电路与电子技术随堂练习第五六章答案_第1页
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文档简介

1、第5章电路的暂态过程分析本次练习有11题,你已做11题,已提交11题,其中答对11题。当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对10题。1.如图所示电路,开关K断开前,电路已稳态。t=0时断开开关,则u(0+)为 ()A. 0V B. 3V C. 6V D. ? 6VIQ 、K(t = O)e1 16Vo M 2 J? 32H答题:A.B. r C. G D.(已提交)参考答案:D 问题解析:2 .如图所示电路中,开关S在t=0瞬间闭合,若/(。-)=5V,则以(0J =()A.5V B. 0 C. 2.5V答题:A. G B.0C.D.(已提交)参考答案:B问题解析:3 . R-C

2、串联电路的时间常数与成正比。A. U0 和 C B. R 和 I0 C. R 和 C D. U0 和 I0答题:A.B.eC.D.(已提交)参考答案:C 问题解析:4 . R-C串联电路的零输入响应uc是按逐渐衰减到零。A.正弦量 B. 指数规律 C.线性规律D. 正比答题:A."B.C.D.(已提交)参考答案:B问题解析:5 .如图所示的电路中,已知 Us=10V R1=2K R2=2Q, C=10/则该电路的时间常数为。A.10ms B.lms C.1s D.5ms答题:1VA.B.C.D.(已提交)参考答案:A问题解析:6 .如图所示电路的时间常数为 。A. 2 s B. 0.

3、5s C. 50 s D. 10s& = 2G答题:A.岸B.C.D.(已提交)参考答案:B问题解析:7 . R-L串联电路的时间常数 r =。A. RL B. R/L C. L/R D. 1/(RX L)答题:A.B. 8 C.D.(已提交)参考答案:C问题解析:8 .实际应用中,电路的过渡过程经时间,可认为过渡过程基本结束。A. r B. 2 r Co D. 4 r答题:a. Ob.c. Ud.(已提交)参考答案:D问题解析:9 .如图电路在二0时合上S,则电路的时间常数为A.0.2s B. 1/3 s C. 5/6s D. 0.5s答题:A.B.C. Q D.(已提交)参考答案:

4、D问题解析:10 . I(t)=(1+e-t/4)A为某电路支路电流的解析式,则电流的初始值为A.1 B. 2 C. 3 D. 4答题:A."B.C.D.(已提交)参考答案:B问题解析:11 . I(t)=(1+e-t/4)A为某电路支路电流的解析式,则电流的稳态值为A.1 B. 2 C. 3 D. 4A.B.C.D.(已提交)参考答案: 问题解析:第6章半导体分立器件本次练习有25题,你已做25题,已提交25题,其中答对8题。当前页有10题,你已做10题,已提交10题,其中答对4题。1 .稳压管的稳压区是其工作在(A.正向导通 B.反向截止 C.反向击穿A.B.C.D.(已提交)参

5、考答案:C问题解析:2 .用万用表直流电压档分别测出 VD1, VD2和VD3正极与负极对地的电位如图 示,VD1, VD2 VD3的状态为()。VDlVD2VDJ+11 voo -ev .tovoo 4IV JVOo JVA. VD1, VD2 VD3 均正偏 B. VD1 反偏,VD2 VD3 正偏C. VD1, VD2 反偏,VD3 正偏 答题:A A. B. C C. r 0.(已提交)参考答案:A问题解析:3 .稳压二极管电路如图所示,稳压管稳压值 UZ=7V正向导通压降UD=0.3V 其输出电压为()。A. 7V B. 24V C, 7. 3V D, 0. 6V答题:A.0B. 1

6、P C.D.(已提交)参考答案:C问题解析:4 .在如图所示电路中,硅稳压管 DZ1的稳定电压为8V, DZ2的稳定电压为6V, 正向压降为0.7V,则输出电压Uo为()。A. 2V B. 14V C. 6V D. 8V答题:A. FIb.C. Sd.(已提交)参考答案:A问题解析:5 .本征半导体硅或错中掺入微量的三价元素后,其中多数载流子是()。A.自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子答题:6A.B.C.D.(已提交)参考答案:B问题解析:6 . N型半导体中多数载流子是()。A.自由电子 B. 空穴 C. 正离子 D. 负离子答题:* A.B.C. D D.(已提交)参考答案

