第1章光电导探测

1、第第1章章 光电导探测器光电导探测器v光电子器件的种类很多、很广，由于其类型和用途不同，对光电子器件的种类很多、很广，由于其类型和用途不同，对其性能和参数的要求也不同，评价的参数和方法也不尽相同，其性能和参数的要求也不同，评价的参数和方法也不尽相同，在此处只能就其共性进行描述。在此处只能就其共性进行描述。v由于本课程主要涉及由于本课程主要涉及光电探测器光电探测器和和光电成像器件光电成像器件两大类，两大类，所以对它们的性能参数也分两大类。所以对它们的性能参数也分两大类。对光电探测器有：对光电探测器有：响应特性响应特性、噪声特性噪声特性，包括，包括响应率响应率、探测探测率率、时间常数时间常数及及噪

2、声噪声等。等。对光电成像器件有：包括上面参数，还有对光电成像器件有：包括上面参数，还有成像特性成像特性，包括：，包括：分分辨率辨率、空间频率特性空间频率特性以及以及空间抽样特性空间抽样特性等。等。 1.1 光电子器件的基本特性光电子器件的基本特性v信号噪声比信号噪声比乃是反映器件总体特性的综合参乃是反映器件总体特性的综合参数，对描述光电探测器以及光电成像器件都数，对描述光电探测器以及光电成像器件都是必不可少的。是必不可少的。v本节只叙述光电器件的本节只叙述光电器件的响应特性、探测率以响应特性、探测率以及吸收系数及吸收系数，其他特性在各章叙述。，其他特性在各章叙述。1.1.1 光谱响应率和响应率

3、光谱响应率和响应率v响应率响应率定义定义:v光电探测器光电探测器输出信号电压输出信号电压或或电流电流与与单位入射光单位入射光功率功率之之比比，即单位入射光功率作用下探测器输，即单位入射光功率作用下探测器输出信号电压或电流称为响应率出信号电压或电流称为响应率.v有光谱响应率有光谱响应率 和积分响应率和积分响应率r。v是传感器灵敏度相似的是传感器灵敏度相似的概概念念.r1. 光谱响应率光谱响应率v光谱电压响应率光谱电压响应率ru：光电器件在单色：光电器件在单色(在波长在波长 附近一个很小的波长范围内附近一个很小的波长范围内)辐射功率作用下产生辐射功率作用下产生的信号电压为的信号电压为:v 光谱电流

4、响应率光谱电流响应率ri ：光电器件在单色：光电器件在单色(在波长在波长 附近一个很小的波长范围内附近一个很小的波长范围内)辐射功率作用下产生辐射功率作用下产生的信号电流为，则：的信号电流为，则： dpdursu： dpdirsi光电器件的光谱响应曲线光电器件的光谱响应曲线: 归一化，可得归一化，可得相对光谱响应率相对光谱响应率： rm为光谱响应率的最大值为光谱响应率的最大值. r mr r() 1.0 mrrr)(光谱量子效率光谱量子效率 : 单色入射辐射量子数单色入射辐射量子数 由产生的信号量子数由产生的信号量子数 光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决定光谱响应率及量子效率仅由器件的

5、响应特性所决定,而与光而与光源无关。源无关。 psnnpnsnv把把 转化为转化为 ：v 以以m为单位，则为单位，则 以以a/w为单位。为单位。v如果如果以以nm为单位，则为单位，则 以以ma/w为单位。为单位。v此公式计算简单，常在工程中应用到。此公式计算简单，常在工程中应用到。v光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决光谱响应率及量子效率仅由器件的响应特性所决定，而与光源无关。定，而与光源无关。 ir1.24siidiehcrrhcedp1.24iririr简称为响应率响应率r，为器件输出信号与输入功率之比: 电压响应率电压响应率: p入射辐射功率 us输出信号电压 电流响应率：电流响应

6、率： is输出信号电流 量子效率量子效率 : np入射辐射量子数 ns由np所产生的信号量子数 响应率实质上反映了器件的灵敏程度，因此，响应率又被叫做灵敏度或积分灵敏度，而相应的光谱响应率叫做光谱灵敏度。pursupirsipsnn 2. 积分响应率积分响应率光度量的电压响应率和电流响应率光度量的电压响应率和电流响应率: 输入光通量输入光通量 对给定色温的光源，其光通量与辐射功率对给定色温的光源，其光通量与辐射功率p之比是一定的之比是一定的,辐辐射响应率与光度响应率的关系射响应率与光度响应率的关系: suursiirkrruukrriipk 3 .光谱响应率与响应率的关系光谱响应率与响应率的关

7、系 v光源辐射功率谱密度光源辐射功率谱密度 定义为单位波长范围内的辐射定义为单位波长范围内的辐射功率，即：功率，即：v光源辐射功率谱密度随波长的分布曲线如图光源辐射功率谱密度随波长的分布曲线如图1-2，是，是光源的特性。光源的特性。 光源光谱辐射功率谱密度归一化光源光谱辐射功率谱密度归一化: pm：单色辐射功率最大值：单色辐射功率最大值 p：单色辐射功率的相对值：单色辐射功率的相对值 mppp)(ddppp d pm 1 )(p p 称为器件同光源的称为器件同光源的光谱匹配系数光谱匹配系数它反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度。它反映了器件响应的波长范围同光源光谱的吻合程度。 mmmm

