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文档简介

1、功率铁氧体磁芯EIEEEEPQECEI60EE80EE35PQ50/50EC90EI50EE72EE30PQ40/40EC70EI40EE70EE25PQ35/35EC52EI35EE60EE19PQ32/30ECI70EI33EE55EE16PQ32/20EER49/54EI30EE50EE13PQ26/25EER49/43EI28EE49EE10PQ26/20EER49/38EI25EE42一PQ20/20EER42/43EI22EE42/20一PQ20/16EER42/45EI19一一一EER40/45EI16一一UF102EER28L常用功率铁氧体材料牌号技术参数项目条件单位PC30P

2、C402500BB253C8N27g i一250023002500230020002000BmsH=1200A/mmT510510490510450510BrH=800A/mmT11795100130一一Hc一A/m1214.315.915.918.820TcC>230>215>230>220>200>220P200mT23c25KHz60c100 cKW/m31306009560090048一KW/m390一70一一一一KW/m3100一75一一一一100mT60c 100KHz100cKW/m3一450一450一一一KW/m3一410一410一一公司一一

3、TDKTDKTOKINTOKINFERROCXLUBSIEMENSEI型磁芯规格及参数型号ABCDEFHAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL nH/N2g eEI1616一一512.2一20.1983.460.6711001575EI1920一一5.213.55一2.30.243.960.9514001825EI222212.66614.310.34.50.423.931.6324002255EI2525.3196.5715.312.22.70.414.71.92721401962EI282818.67.51116.512.03.50.864.824I

4、303019111121165.51.115.806.4447501984EI3333一一1323.5一9.71.1856.758.0044502030EI353524.5101024184.61.016.716.8039502100EI404026.8121227.25217.51.487.711.350002070EI50503415153324.592.39.421.663002070EI606044161636288.52.4710.927.160002126PQ型磁芯规格及参数型号ABCDEFIAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)p. ePQ20/16

5、20.58.214188.712.55.40.623.742.3138801868PQ20/2020.510.214188.712.57.40.624.542.7933101944PQ26/2026.510.219231212.65.91.194.635.4961701920PQ26/2526.512.51922.512.215.57.91.185.556.5352501972PQ32/203210.42227.513.7195.61.705.559.4273101896PQ32/303215.32227.513.71910.51.617.4611.9751401898PQ35/353517.

6、5263214.623.512.351.968.7917.2648601733PQ40/404120.0283715.227.514.62.0110.1920.4543001738PQ50/505025.1324420.3531.517.93.2811.337.2467201850EE型磁芯规格及参数型号ABCDEFAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)g eEE1010.282.44.755.51.30.122.610.31510061767EE1313102.76.1561.30.1713.020.51711001550EE16161245720.193.40

7、0.6512001728EE1919144.84.982.60.223.900.8613501880EE252515.66.66.59.53.30.404.901.9620001952EE30302011111351.095.806.3247502000EE3333-一13.713.8一1.157.558.7138402000EE3534.926.59.39.514.241.067.007.3937901990EE404028111116.56.51.487.7011.4042502040EE424229.612.215.2216.21.829.7017.6047002510EE5050351

8、515218.52.269.6021.762502125EE555637.617.221.027.593.5412.343.571001977EE606044.61616228.32.4711.027.260002135EE707146.622.2205411.14.4523.18103.048201990EE7272.353.51919209.53.5813.448.167001995EE8079.359.42019.837.59.53.8118.369.852001980EC EER型磁芯规格及参数型号AB小CDEFE-EAe (c m2)Le (cm)Ve (cm3)AL (nH/N2)

9、g eEC909171.23030459.691/906.2421.613.505550一EC707143,16.816.834.511.771/692.7914.440.148001963EIC70704416.216.229.86.870/392.79一一一一EC525332.113.7513.7524.28.753/491.810.518.842001942EER494937.416.916.9278.449/542.4611.829.0957001900EER49493716.916.921.56.549/432.5510.025.557001900EER494937.31717.21

10、96.549/382.2919.7222.2655001860EER42 4232.517.319.521.35.942/432.409.8623.6457601900EER424231.315.115.522.45.742/451.82510.1818.5742001860EER404029.413.313.322.4740/451.52810.2415.6434501840EER282821.91011.4174.328/340.8147.556 磁芯向有效截面积:Ae2, 磁芯向有效磁路长度:le3,相对幅值磁导率:4, 饱和磁通密度:Bs1 磁芯:正弦波与矩形

11、波比较一般情况下,磁芯损耗曲线是按正弦波 +/-交流(AC)激励绘制的,在标准的 和正常的时候,是不提供极大值曲线的。涉及到开关电源电路设计的一个共同问题是正弦波和矩形波激励的磁芯损耗的关系。对于高电阻率的如类似,正弦波和矩形波产生的损耗几乎是相等的,但矩形波的损耗稍微小一些。材料中存在高的涡流损耗(如大一般情况下,具有矩形波的磁芯损耗比具有正弦波的磁芯损耗低一些。但在元件存在铜损的情况下,这是不正确的。在变压器中,用矩形波激励时的铜损远远大于用正弦波激励时的铜损。高频元件的损耗在铜损方面显得更多,集肤效应损耗比矩形波激励磁芯的损耗给人们的印象更深刻。举个例子,在20kHz、用17秋国线规导线

