） 离子镀的类型和特点（type and characteristic） 由于离子镀设备需在真空、气体放电的条件下完成镀膜和离子轰击过程，因此，离子镀设备由真空室、蒸发源、高压电源、离化装置、放置工件的阴极等部分组成。：n 空心阴极离子镀n 多弧离子镀n 离子束辅助沉积51 空心阴极离子镀（HCD） HCD法是利用空心热阴极放电产生等离子体。空心钽管作为阴极（靶材），辅助阳

27、极距阴极较近，二者作为引燃弧光放电的两极。弧光放电时，电子轰击靶材，使其熔化而实现蒸镀。蒸镀时，在基片上施加负偏压即可将等离子体中的Ar离子引向基片并对基片进行轰击，从而实现离子镀。 Ar气经钽管流进真空室，钽管收成小口以维持管内和真空室之间的压差。弧光放电主要在管口部位产生。该部位在离子轰击下温度高达2500K左右，于是放射电子使弧光放电得以维持。弧光放电是靠辉光放电（要数百伏）点燃，待钽管温度升高后，用数十伏电源维持弧光放电。 HCD法的优点：适应多品种、小批量的生产。52 多弧离子镀（multi-arc ion plating） 是。这种装置不需熔池，且阴极靶可根据工件形状在任意方向布置

28、，使夹具大大简化。 ：由于入射粒子能量高，所以膜的致密度高，强度好；蒸镀速率快，如TiN膜的蒸镀速率可达101000nm/s。 ：弧斑喷射的液滴飞溅到膜层上会使膜层粗糙，导致膜层结构疏松，孔隙很多，对耐蚀性极为不利。 53 离子束辅助沉积（ion beam assistant deposition） 离子束辅助沉积技术是在蒸镀的同时，用离子束轰击基片，离子束由宽束离子源产生。 与一般离子镀相比，离子束辅助沉积采用单独的离子源产生离子束，可以精确控制离子的束流密度、能量和入射方向，而且沉积室的真空度很高，可获得高质量的膜层。离子束的另一个重要作用是在室温或近室温下能合成具有良好性能的合金、化合物

29、或特种膜层，以满足对材料表面改性的需要。54（3） 离子镀的应用表2-2 离子镀（包括溅射）镀膜的应用举例552.3.3 化学气相沉积（CVD） CVD法作为常规的制膜方法之一，目前较多地被应用于纳米微粒薄膜材料的制备，包括常压、低压、等离子体辅助气相沉积等。利用气相反应，在高温、等离子或激光辅助等条件下控制反应气压、气流速率、基片材料温度等因素，可控制纳米微粒薄膜的形核生长过程；或者通过薄膜后处理，控制非晶薄膜的晶化过程，从而获得纳米结构的薄膜材料。 CVD工艺在制备半导体、氧化物、氮化物、碳化物纳米薄膜材料中得到广泛应用。56 ：典型反应温度约500800，它通常是通过金属有机化合物在较低

30、温度的分解来实现的：气相化学反应由于等离子体的产生或激光的辐照得以激活，也可以把反应温度降低。57（1） CVD的化学反应和特点a、 化学反应 CVD是通过一个或多个化学反应得以实现的。例如： 热分解或高温分解反应SiH4（g）Si（s）+2H2（g）Ni（CO）4（g）Ni（s）+4CO（g） 还原反应SiCl4（g）+2H2（g）Si（s）+2HCl（g）WF4（g）+3H2（g）W（s）+6HF（g）58氧化反应SiH4（g）+O2（g）SiO2（s）+2H2（g）水解反应2AlCl3+3CO2（g）+3H2（g）Al2O3（s） +6HCl（g）+3CO（g）复合反应TiCl4（g）+

31、CH4（g）TiC（s）+4HCl（g）AlCl3（g）+NH3（g）AlN3（s）+3HCl（g）59b、 CVD的特点在中温或高温下，通过气态的初始化合物之间的气相反应而沉积固体。可以在大气压（常压）或者低于大气压（低压）下进行沉积。一般说来，低压效果要好。沉积层的化学成分可以改变，从而获得梯度沉积物或者混合沉积层。可以控制层的密度和纯度。60绕镀性能好，可在复杂形状的基体上以及颗粒材料上沉积。气流条件通常是层流的，在基体表面形成厚的边界层。沉积层通常具有柱状晶结构，不耐弯曲。但是，通过各种技术对化学反应进行气相扰动，可以得到细晶粒的等轴沉积层。可以形成多种金属、合金、陶瓷和化合物沉积层。