8、mrdpdrprdppdrrppr0000)()()()()()(00)()()(dpdrp0000(a/w)sr dpp r dirpdpp d器件的光谱响应同光源的光谱辐射的匹配程度器件的光谱响应同光源的光谱辐射的匹配程度: 在光源固定的情况下，面积在光源固定的情况下，面积a1是不变的，如果与曲线重是不变的，如果与曲线重合得愈多，面积合得愈多，面积a2愈大，也就是光谱匹配愈好，愈大，也就是光谱匹配愈好， 愈大；愈大； 反之，如果两曲线没有重合之处，反之，如果两曲线没有重合之处，=0，即二者完全失，即二者完全失配，则该光电器件对光源没有探测能力。配，则该光电器件对光源没有探测能力。 1200

9、)()()(aadpdrp 1 1 )(p)(p )(r )(r 1a 2a v光谱匹配是选择光电探测器，如像管、光电倍增管、红外成光谱匹配是选择光电探测器，如像管、光电倍增管、红外成像器件的光电转换材料的重要像器件的光电转换材料的重要依据依据。v希望光电探测器尽量与光源匹配。由于夜视器件大部分工作希望光电探测器尽量与光源匹配。由于夜视器件大部分工作在夜晚，其红外波段辐射较集中，因此，制作夜视探测器要在夜晚，其红外波段辐射较集中，因此，制作夜视探测器要尽量向红外方向延伸。尽量向红外方向延伸。v要探测那个波段的光辐射的信号，就要使器件的响应范围与要探测那个波段的光辐射的信号，就要使器件的响应范围

10、与光辐射的波段尽量一致。光辐射的波段尽量一致。 1 1 )(p)(p )(r )(r 1a 2a 功率谱密度功率谱密度波长波长(nm)400800120016002000紫外线紫外线 可见光可见光红外线红外线黄绿光黄绿光01.1.2 最小可探测辐射功率和探测率最小可探测辐射功率和探测率 1. 最小可探测辐射功率最小可探测辐射功率pmin： 当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率射辐射功率 p入射辐射功率；入射辐射功率； un噪声电压均方根；噪声电压均方根； us输出信号电压。输出信号电压。unnsruuuppmin噪声

11、噪声v光电探测器输出的电流或电压在其平均值上光电探测器输出的电流或电压在其平均值上下起伏下起伏.v 这种起伏是一种这种起伏是一种无规则的、随机的无规则的、随机的，在某一瞬间的幅度，在某一瞬间的幅度不能预先知道，并且与其前后相邻时刻的幅度大小也毫无不能预先知道，并且与其前后相邻时刻的幅度大小也毫无关系，这种起伏称为噪声，这种噪声是物理过程中所固有关系，这种起伏称为噪声，这种噪声是物理过程中所固有的，是不可能人为消除的。的，是不可能人为消除的。v由于噪声是在平均值附近的随机起伏，其瞬间值是不确由于噪声是在平均值附近的随机起伏，其瞬间值是不确定的，其长时间的平均值为零，简单地求平均没有意义，定的，其

12、长时间的平均值为零，简单地求平均没有意义，有意义的是足够长时间内求其有意义的是足够长时间内求其平方平均值平方平均值或或均方根均方根。v当有多个噪声源同时存在时，只要这些噪声源是独立，互当有多个噪声源同时存在时，只要这些噪声源是独立，互不相关的，其噪声功率就可进行相加。不相关的，其噪声功率就可进行相加。v在信号较弱时，光电探测器的噪声会显著地影响在信号较弱时，光电探测器的噪声会显著地影响信号探测的准确性，另外，噪声也限制了系统可能信号探测的准确性，另外，噪声也限制了系统可能探测到的最小信号功率，因为信号太弱，就被噪声探测到的最小信号功率，因为信号太弱，就被噪声所掩没，难以被发现。所掩没，难以被发

13、现。当入射辐射较弱时，所产生的信号电压等于噪声电当入射辐射较弱时，所产生的信号电压等于噪声电压时，此时信号被淹没在噪声之中，而不能分辨信压时，此时信号被淹没在噪声之中，而不能分辨信号，此时该入射的辐射功率为该探测器所能探测到号，此时该入射的辐射功率为该探测器所能探测到的最小功率，因此，又称为的最小功率，因此，又称为噪声等效功率噪声等效功率vnep(noise equalance power)。当然。当然pmin越小，器件越小，器件的探测能力越强，的探测能力越强，pmin越小越好，但这不符合人们的习越小越好，但这不符合人们的习惯表示方法，因此引入探测率惯表示方法，因此引入探测率 。 unnsru

