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文档简介

1、 逻辑模拟 电路模拟 时序分析的作用和必要性 器件模拟 工艺模拟Ch7 模块化设计 分层分级设计 全定制 标准单元库 母片 可测性设计 CH61 集成电路设计的特点与分立元件电路的区别）2 集成电路设计信息描述的方法3 集成电路的基本设计流程4 自顶向下topdown）分层分级设计 由底向上人工版图设计5 集成电路的设计规则是什么，有哪两种方法，对比其特点。6 全定制设计方法 设计反相器的棍形图、掩模版图 设计二输入与非门、或非门的棍形图7 SC法、BLL法、GA法和可编程逻辑电路设计法的特点以及区别8 门阵列法GA法） 掌握CMOS门阵列六单元管的结构并设计三输入与非门、或非门等基本电路V

2、VDDDDV Vssss 共价键 离子键 金属键 分子键Ch5 晶格的种类 缺陷的种类 点缺陷的种类 衬底材料的发展化学气相淀积CVD外延正胶与负胶 钻蚀 替位式扩散和间隙式扩散 退火 Ch41 比较常见的三种光刻方法的优缺点及适用范围。2 集成电路制造工艺中制备二氧化硅最常用的两类方法是什么，分别适用于制备那种类型六种的二氧化硅层。3 MOS集成电路标准场氧化隔离、局域氧化隔离和开槽回填隔离工艺。4 CVD的常用方法有哪些？CVD方法能制备哪些薄膜5 MOS集成电路的工艺流程6比较三种常用的干法刻蚀1常用的三种MOS管的栅极工艺是什么,比较其优缺点？2用和构成的开关、反相器有什么区别？3熟练掌握构成反相器、逻辑门与非、或非的电路图4存储器的种类CH3电子与空穴施主杂质与受主杂质平均漂移速度雪崩击穿与隧道击穿MIS结构阈值电压Ch2 1 画出PN结的结构图标出各区域的位置及其自建场的方向，决定PN结单向导电的两个效应是什么，简述它们的物理原因。2 简述正向PN结电流的传输与转换的过程，这个过程的特点是什么。3 双极型晶体管npn管的基本结构是什么，画出它正常工作的偏置情况，

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