7、:A问题解析:7 . PN结加正向偏置,具耗尽层将()。A.变宽 B. 不变 C. 变窄 D.不能确定答题:A.B.eC.D.(已提交)参考答案:C问题解析:8 . PN结加正向偏置是指连接PN结的N区一边加()电位,连接PN结的P区一边加()电位。A.高,低B. 低,高 C. 低,低 D. 高,高答题:A.B.C. " D.(已提交)参考答案:B问题解析:9 .三极管的集电区和发射区掺杂材料相同,发射极与集电极()互换使用。A .不可以 B .可以 C .说不定答题:A.B. " C.D.(已提交)参考答案:A问题解析:10 .理想二极管构成的电路,如图所示,则输出电压

8、Uab为()。A. -15V B. -7V C. -6V D. +6VH答题:"A.B. C C.D.(已提交)参考答案:C问题解析:11.二极管构成的电路,如图所示,设二极管加反向电压截止,反向电流为零, 二极管加正向电压导通,正向导通压降为 0.7V,图中D1, D2导通情况及输出电 压Uab为()。A. D2 导通,D1 截止,Uab= - 12V B. D2 导通,D1 截止,Uab= 9VC. D1 导通,D2截止,Uab= -0.7V D. D1 导通,D2截止,Uab= 9V答题:A.以B.C.D.(已提交)参考答案:C问题解析:12 .如图所示电路,若U2=20V则输

9、出电压平均值Uo=()A. 28.28V B. 20 V C. 18 V D. 9V答题:0A.B. 1V C.D.(已提交)参考答案:D问题解析:13 .如图所示单相半波整流电路,变压器副边电压有效值U2=20V负载电阻RL=10QQ ,则流过二极管的平均电流为()。A. 90mA B. 100 mA C. 200 mA D. 400 mA答题:A.B.C. * D.(已提交)参考答案:A问题解析:14 .单相桥式整流电路如图所示,变压器副边电压有效值U2=20V则每个整流二极管承受的最高反向电压为()。A. 20V B. 28.28V C. 42.42 V D. 56.56V15.单相桥式

10、整流电容滤波电路如图所示,变压器副边电压有效值 滤波后的输出电压为()。A. 4.5V B. 9V C. 12 V D. 18V答题:A.B. " C.匚D.(已提交)答题:A. " B.C. £L!d.(已提交)参考答案:B 问题解析:U2=10V M参考答案:C问题解析:16 .单相桥式整流电路输出电压平均值为 30V,负载电阻RL=50Q ,则流过每个 二极管的平均电流为()。A. 100mA B. 150 mA C. 270 mA D. 600 mA答题:i* A.B.C.D.(已提交)参考答案:C问题解析:17 .在单相桥式整流电路中,若有一只整流管接反

11、,则()A、输出电压约为2UD B 、输出电压约为 UD/2C、整流管将因电流过大而烧坏D、变为半波整流答题:Qa. Cb. " C. SUd.(已提交)参考答案:D问题解析:18 .直流稳压电源中滤波电路的目的是()A、将交流变为直流B、将高频变为低频C、将交、直流混合量中的交流成分滤掉D、保护电源答题:A.B. " C.D.(已提交)参考答案:C问题解析:19 .在单相桥式整流电容滤波电路中,设U2为其输入电压,输出电压的平均值 约为()A、U0=0.45U2 B 、U0=1.2U2 C 、U0=0.9U2 D 、U0=1.4U2答题:-A. B.C.D.(已提交)参考

12、答案:B问题解析:20 .晶体三极管工作在饱和区域时,发射结、集电结的偏置是()。A.发射结正向偏置,集电结反向偏置B.发射结正向偏置,集电结正向偏置C.发射结反向偏置,集电结反向偏置D.发射结反向偏置,集电结正向偏置答题:A.B.C.6D.(已提交)参考答案:B问题解析:21 .三极管工作于放大状态的条件是()A、发射结正偏,集电结反偏B、发射结正偏,集电结正偏C、发射结反偏,集电结正偏D、发射结反偏,集电结反偏答题:A.B.kC.D.(已提交)参考答案:A问题解析:22 .测得某电路中晶体三极管三个管脚得电位,如图所示,则该管的工作状态 为()。A.放大B.截止C.饱和D.不能确定答题:F_Ia. F_Ib. ? c. Ud.(已提交)参考答案:B问题解析:23 .测得某放大电路中晶体管的三个管脚 1, 2, 3的电位分别为5V, 2.7V和 2V,则管脚1, 2, 3对应的三个极是()。A . C B E B . B E CC . C E BD . E C- B答题:A.B. " C.D.(已提交)参考答案:A问题解析:24 .某晶体管工作在放大状态,具管脚电位如图所示,则该管是()。A.

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