14、uuppmin 最小可探测辐射功率最小可探测辐射功率pmin： 当输出信号电压等于输出噪声电压均方根当输出信号电压等于输出噪声电压均方根值时的探测器的入射辐射功率值时的探测器的入射辐射功率 p入射辐射功率；入射辐射功率； un噪声电压均方根；噪声电压均方根； us输出信号电压。输出信号电压。unnsruuuppmin2. 探测率探测率d 对对pmin取倒数作为衡量探测器探测能力的参数称为探取倒数作为衡量探测器探测能力的参数称为探测率测率 d越大，表示器件的探测性能越好越大，表示器件的探测性能越好 puuneppdns11minvnep(noise equalance power)。当然。当然p

15、min越小，器件越小，器件的探测能力越强，的探测能力越强，pmin越小越好，但这不符合人们的习越小越好，但这不符合人们的习惯表示方法，因此引入探测率惯表示方法，因此引入探测率 。 v探测率与探测器的面积和工作频率带宽有关，探测率与探测器的面积和工作频率带宽有关，为了将不同面积和不同工作带宽的器件进行比为了将不同面积和不同工作带宽的器件进行比较，必须消除两个因素的影响。较，必须消除两个因素的影响。2/ 1minmin)(fapp2/ 12/ 1minmin)()(11fadfappd1/21/2()()snunu urda fa fpu表示探测器接收面积为表示探测器接收面积为1cm2，工作带宽为

16、，工作带宽为1hz时的单位入射辐射功率所产生的信噪比。时的单位入射辐射功率所产生的信噪比。 v研究指出，探测率与器件的面积和工作带宽成反比。研究指出，探测率与器件的面积和工作带宽成反比。v 的测量是在一定的条件下进行的，如一的测量是在一定的条件下进行的，如一定的黑体光源的温度，调制频率，测量系统定的黑体光源的温度，调制频率，测量系统的带宽等，测量值的的带宽等，测量值的 (t, f, )如如(500, 900, 5) 。ddf为了描述单色情况，还引入光谱探测率为了描述单色情况，还引入光谱探测率*(,)dff它表示器件对波长为它表示器件对波长为 的辐射的探测率的辐射的探测率. 目前基本上用目前基本

17、上用 取代了取代了d，若无特殊说明，本书所称的，若无特殊说明，本书所称的探测率均指探测率均指 而言。而言。 dd1.1.3 光吸收系数光吸收系数v光入射到材料，会发生吸收、色散、反射、光入射到材料，会发生吸收、色散、反射、折射等现象。对半导体而言，材料吸收光的折射等现象。对半导体而言，材料吸收光的原因，在于光与处在各种状态的电子、晶格原因，在于光与处在各种状态的电子、晶格原子和杂质原子的相互作用。原子和杂质原子的相互作用。v设入射光的强度为设入射光的强度为i0，入射到样品厚度为，入射到样品厚度为x处的光处的光强度为强度为i，则经过，则经过dx的厚度，光强度的减少量为的厚度，光强度的减少量为di

18、，di与入射光强度和厚度成正比，与入射光强度和厚度成正比，xeii0diidx 负号表示光强度的衰减，负号表示光强度的衰减，为线吸收系数，单位为（为线吸收系数，单位为（1/cm）。）。 设初始入射光强度为设初始入射光强度为i0如果样品厚度为如果样品厚度为d，则样品吸收的光强度，则样品吸收的光强度i为：为： 0(1)diie xeii0v当厚度当厚度d=1/时，光强时，光强i= i0/e, 约为入射光强的约为入射光强的36%，此时的厚度称为吸收厚度，有，此时的厚度称为吸收厚度，有64%的光在的光在1/厚度内被吸收，即在吸收厚度内吸收了大部分厚度内被吸收，即在吸收厚度内吸收了大部分的光，如图的光，

19、如图1-5。v当样品厚度当样品厚度 时，光在样品内被全部吸收。时，光在样品内被全部吸收。 可见吸收系数大，光吸收主可见吸收系数大，光吸收主要发生在材料的表层。吸收要发生在材料的表层。吸收系数小，光入射得深。系数小，光入射得深。 1d0(1)diie 如果样品厚度为如果样品厚度为d，则样品吸收的光强度，则样品吸收的光强度i为：为： v吸收系数是光波长吸收系数是光波长或光子能量的函数或光子能量的函数()，且各材，且各材料的吸收系数不同，吸收系数与材料的禁带宽度以料的吸收系数不同，吸收系数与材料的禁带宽度以及掺杂浓度等有关。图及掺杂浓度等有关。图1-6为为si、 ge、gaas半导半导体的吸收系数与

