5.半导体存储器_图文(精)

1、随机访问存储器RAM %机访问存储器( (Rajiticiin Access Memnry),特点岳頁既孫感时读出，也能隔时写RAM中信KAM分为pRAM和SHAM两种SRAM：(Static RAM) 利用半导体触发霧的两个稳定状态表示订决和W电源不关掉，SRAMK信息不奈 消失，不詣剧韌电路，非破坏性读出 DWW；动态RAM (Dynamic RAM) *利用、K)S管的栅极对 其衬底间的分布电容保存信息，DKAM的每个存储单元所 需05；管较少因此集型高,功耗小*DRAAI中的信愿 会因电容漏电而逐渐消更一協性读ttb读后需重写夕DKXM信息的保存时间一般为2m%需配置刷新或重写电 路为

2、为为为为为为为唯为为唯为为唯为为维唯为为RAM：是存储器 息在关机后U卩消失静态 RAK 產本存储电路 6个IOS管组成女稳态电跨T載止 T导通为(“T(导 ifiT2 为TjT.I 作管.lyi；负找管.T5T6T,T8控制筲(英中T7T8ftffl写入 线线有效，使 T5T6T7Tg导通，写控制有 效，使单元数据找与外部 数据线连通， StTJ.的戡 止与导诵记徹信息戈出丄 X线、线有效.便TVT6T7T8S通.读控制有徹,使单元数据线与外部 数据线连诵.从工 2竭读出 信息钮tTf i tlFTB1_臣百百E5.2读写存储器RAM静态RAM芯片构成WTOnxiT3 口三个部分细成: 存储

3、体 行列译码器 控制电路列环码电路W2T列列_ 厅译码电路2斟了氏芯片实例SRAM 2111一艺豁维唯为为TnTrnmrIKX(AImini维唯为为维唯为为SRAM 6264控制信号(1)另地址总线的接口(2)与数据总线的接口(3)与相应控制线的接口存储器接口设计关键在于片选信号的连接*片选有三种设计方法：( (1 1) )线性片选法( (2 2) )全地址译码( (3 3) )部分地址泽码维唯为为维唯为为维唯为为为为SKAMJW设计举例飼：用“储探芥片SR.XM6116构咸一个ffi矩“別对UH飞 EFFH MS&2 尺 X，为为为为维唯为为为为动态随机存储器DRAM %动态 RAN

4、申兀线路简申，以 BIOS 管极间寄生世 實来存储信息-由丁漏电原因，电容器上的电荷一般会在几毫秒 内泄漏焯口为此，必须定朋给它们补充电荷申这 就是动态 RAM 的刷新 2 冲$*动态 RAM 集成度高.引脚数冃受到小型色堆 的限制，往往较少，少量的地址线要分时丽说 址和列地址用动态 RMI内部结构自两个特点:一是具白行地 址锁存器和1 地址锁存器，另二个是内部带看读 出蜃生放大器提高信号输出功率DRAM单管存储单元电路彩.-今 由一个IMO囂骨和一个 电容组战-写入行逸择育效，T1导通，写入信息送上数 据线，列选择有效，T2帰通，信总写入存储电&C读出与写入类似，行 列选诵*IJT2导通，U 上的信息送上数据线维唯为为维唯为为维唯为为用812164构咸容塑为的存储器维唯为为 维唯为为 为为 为为维唯为为维唯为为 维唯为为 维唯为为维唯为