信息纳米技术及其应用CH1纳米结构单元 ppt课件

1、CH1 纳米结构基本单元 1.1团簇cluster）原子团簇：几个至几百个原子的聚集体，粒径1nm一元原子团簇：金属团簇、非金属团簇富勒烯Fullerene）(C60,C70)富勒烯：由C原子形成的笼形分子。二元原子团簇:InnPm, AgnSm多元原子团簇：Vn(C6H6)m性质：异常高化学活性、高催化性、具有量子尺寸效应和光的非线性效应等。C60 由60个C原子排列于一个截角20面体的顶角上，构成足球式的中空球形分子。32面体：20个六边形，12个五边形。直径0.7nm。 构成C团簇的原子数称为幻数为20，24，28，32，36，50，60和70的结构较稳定，其中，C60最稳定。 由石墨棒

2、在惰性气体He，Ar中直流电弧放电制得。1.2 纳米微粒纳米微粒Nanoparticles的尺寸大于团簇，小于通常的微粉。 如： 纳米氧化物粉： 纳米ZnO粉 纳米TiO2粉 纳米化合物粉： 纳米BaTiO3粉 纳米金属粉： 纳米金属Ag粉 纳米Ni粉，纳米Cu粉1.3 碳纳米管1.3.1 碳纳米管Carbon nanotubes）(CNT)概念碳纳米管：由石墨稀片卷成的、直径为纳米尺度的圆筒，其两端由富勒烯半球封帽而成。单壁碳纳米管(Single-walled carbon nanotubes, SWNT): 由一层C原子构成，直径约1-2 nm，观察到的最小尺寸为0.33 nm多壁碳纳米管

3、(Multi-walled carbon nanotubes, MWNT): 由几个至几十个单壁CNT同轴构成。层间距约0.34 nm，直径约几nm至几十nm，长度一般是微米级，也可达到毫米级。1.3.2 SWCNT分类 单壁碳纳米管按手性可分为三种：扶手型(单臂型)、锯齿型和手性型螺旋型） 单位矢量：a1、a2 手性矢量：Ch=n a1 +m a2 手性角：Ch与a1的夹角 CNT的性能由Ch和确定 扶手型: n=m, =30 锯齿型: m=0, =0 手性型: 030n a1 m a2 Ch和tan计算 12hnmcaa13c caa23c caa221212()()2cos120ohnm

4、mncaaa a232tan332c cc cmmnaaa32mnm12322()hc cdcnmmna=CNT的性能由直径d和手性角确定，d 和取决于n和m m=n , = 30o,单臂型CNT (扶手型) m=0, =0,锯齿型CNT 手性型CNT, 0 30o1 2322()()c cdmnamn1 3(2)tanmnmCNT (4,0) d=0.32nm =0 (11,11) d=1.51nm =301.3.3 CNT合成方法 电弧法：在惰性气氛中，两根石墨电极直流放电，阴极上产生C纳米管。 热解法：过渡金属作催化剂，700-1600K条件下，通过C、H化合物分解制备CNT。 激光蒸发

5、法：激光刻蚀高温炉中的石墨靶，在Co-Ni催化剂作用下形成CNT，由流动的Ar气将CNT载入水冷收集器。 制备单壁碳纳米管需要催化剂，多壁碳纳米管可以不要催化剂，管径尺寸与分布取决于催化剂成分、生长温度等。电弧法制备CNT 在惰性气氛中，两根石墨电极直流放电，阴极上产生C纳米管。控制气体种类及压力，电压及电流等，可较大量地制备出CNT。液N保护连续制备CNT 液N保护电弧区生成CNT CNT沉积，特点：结构简单；反应效率高；产物质量好：4-8层CNT，纯度高。 制备单壁CNT,使用催化剂:Fe, Co, Ni等。 电弧产物: 无定型C、 C60、另有催化剂颗粒杂质等。电弧法制备的SWCNT热解