32、61（2） CVD的原理 用CVD法制备薄膜材料是通过赋予原料气体以不同的能量使其产生各种化学反应，在基片上析出非挥发性的反应产物。但是，CVD的机理很复杂，这与反应气体中不同化学物质之间的化学反应和在基片析出同时进行有关。 图2-11是从TiCl4（g）+CH4（g）+H2（g）混合气体中析出TiC薄膜的模型图。 62图2-11 制备TiC薄膜的模型图63原料气体向基片表面扩散；原料气体吸附到基片；吸附在基片上的化学物质的表面反应；析出颗粒在表面的扩散；产物从气相中分离；从产物析出区向块状固体的扩散。采用CVD法制备薄膜的过程可以按以下步骤进行理解64 CVD化学反应必须发生在基体材料和气相

33、间的扩散层中，这是由于气相中发生气-气相反应，然后生成粉末，该粉末出现在反应系统之外。另外，从气相析出固相的驱动力是根据基体材料和气相间的扩散层内存在的温差和不同化学物质的浓度差，由化学平衡所决定的过饱和度。65 ，图2-12表示了由不同析出温度和过饱和度引起的析出物质的形态。为了得到优质薄膜，必须防止在气相中由气相-气相反应生成均匀相核，即应首先设定在基片表面促进形核的条件。 图 2-12 用 CVD 法所得产物的形态 与析出温度和过饱和度的关系66（3） CVD法的类型 按照，CVD法可分为如下几类：常压CVD法低压CVD法热CVD法等离子CVD法间隙CVD法激光CVD法超声CVD法67（

34、4） CVD的流程与装置 制作CVD装置时，首先必须考虑系统的整个程序。尽管根据前文的介绍，CVD法的种类有所不同，但CVD的程序，无论是实验室规模还是工业生产规模的都基本上相同。图2-13 CVD法的基本工艺流程68注意事项高压气体是以高纯度气体效果最佳，一般多数情况下是使用载气，因为都要通过气体精制装置进行纯化，特别是必须十分注意除去对薄膜性质影响很大的水和氢。当室温下使用非气态（即固态或液态）原料时，需使其在所规定的温度下蒸发或升华，并通过载气送入反应炉内。必须使废气通过放有吸收剂的水浴瓶、收集器或特殊的物理装置后进行排放，并且在装置和房间里不能忘记安装防爆装置和有毒气体的检测器。69（

35、5） CVD的新技术 金属有机化合物气相沉积（MOCVD）nMOCVD是在常规CVD技术的基础上发展起来的，用于在相当低的温度下能分解的金属有机化合物作初始反应物的情况。已经运用MOCVD法沉积了氧化物、氮化物、碳化物和硅化物膜层。nMOCVD的优点：可以在热敏感的基体上进行沉积。nMOCVD的缺点：沉积速率低，晶体缺陷密度高，膜中杂质多。70等离子体辅助化学气相沉积（PECVD）nPECVD是用等离子体技术使反应气体进行化学反应后，在基底上生成固体薄膜的方法。近二三十年来，PECVD法进展相当快，在半导体工业中，这种技术已成为大规模集成电路干式生产工艺中的重要环节。nPECVD薄膜反应室主要

36、有平板电容型、无极射频感应线圈式两种。平板型又可分为直流、射频、微波电源三种。71 PECVD薄膜的性质不仅与沉积方式有关，还取决于。这些工艺参数包括：等。仔细控制工艺参数，才能得到性能良好的薄膜。 与基于热化学的CVD相比，PECVD的优点：沉积温度低，从而基板不发生相变或变形，而且成膜质量高。 72激光化学气相沉积（LCVD）nLCVD是将激光应用于常规CVD的一种新技术，通过激光束照射封闭室内的反应气体，诱发化学反应，使生成物沉积在气室内的基板上的，并使工作温度大大降低。n与CVD相比，LCVD的优点：沉积过程中不直接加热整块基板，可根据需要进行沉积，空间选择性好，甚至可使薄膜生成限制在

37、基板的任意微区内；沉积速度比CVD高。73表 2-3 LCVD 和PECVD的比较74超声波化学气相沉积（UWCVD）n UWCWD是利用超声波作为CVD过程中能源的一种新工艺。根据超声波的传递方式，UWCVD可分为两类：超声波辐射式、CVD基体直接振动式。由于后者涉及到基本振动，实验工艺参数较复杂，相对而言，超声波辐射式对于工业应用有更多优点。n 超声波辐射式UWCVD的原理如图2-14所示，它751-基体；2-反应气；3-废气；4-超声波源；5-加热器；6-热电偶；7-氩气图2-14 超声波辐射式UWCVD的原理76 微波等离子体化学气相沉积（MWPECVD） MWPCVD是将微波作为CV