20、光子能量的关系。体的吸收系数与光子能量的关系。v半导体的光吸收有本征吸收、杂质半导体的光吸收有本征吸收、杂质吸收、自由载流子吸收、激子吸收、吸收、自由载流子吸收、激子吸收、晶格振动吸收等多种吸收机制。其晶格振动吸收等多种吸收机制。其中，最主要的吸收是本征吸收。中，最主要的吸收是本征吸收。 v价带中的电子吸收了能量足够大的价带中的电子吸收了能量足够大的光子后，受到激发，越过禁带，跃光子后，受到激发，越过禁带，跃入导带，并在价带中留下一个空穴，入导带，并在价带中留下一个空穴，形成了电子空穴对，这种跃迁过程形成了电子空穴对，这种跃迁过程所形成的光吸收过程称为本征吸收。所形成的光吸收过程称为本征吸收。

21、 v要产生本征吸收，光子的能量必须大于或等于禁带要产生本征吸收，光子的能量必须大于或等于禁带的宽度的宽度eg，即，即 geh 换算成光波长换算成光波长的表达式，可得的表达式，可得gehc/就是说，波长就是说，波长必须满足：必须满足： gehc/gthehc/叫做本征吸收的长波限，又称为阈值波长。叫做本征吸收的长波限，又称为阈值波长。 )()(24. 1mevegth所以要产生本征光吸收，光波长所以要产生本征光吸收，光波长必需小于长波限。必需小于长波限。v对于杂质光吸收，要求入射光子能量大于杂对于杂质光吸收，要求入射光子能量大于杂质电离能质电离能ei， iheec ed ev ei 图 1-8

22、杂质半导体能带图 ei=ecedec, ed分别为导带底和杂质能级。分别为导带底和杂质能级。可得杂质光吸收的长波阈值为：可得杂质光吸收的长波阈值为： m)()(24. 1eveehciith光电导探测器光电导探测器1.2 光电导探测器原理光电导探测器原理v内光电效应内光电效应: 材料在吸收光子能量后，出现材料在吸收光子能量后，出现光生电子空光生电子空-穴，由此引起电导率变化或电穴，由此引起电导率变化或电流电压现象，称之为内光电效应，是相对于流电压现象，称之为内光电效应，是相对于外光电效应外光电效应而言的。而言的。v光电导效应光电导效应：当半导体材料受光照时，吸收：当半导体材料受光照时，吸收光子

23、引起载流子浓度增大，产生附加电导率光子引起载流子浓度增大，产生附加电导率使电导率增加，这个现象称为光电导效应。使电导率增加，这个现象称为光电导效应。v材料对光吸收有本征型和非本征型，所以材料对光吸收有本征型和非本征型，所以光电导效光电导效应应也有也有本征型本征型和和非本征型非本征型。v当光子能量大于禁带宽度时，把价带中的电子激发当光子能量大于禁带宽度时，把价带中的电子激发到导带，在价带中留下自由空穴，从而引起材料导到导带，在价带中留下自由空穴，从而引起材料导电率的增加，这是电率的增加，这是本征光电导效应本征光电导效应。v若光子能量激发杂质半导体的施主或受主，使它们若光子能量激发杂质半导体的施主

24、或受主，使它们电离，产生自由电子或空穴，从而增加材料电导率，电离，产生自由电子或空穴，从而增加材料电导率，这种现象就是这种现象就是非本征光电导效应非本征光电导效应。v材料受光照引起电导率的变化，在外电场作用下就材料受光照引起电导率的变化，在外电场作用下就能得到电流的变化，通过测量回路的电流，就能检能得到电流的变化，通过测量回路的电流，就能检测到电导率的变化。测到电导率的变化。1.2.1 光电导效应光电导效应v1欧姆定律欧姆定律ruislr1sij uelujelss 电导率电导率: 欧姆定律的微分形式欧姆定律的微分形式 电流电流:电流密度电流密度j:v2漂移速度和迁移率漂移速度和迁移率v电子在

25、电场作用下，沿着电场的反方向作定电子在电场作用下，沿着电场的反方向作定向运动称为漂移运动，定向运动的速度称为向运动称为漂移运动，定向运动的速度称为漂移速度漂移速度。 s u e l vd 1 v设导体中电子浓度为设导体中电子浓度为n，电子的漂移速度为，电子的漂移速度为vd，导，导体截面为体截面为s，则单位时间内通过截面的电子数，则单位时间内通过截面的电子数nvd1s，则：，则： v i=nevds v j=nevd v当导体内部电场恒定时，电子应具有一个恒定不变当导体内部电场恒定时，电子应具有一个恒定不变的平均漂移速度，电场强度增大时，平均漂移速度的平均漂移速度，电场强度增大时，平均漂移速度也

26、增大；反之亦然，所以平均漂移速度的大小与电也增大；反之亦然，所以平均漂移速度的大小与电场强度成正比。场强度成正比。 vd =e 称为电子迁移率，表示单位电场下电子的平均漂称为电子迁移率，表示单位电场下电子的平均漂移速度，单位移速度，单位m2/vs， 值与材料特性有关，值与材料特性有关， s u e l vd1 v电导率和迁移率间的关系电导率和迁移率间的关系 jne eene3半导体的电导率半导体的电导率 e0 ec ef ev e 电 子 漂 移 方 向 电 子 电 流 空 穴 电 流 空 穴 漂 移 方 向 jn, jp分别表示电子和空穴电流密度，分别表示电子和空穴电流密度，n, p表示电子