6、法制备CNT 过渡金属作催化剂，700-1600K条件下，通过C、H化合物分解制备CNT。催化剂：Fe，Co，Ni等。 催化热解法成本低、产量大，实验条件易控制，通过控制催化剂模式，可制备出高质量的多壁CNT和定向排列的CNT阵列。 按催化剂加入方式分三种：基体法、喷淋法、流动催化法基体法制备CNT催化剂颗粒附着于基体上，高温下通入含C气体并在催化颗粒处析出CNT。激光蒸发法制备CNT 激光蒸发法：激光刻蚀高温炉中的石墨靶，在Co-Ni催化剂作用下形成CNT，由流动的Ar气将CNT载入水冷收集器。激光蒸发法可制备出高质量的单壁CNT。制备CNT阵列 催化热解法：SiO2基体，纳米Fe为催化剂，

7、700分解乙炔。CNT垂直于基体方向生长，长约50um1.3.4 CNT电性能及应用 CNTCNT的导电性能与其结构和手性有关：的导电性能与其结构和手性有关： 所有所有ArmchairArmchair型型SWCNTSWCNTn n，n n具有金属具有金属导电性；对于锯齿型导电性；对于锯齿型n n，0 0），当），当n n为为3 3的倍数的倍数时，为金属性；其它情况为半导体性。对于螺时，为金属性；其它情况为半导体性。对于螺旋型，（旋型，（n n，mm），当结构指数满足），当结构指数满足2n+m=3q2n+m=3qq q为整数），表现为金属性；其他类型则为为整数），表现为金属性；其他类型则为半导体

8、性半导体性, Eg, Eg为：为： 1.7-2.0eV1.7-2.0eV。 CNTCNT结：不同直径和螺旋角的结：不同直径和螺旋角的CNTCNT相连接可形相连接可形成：成：M-SM-S，S-SS-S，M-MM-M纳米异质结。纳米异质结。 CNTCNT可作为新型纳米电子器件的基本结构单元。可作为新型纳米电子器件的基本结构单元。CNT能带结构与电子态密度CNTCNT中的电子运输中的电子运输 石墨：电子主要在石墨片层中移动，室温下石石墨：电子主要在石墨片层中移动，室温下石墨电阻：墨电阻：0.44m0.44m，层间电阻很大。，层间电阻很大。 CNTCNT是典型的量子导线，其电导是不连续的。是典型的量子

9、导线，其电导是不连续的。用用AFMAFM进行电学性质测量，证明了进行电学性质测量，证明了CNTCNT是量子是量子导线，观察到单电子输运过程。电子的运输具导线，观察到单电子输运过程。电子的运输具有弹道传输的特点有弹道传输的特点Ballistic transportBallistic transport），指），指电子通过一个导体时，不与杂质或声子发生任电子通过一个导体时，不与杂质或声子发生任何散射，既电子在运动过程中无能量耗散。何散射，既电子在运动过程中无能量耗散。CNTCNT电阻率电阻率 测量原理图 单壁CNT：CNT管束：0.34m-1.0 m 多壁CNT：8.5nm-19.5m ；13.9

10、nm-7.8 m 电阻与温度和磁场有关。下列图: 直径20nm,长度800nm.单壁单壁CNT的的I-V特性特性 I-V特性呈现阶梯状,表明CNT中电子的运输出现了单电子运输现象。CNT AB效应 AB效应Aharonov-Bohm EFFECT）：一薄壁长金属圆筒的轴向与外磁场方向平行并沿圆筒的轴向通入电流，圆筒的电阻随外磁场而变化，测得的圆筒电阻为筒内磁通的函数, 表现出周期振荡行为。反映出电子波位相对磁场的依赖性以及随之而产生的电子分波量子相干。这一干涉效应称为AB效应。 当磁场平行于碳纳米管轴向时，磁场引起纳米管的电子结构发生变化，随磁场的增加，单壁碳纳米管的带隙发生震荡，使金属性CN