12、的绕组时,矩形波激励的磁芯损耗几乎是正弦波激励磁芯损耗的两倍。例如,对于许多开关电源来说,具有矩形波激励磁芯的5V、20A和30A输出的电源,必须采用多股绞线或利兹(Litz)线绕制线圈,不能使用粗的单股导线。2Q值曲线所有磁性材料制造厂商公布的 Q值曲线都是低损耗滤波器用材料的典型曲线。这些测试参数通常是用置于磁芯上的最适用的绕组完成的。对于罐形磁芯,Q值曲线指出了用作生成曲线时的绕组匝数和导线尺寸,导线是常用的利兹线,并且绕满在线圈骨架上。对于钼坡莫合金磁粉芯同样是正确的。用最适合的绕组,并且导线绕满了磁芯窗口时测试,则Q值曲线是标准的。Q值曲线是在典型值为5高斯或更低 的低交流(AC)激

13、励电平下测量得出的。由于在磁通密度越高时磁芯的损耗越 大,故人们警告,在滤波电感器工作在高磁通密度时,磁芯的Q值是较低的。3 电感量、AL 系数和在正常情况下,磁芯制造厂商会发布电感器和滤波器磁芯的AL系数、电感量和磁导率等参数。这些 AL的极限值建立在初始磁导率范围或者低磁通密度的基础上。对于测试AL 系数,这是很重要的,测试AL 系数是在低磁通密度下实施的。某些质量管理引入检验部门,希望由他们用几匝绕组检查磁芯,并用不能控制频率或激励电压的数字电桥测试磁芯。几乎毫不例外,以几百高斯、若干千高斯 (kG) 、甚至使磁芯饱和的磁通密度的电压激励磁芯时,该电桥是平衡的。使用这些存在很少匝数的电桥

14、对不开气隙的磁芯进行初始磁导率测量是不合适的。另外一种现象发生在测量低磁导率磁芯,诸如测量具有很少匝数的钼磁芯时,在很低电感量(如1mH®更低)时,即不再应用 AL的方程式。由于邻近的 线匝有通过空气隙偶合的情况,所以,所得的测试值呈现出正公差。例如,在一个10nH的电感器中,磁芯的AL存在超过20%勺正误差是人们所希望的。这同样地是基于很少匝数的原因。然而,如果电感器上的线匝是集总的,则其误差会变得更加恶劣。通常情况下,在开展低磁导率磁芯的检测时,人们将会在磁芯上绕置足够的线匝以获得超过 100nH的电感量,以便有效地预防正误差。其它的误差发生在测量磁芯电感系数过程中,具体地说,那

15、些误差存在于大的空气隙,包括绕满了线匝的骨架中。1000AL时气隙最小,100AL时具有最大气隙。在图中可见,如果线圈骨架上没有被绕满,一个负的测量误差将形成。在100AL时,骨架上仅绕满了 20%勺线匝,这将存在大约-7%的误差。罐形 磁芯可保证正常的士 3%勺公差。因此,检验 AL值时,骨架上应该绕满线匝。也 就是说,测量电感值时应该在远远低于自谐振频率时进行。4 直流偏置关于磁导率与直流偏置关系的曲线,制造厂商提供的数据是在室温下和假设低电平交流激励电压叠加在直流电压上的典型值。增大交流激励电平将引起磁芯的磁导率更快速滚离。具体地对而言,在较高温度时,在较低磁场强度时产生的磁导率滚离要低

16、于室温时产生的滚离。在其它方面,钼坡莫合金磁芯磁导率的变化没有大于高温下若干百分点。5小结如在文章中所叙述的那样,磁芯的适当测试取决于设计、分析和多种类型工作应用的要求。应强调的是对有效特性的测试和对产品质量基础可实施的标准化测试。显然,许多额外的细节如电路性能等是不包括在测试范围内的,但可以保证以上的要求,事实上,提供给他们的不是专利.有效参数effectiveparameter在以磁性特性为根底计算磁芯的磁特性时,设磁芯被一个理想的环所替代,假如使磁环上绕的匝数与原来磁芯上的线圈匝数相同时,则可得到完整相同的电性能,这个代用环的磁特性和尺寸参数叫有效参数。如,有效磁路长度 Le,有效横截面积 Ae,有效 磁导率w e等。4.2 振幅磁导率 amplitudepermeability a当磁场强度随时间作周期性变化且其均匀值为零,并且资料处于指定的磁中性状态时,由磁通密度的峰值和外磁场强度的峰值(两者之一处于规则的幅度)求得的相对磁导率。4.3 起始磁导率 initialpermeabili ty 叱 i当磁场强度趋近于零时的振幅磁导率的极限值。4.4 增量磁导率 initialpermeability(i A当一随时间周期性变化的磁场叠加在指定的静磁场上,并且磁通密度和磁场强度两者 之一的振幅为规则值时,由磁通密度峰谷值求得的相对磁导率。4.5 磁滞

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