27、、空穴的表示电子、空穴的浓度，浓度， epenejjjpnpn)(pnpene4光电导效应光电导效应v本征半导体在没有光照时，电子空穴本征半导体在没有光照时，电子空穴浓度记为浓度记为n0, p0，此时电导率为，此时电导率为 ,为暗电导为暗电导 pnepen0000在光注入时，半导体电导率：在光注入时，半导体电导率：pnppenne)()(00电导率增量：电导率增量： 0()npenp 金属电极 ef 1.2.2 光电导电流光电导电流v设光电导体两边的电极对光电导体中载流子的运动设光电导体两边的电极对光电导体中载流子的运动不产生影响，即只有光电导体的载流子移到电极上，不产生影响，即只有光电导体的

28、载流子移到电极上，而电极上的电子不能注入到光电导体中。而电极上的电子不能注入到光电导体中。 l 电极 n0p d u v如图如图,设电极间的距离为设电极间的距离为l，宽度为，宽度为w，样品厚度为，样品厚度为d，样品横截面积为，样品横截面积为s=wd,光照射在样品上，单位光照射在样品上，单位时间内入射在单位面积的光子数为时间内入射在单位面积的光子数为n0，样品的线，样品的线性吸收系数为性吸收系数为 ，量子效率为，量子效率为 ，则样品，则样品表面表面的的光生载流子产生率，即单位时间单位体积内电子光生载流子产生率，即单位时间单位体积内电子空穴对空穴对g为：为： l 电 极 n0p d u 0ng v

29、由于在产生的同时，还伴随着载流子的复合消失，由于在产生的同时，还伴随着载流子的复合消失，所以光生载流子浓度的变化关系为所以光生载流子浓度的变化关系为(注：下式是在弱注：下式是在弱光照射时成立，如为强光，公式将不同。而且略去光照射时成立，如为强光，公式将不同。而且略去了载流子的浓度扩散梯度和表面复合。了载流子的浓度扩散梯度和表面复合。)v v v 分别为电子和空穴的平均寿命。分别为电子和空穴的平均寿命。ndnngdtpd ppgdtnpv当产生率和复合率达到平衡状态时，即稳定状态当产生率和复合率达到平衡状态时，即稳定状态光生电子和空穴浓度分别为：光生电子和空穴浓度分别为： ngnpgp定态光电导

30、率定态光电导率 penepn 定态光电导率定态光电导率与载流子的与载流子的迁移率迁移率、寿命寿命、光电导体的、光电导体的线性吸收系线性吸收系数数、量子效率量子效率有关。有关。v流过外电路的电流包括电子和空穴运动形成的电流。流过外电路的电流包括电子和空穴运动形成的电流。设电场强度为设电场强度为e，局部电流密度：，局部电流密度： v v由于稳定时，由于稳定时， , v v实际上，光入射到材料过程中，沿着入射深度方向，实际上，光入射到材料过程中，沿着入射深度方向，光子数逐渐减少，设入射的光子数为光子数逐渐减少，设入射的光子数为n0，到达深度，到达深度x处的光子数为处的光子数为n(x)，v ()npn

31、pjjjnepee ngnpgp()nnppjege xenxn0)( e 电 子 漂 移 方 向 电 子 电 流 空 穴 电 流 空 穴 漂 移 方 向 v随着随着x深度方向，光生载流子产生率随入射深度位深度方向，光生载流子产生率随入射深度位置置x而变化。而变化。 xenxg0)(设样品足够厚度，入射的光子在厚度内都能被吸收，设样品足够厚度，入射的光子在厚度内都能被吸收，光生载流子产生率平均值为：光生载流子产生率平均值为：dng/0则光电流：则光电流： 0()()snnppnnppuij segesenwl 1.2.3 光电导增益光电导增益 样品中每产生一个光生载流子所构成的流入外电路的载流

32、子样品中每产生一个光生载流子所构成的流入外电路的载流子数，即流过外电路横截面的载流子与同一时间内由于光照而数，即流过外电路横截面的载流子与同一时间内由于光照而产生的载流子数之比产生的载流子数之比 g 为为光电导增益光电导增益 电极 p s l 2()()snnppnnppi euegllg ls 由此可见，光电导的增益与样品上所加电压成正比，与样品长由此可见，光电导的增益与样品上所加电压成正比，与样品长度的平方成反比，减小样品长度可提高增益。度的平方成反比，减小样品长度可提高增益。v载流子通过两个电极距离载流子通过两个电极距离l所需时间称为渡越时间所需时间称为渡越时间tr，电子渡越时间为电子渡