11、T从金属性变为半导体，随着磁场增强又变为金属性，这一周期取决于磁场强度。 小尺寸CNT在强磁场下才能观察到AB效应，大尺寸容易观察到AB效应：如：0.7nm-10700T；30nm-5.85T纳电子三极管 1纳米的11，11结构的CNT上生长小CNT，（4，0）。倒“T构造。 小碳管为半导体性，大碳管为金属性的。通过门电压、电流，可以控制源-漏电极间电流，实现信号放大。这是单电子放大器。单壁CNT为基础的场效应三极管 半导体单壁CNT为基础的场效应三极管模型，其基本单位包含一个半导体性单壁CNT和两个金属电极。 通过栅极施加电压，碳纳米管可以从导通状态变成绝缘状态。1.4 纳米棒、纳米丝、纳米

12、线 纳米线、纳米丝是一维纳米材料，较长的为丝(1u)，较短的为棒。半导体和金属的纳米线又称量子线。 制备方法： （1CNT模版法 a. 碳化物： CNT+MO(g)MC(s)+CO(g) CNT+MX4(g)MC(s)+2X2 CNT作为先驱体，流动 Ar保护，1700下与SiO气反应，无需催化剂，合成了SiC晶须。 2C(s)+SiO(g)SiC(s)+ CO(g) CNT自身的化学活性和几何形状对晶须的生长起决定作用。b. 氮化物： 氮化硅，对Si-SiO2 粉末加热 1673k，并通 N2 3SiO(g)+3C(CNT)+2N2(g) Si3N4纳米丝） +3CO(g) 2SiO(g)+

13、C(CNT)+ N2 (g) Si2N2O纳米丝） +CO(g) 生成Si3N4和Si2N2O的混合物，直径约4-40nm，长几um GaN: Ga+Ga2O3Ga2O(g) 2Ga2O (g)+CCNT）+4NH3(g)4GaN+H2O(g)+CO(g)+5H2 (g) 对Ga和Ga2O3混合粉末加热1173 k，并通入NH3，制备出直径4-50nm，长25um的GaN（2晶体气固相生长法Vapor-solid, VS制备纳米丝 以制备MgO纳米丝为例， MgO衬底经 NiCl2液处理，表面形成了纳米尺寸的凹坑和蚀丘；MgO+C混合粉放在管式炉的石墨舟内，加热到1200，Mg蒸气被流动的Ar

14、带到衬底上的生长区。按晶体气固相生长机制垂直于衬底表面生长，形成直径7-40nm，长1-3um的MgO纳米丝。 （3金属有机化合物气相外延与晶体的气-液-固生长法结合MOVPE与VLS） 制备-族化合物半导体纳米线，如GaAs,InAs 制备InAs：在InAs衬底上蒸镀金层，厚度0.1 nm，热处理后置于MOVPE装置中，以TMI三甲基铟为原料，在AsH3气氛下加热，反应生长InAs。Au对纳米线的形成具有催化作用。 (CH3)3In+ AsH3 InAs+3CH4 (4) 溶胶-凝胶与碳热还原法合成SiC和 Si3N4 以正硅酸乙酯TEOS）、无水乙醇EtOH）、蔗糖C12H22O11和纯

15、水为原料，HNO3为催化剂。比例： TEOS：EtOH：H2O=1：4：12.5（ 摩尔） 蔗糖量为：使硅胶中C：Si=4.1：1（ 摩尔） 混合试剂在90枯燥700、N气中加热2h含C, SiO2干凝胶）1650、加热2.5h石墨坩锅、Ar气保护）冷却至室温SiC纳米丝，形成直径15-50nm，长20-50um 制备Si3N4时，Ar气变为N2，反应温度1430。 1.5 同轴纳米电缆coaxial nanocable） 定义：芯部为半导体或导体的纳米丝，外包敷异质纳米壳体，外部壳体和芯部丝是共轴的。 制备： 电弧放电法制备BN-C和C-BN-C 阴极：石墨 阳极：HfB2 N2中电弧放电，Hf作为催化剂。 产物：部分产物为同轴纳米电缆，外径：4-12nm。有两种结构：中心BN纳米丝，外包石墨; 芯部C丝，外包B