38、D过程能量供给形式的一种CVD新工艺。它利用微波能电离气体而形成等离子体，属于低温等离子体范围。一般说来，凡直流或射频等离子体能应用的领域，微波等离子体均能应用。 此外，微波等离子体还有以下一些特点：a.在一定条件下，它能使气体高度电离和离解，即产生很多活性粒子，称之为“活性等离子体”。b.可以在很宽的气压范围内进行。77c.微波等离子体发生器本身没有内部电极，从而消除了气体污染和电极腐蚀，有利于高纯化学反应和延长使用寿命。d.微波等离子体的产生不带高压，微波辐射容易防护，使用安全。e.微波等离子体的参数变化范围较大，这为广泛应用提供了可能性。f.MWPCVD已在集成电路、光导纤维、保护膜及特

39、殊功能材料的制备等领域得到了日益广泛的应用。78纳米薄膜的低能团簇束沉积（LEBCD） LECBD是最近出现的一种纳米薄膜制备技术。该技术首先将沉积材料激发成原子状态，以Ar、He作为载气使之形成团簇，同时采用电子束使团簇离化，在飞行时间利用质谱仪对其进行分离，从而控制一定质量、一定能量的团簇束沉积而形成薄膜。79 CVD是纳米薄膜材料制备中使用最多的一种工艺，运用它可以制备几乎所有的金属、化合物、氮化物、碳化物、硼化物、复合氧化物等薄膜材料，广泛应用于各种功能材料的制备。一些典型的例子如表2-4所示。（6） CVD法在纳米薄膜材料制备中的应用80表2-4 CVD薄膜的应用举例812.3.4

40、溶胶-凝胶法（Sol-gel法） 溶胶-凝胶法是从金属的有机物或无机化合物的溶液出发，在溶液中通过化合物的加水分解、聚合，将溶液制成溶有金属氧化物微粒的溶胶液，进一步反应发生凝胶化，再经凝胶加热，可制成非晶体玻璃、多晶体陶瓷。凝胶体大部分情况是非晶体，通过处理才能使其转变为多晶体。 82 溶胶-凝胶法可用，如Si（OC2H5）4、Al（OC3H7）3；也可以采用，如In（COCH2COCH3）2、Zn（COCH2COCH3）2；或，如Pb（CH3COO）2、Y（C17H35COO）3、Ba（HCOO）2。，如Y（NO3）36H2O、ZrOCl2、AlOCl、TiCl4，。83 图2-15是溶胶

41、-凝胶法制备薄膜的主要流程，其工艺简单，成膜均匀，成本很低。大部分熔点在500以上的金属、合金以及玻璃等基体都可以采用该流程制取薄膜。图2-15 溶胶-凝胶法制取薄膜过程示意图 （1） 溶胶-凝胶法制备薄膜的主要流程84与其它制膜方法相比，溶胶-凝胶法具有以下优点：a.工艺设备简单，不需任何真空条件或其它昂贵的设备，便于推广应用。b.在工艺过程中温度低。这对于那些含有易挥发组分或在高温下易发生相分离的多元体系来说，十分有利。c.很容易大面积地在各种不同形状（平板状、圆板状、圆管内壁、球状及纤维状等）不同材料（如金属、玻璃、陶瓷、高分子材料等）的基体上制备薄膜，甚至可以在粉体材料表面制备一层包覆

42、膜，这是其它传统工艺难以做到的。d.容易制出均匀的多元氧化物薄膜，易于实现定量掺杂，可以有效地控制薄膜的成分及结构。e.用料省，成本低。85 （2） 溶胶-凝胶工艺 在制备氧化物薄膜的溶胶-凝胶方法中，有浸渍提拉法（dipping）、旋覆法（spinning）、喷涂法（spraying）及简单的刷涂法（painting）等。其中前两者最常用。 浸渍提拉法 主要包括三个步骤，即浸渍、提拉和热处理，即首先将基片浸入预先制备好的溶胶中，然后以一定的速度将基片向上提出液面，这时在基片上会形成一层均匀的液膜，紧接着溶剂迅速蒸发，附着在基片的溶胶迅速凝胶化并同时干燥，从而形成一层凝胶薄膜，当该膜在室温下完全干燥后，将其置于一定温度下进行适当的热处理，最后便制得了氧化物薄膜。每次浸渍所得到的膜厚约为5-30nm，为增大薄膜厚度，可进行多次浸渍循环，但每次循环后都必须充分干燥和进行适当的热处理。86 浸渍提拉法的优点：工艺简单。 浸渍提拉法的缺点：易受环境因素的影响，如液面的波动、周围空气的流动以及基片在提拉过程中的摆动与振动等