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4、能。解:由安培环路定律1 R2 2 21 llrRlr:;:出;时:Wml RIO111llr( 2 rldr 12212R1 162121R21212(2 ddrIn222 r4 R111R121(21n244RldU 0dt图10-17 21 Wm 2 R2R1单位长度总磁能Wm1 (Wml Wm 2位移 电流10-18试证:平行板电容器中的位移电流可以写为 ID C证:【D dD U ,。又c o,ID (CU Clid(lddMi 得证。10-19一平行板电容器的两板面积均为 S的圆形金属板,接于一交流电源时,板上的电 荷随时间变化,即q0二qm血 。( 1 )试求电容器中的位移电流密度;(2 )试证两板之间某点的磁感应强度为 B qmr Ocos【,其中r为由圆 板中心线到该点的距离。2SD?解:(1)址 qm血 I ,对平板电容命 qO q m D q msin 1。 jL
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