33、越时间为trn，空穴渡越时间为，空穴渡越时间为trp， eltnrneltprppnrnrpgtt即增益等于载流子寿命与渡越时间之比值，显然，寿命增加有即增益等于载流子寿命与渡越时间之比值，显然，寿命增加有利于提高增益，但会增加惰性，二者应折衷考虑。光生电子流利于提高增益，但会增加惰性，二者应折衷考虑。光生电子流与所加电压成正比，电子载流子寿命增加有利于输出电流的增与所加电压成正比，电子载流子寿命增加有利于输出电流的增加。加。v样品在光照下产生的光电子，电子在外电场下向阳样品在光照下产生的光电子，电子在外电场下向阳极漂移，如果电子的寿命极漂移，如果电子的寿命 ，大于电子的渡越时，大于电子的渡越

34、时间间 ，则在电子从阳极出走之后，为了保持样品的，则在电子从阳极出走之后，为了保持样品的电中性，必然要从电源的负极吸收一个电子加以补电中性，必然要从电源的负极吸收一个电子加以补充。充。rnn单位时间内产生的光电子数单位时间内产生的光电子数= n1单位时间内产生注入外电路的电子数单位时间内产生注入外电路的电子数= 1rn11rnnrnng两者之比两者之比g： 1.2.4 光电导灵敏度光电导灵敏度 v光电导灵敏度光电导灵敏度通常定义为单位入射的光辐射功率所通常定义为单位入射的光辐射功率所产生的光电导率。产生的光电导率。 pnbpn(1)pebn设入射的光功率为设入射的光功率为p， 样品上的光辐照度

35、为样品上的光辐照度为ex， wlepenerxpn入射的辐射功率光电导率0(1)pxebne wld1.2.5 光电导惰性和响应时间光电导惰性和响应时间 v以上分析了以上分析了定态定态光电导的工作情况，对于光电导的工作情况，对于非定态非定态情情况，例如当光照开始及撤去的瞬间有况，例如当光照开始及撤去的瞬间有 ，将，将是时间的函数，必须解方程才能是时间的函数，必须解方程才能 求得。求得。v由于对不同的光照水平和不同的光电导类型，方程由于对不同的光照水平和不同的光电导类型，方程的形式不同，故分不同情况进行处理。的形式不同，故分不同情况进行处理。0dndt1 弱光情况弱光情况:即指光生载流子浓度远小

36、于平衡载流子浓即指光生载流子浓度远小于平衡载流子浓度度(小注入小注入)即即n n0，pn0， p p0的情况的情况 r空穴、电子复合率空穴、电子复合率 初始条件初始条件:t=0时时, n=0当撤去光照时当撤去光照时t=0 2)( nrgdtnd)tanh()()tanh()(21212121tgrrgtgrrgntgrrgrtgrn212121)(11)()(11.2.6 光电导的光谱响应特性光电导的光谱响应特性v本征激发的结果是产生电子空穴对，而杂质激发可能产生电本征激发的结果是产生电子空穴对，而杂质激发可能产生电子或空穴，这与杂质有关。子或空穴，这与杂质有关。v影响光谱响应有两个主要因素：

37、光电导材料对各波长辐射的影响光谱响应有两个主要因素：光电导材料对各波长辐射的吸收系数吸收系数和和表面复合率表面复合率。v光谱响应有一峰值，而无论向长波或短波方向，响应都会降光谱响应有一峰值，而无论向长波或短波方向，响应都会降低，如图低，如图1-18。在材料不同深度。在材料不同深度x处获得的光功率为处获得的光功率为p=p0(1 )。在较长波长上，光子能量不足，吸收系数。在较长波长上，光子能量不足，吸收系数很小，产生的电子浓度较少，一部分辐射会穿过材料，因很小，产生的电子浓度较少，一部分辐射会穿过材料，因此灵敏度低。此灵敏度低。v随着波长减小，吸收系数增大，入射光功率几乎全被材料吸随着波长减小，吸

38、收系数增大，入射光功率几乎全被材料吸收，量子效率增加，因此光电导率达到峰值。一般峰值靠近收，量子效率增加，因此光电导率达到峰值。一般峰值靠近长波限，实际定义长波限为峰值一半处所对应的波长。长波限，实际定义长波限为峰值一半处所对应的波长。xevzns；2cds；3cdse；4si；5gaas；6pbs；7ge；8pbte，90k；9insb，5k；10pbse，90k。 常用的光电导材料的光谱响应常用的光电导材料的光谱响应1.3 光敏电阻光敏电阻v利用光电导效应制成的最典型的光电导器件是光敏利用光电导效应制成的最典型的光电导器件是光敏电阻。光敏电阻种类繁多，有对紫外敏感的、有对电阻。光敏电阻种类

39、繁多，有对紫外敏感的、有对可见光敏感的、有对红外敏感的，主要由其所使用可见光敏感的、有对红外敏感的，主要由其所使用的材料所决定，光电导材料均可制作成光敏电阻。的材料所决定，光电导材料均可制作成光敏电阻。目前广泛使用的光敏电阻主要品种有：硫化镉目前广泛使用的光敏电阻主要品种有：硫化镉（cds）、硒化镉（）、硒化镉（cdse）、硫化铅（）、硫化铅（pbs）、）、硅（硅（si）、锗（）、锗（ge）、锑化铟（）、锑化铟（insb）等。）等。光敏电阻分类本征型掺杂型ecevegeceveg)(12400nmeehcgg)(12400nmeehcgg光电导器件材料光电导器件材料禁带宽度禁带宽度（ev）光谱

40、响应范围光谱响应范围（nm）峰值波长峰值波长（nm）硫化镉（硫化镉（cds）2.45400800515550硒化镉（硒化镉（cdse）1.74680750720730硫化铅（硫化铅（pbs）0.4050030002000碲化铅（碲化铅（pbte）0.3160045002200硒化铅（硒化铅（pbse）0.2570058004000硅（硅（si）1.124501100850锗（锗（ge）0.6655018001540锑化铟（锑化铟（insb）0.1660070005500砷化铟（砷化铟（inas）0.33100040003500常用光电导材料每一种半导体或绝缘体都有一定的光电导效应，但只有其中一

41、部分材料经过特殊处理，掺进适当杂质，才有明显的光电导效应。现在使用的光电导材料有-族、-族化合物，硅、锗等，以及一些有机物。光敏电阻演示光敏电阻演示 当光敏电阻当光敏电阻受到光照时受到光照时，光生电子，光生电子空穴对增空穴对增加，阻值减加，阻值减小，电流增小，电流增大。大。暗电流（越小越好）v光敏电阻和其它半导体光电器件（如光生伏特探测器）相比光敏电阻和其它半导体光电器件（如光生伏特探测器）相比有以下特点：有以下特点：v(1) 光光谱响应范围谱响应范围宽宽。根据材料不同，有的在可见光灵敏，。根据材料不同，有的在可见光灵敏，有的灵敏域可达红外区、远红外区。有的灵敏域可达红外区、远红外区。v(2)

42、 工作工作电流大电流大，可达数毫安。，可达数毫安。v(3) 所测的光强范围宽，即可测弱光，也可测强光。所测的光强范围宽，即可测弱光，也可测强光。v(4) 灵敏度高灵敏度高，通过对材料、工艺和电极结构的适当选择和，通过对材料、工艺和电极结构的适当选择和设计，光电增益可大于设计，光电增益可大于1。v(5) 无极性无极性之分，使用方便。之分，使用方便。v缺点：在强光照下光电线性较差，光电驰豫时间长，频率特缺点：在强光照下光电线性较差，光电驰豫时间长，频率特性较差，因此它的应用领域受到一定限制。性较差，因此它的应用领域受到一定限制。v光敏电阻的主要光敏电阻的主要用途用途是：用于照相机、光度计、光是：用

43、于照相机、光度计、光电自动控制、辐射测量等辐射接收元件。电自动控制、辐射测量等辐射接收元件。v表征光敏电阻器特征的参数主要有表征光敏电阻器特征的参数主要有光照灵敏度光照灵敏度、伏伏安特性安特性、光谱响应光谱响应、温度特性温度特性、值值等，下面就简等，下面就简述其结构和特性。述其结构和特性。1.3.1 光敏电阻的结构光敏电阻的结构 a k i i=ip+id g=gp+gd 光敏电阻器均制作在陶瓷基体上，光敏面均做成蛇形，目光敏电阻器均制作在陶瓷基体上，光敏面均做成蛇形，目的是要保证有较大的受光表面。上面带有光窗的金属管帽或的是要保证有较大的受光表面。上面带有光窗的金属管帽或直接进行塑封，其目的

44、是尽可能减少外界（主要是湿气等有直接进行塑封，其目的是尽可能减少外界（主要是湿气等有害气体）对光敏面及电极所造成的不良影响，使光敏电阻器害气体）对光敏面及电极所造成的不良影响，使光敏电阻器的性能长期稳定，工作长期可靠。的性能长期稳定，工作长期可靠。光敏电阻实物图光敏电阻实物图 当光敏电阻受到光照时，当光敏电阻受到光照时， 阻值减小阻值减小。 1.3.2 光敏电阻的特性光敏电阻的特性v1光电特性光电特性v光电流与照度的关系称为光电特性光电流与照度的关系称为光电特性 ip=sgeua ip e(lx) 光电特性光电特性 : ip=sgeua ip光电流，即光敏电阻两端加上一定电压后，亮电光电流，即

45、光敏电阻两端加上一定电压后，亮电 流流i与暗电流与暗电流id之差；之差；e光照度；光照度；光照指数，它与材料和入射光强弱有关，对于光照指数，它与材料和入射光强弱有关，对于 cds、pbs等，在弱光照下等，在弱光照下=1，在强光照射下，在强光照射下=1/2，一，一般般=0.51；u 光敏电阻两端所加的电压；光敏电阻两端所加的电压；a电压指数，它与光电导体和电极材料之间的接触电压指数，它与光电导体和电极材料之间的接触有关，欧姆接触时有关，欧姆接触时a=1，非欧姆接触，非欧姆接触a=1.11.2；sg光电导灵敏度。光电导灵敏度。 ip e(lx) v如如a=1，在弱光照下，在弱光照下=1：v ip=

46、sgeuv在弱光照下，在弱光照下，ip与与e具有良好的线性，在强光照射下具有良好的线性，在强光照射下则为非线性，其它光敏电阻也有类似的性质。因此则为非线性，其它光敏电阻也有类似的性质。因此光敏电阻在光敏电阻在强光时线性特性变差强光时线性特性变差。光电特性光电特性 : ip=sgeua 2光电阻的光电导灵敏度光电阻的光电导灵敏度v欧姆接触时，欧姆接触时，a=1 v ip=gpu v gp光电导值，此式即欧姆定律。光电导值，此式即欧姆定律。vgp=sgev线性系数线性系数值值代表亮阻与光照之间呈非线代表亮阻与光照之间呈非线性，性，值值是光敏电阻器的一个重要参考数是光敏电阻器的一个重要参考数据，据，

47、 ip=sgeua v响应量光电导与输入量之比，所以响应量光电导与输入量之比，所以sg为光电导灵敏为光电导灵敏度。度。v如如=1， （1-134）v单位为西门子单位为西门子/勒克斯（勒克斯（s/lx）。）。v对于光敏电阻来说，电流有暗电流对于光敏电阻来说，电流有暗电流id，亮电流，亮电流i与光与光电流电流ip ，电导也有暗电导，电导也有暗电导gd，亮电导，亮电导g和光电导和光电导gp之分，即之分，即i=ip+id ，g=gp+gd。v所以亮电流所以亮电流i： vi=(sge+gd)u egspg3伏安特性伏安特性 ma 15 10 5 10 20 30 v 100lx 300lx 550lx

48、1000lx 50mw 两个明显的特点两个明显的特点 一一:在额定功率范围内（如在额定功率范围内（如50mw）光电流与所）光电流与所加电压成线性，即电流正比于所施加外电压。加电压成线性，即电流正比于所施加外电压。二二:当光敏电阻器上承受的功率超过它本身的额当光敏电阻器上承受的功率超过它本身的额定功率后，曲线开始变弯，趋向饱和，电流并未定功率后，曲线开始变弯，趋向饱和，电流并未继续增大，即大部分光生载流子已参与为光电流。继续增大，即大部分光生载流子已参与为光电流。4温度特性温度特性 10% 20 -20 100lx 10lx -10% -20% 温度 亮阻相对变化率 r0 r 100% 为负值

49、e 值 40 60 -60 -40 -10 -20 10 20 亮阻相对变化率(%) 温度 r0 r 100% 亮电阻的温度系数亮电阻的温度系数 10010()rrrtt5频率特性频率特性光敏电阻频率特性1-硒 2-硫化硒 3-硫化铊 4-硫化铅 频 率 (h z) 104 103 1 2 3 4 1.0 相对输出 光敏电阻采用交变光照时，其输出随入射光频率的增加光敏电阻采用交变光照时，其输出随入射光频率的增加而减少，这是因为光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工而减少，这是因为光敏电阻是依靠非平衡载流子效应工作的，非平衡载流子的产生与复合都有一个时间过程，作的，非平衡载流子的产生与复合都有一个时间

50、过程，这个时间过程即在一定程度上影响了光敏电阻对变化光这个时间过程即在一定程度上影响了光敏电阻对变化光照的响应。照的响应。光敏电阻光敏电阻频带宽度频带宽度都比较窄，在室温下，一般不超过几都比较窄，在室温下，一般不超过几千赫兹，千赫兹， 6光谱响应特性光谱响应特性v光敏电阻的光敏电阻的光谱响应特性光谱响应特性主要主要由由所用的所用的半导体材料半导体材料所所决定决定。光敏电阻可用于与人眼有关的仪器，如照。光敏电阻可用于与人眼有关的仪器，如照相机、照度计、光度计等，它们的光谱响应曲线形相机、照度计、光度计等，它们的光谱响应曲线形状与人眼的光谱光视效能状与人眼的光谱光视效能v（）曲线还不完全一致，）曲

51、线还不完全一致，在使用时，必须加滤光片加以修正。在使用时，必须加滤光片加以修正。v硫化铅光谱响应曲线v温度对光谱响应影响较大，如图温度对光谱响应影响较大，如图1-29和图和图1-31所示，所示，v一般地说，光谱响应主要由材料禁带宽度决定，禁带宽度越一般地说，光谱响应主要由材料禁带宽度决定，禁带宽度越窄则对长波越敏感，但禁带很窄时，半导体中热激发也会使窄则对长波越敏感，但禁带很窄时，半导体中热激发也会使自由载流子浓度增加，使复合运动加快，灵敏度降低，因此自由载流子浓度增加，使复合运动加快，灵敏度降低，因此采用冷却灵敏面的办法来降低热发射，来提高灵敏度往往是采用冷却灵敏面的办法来降低热发射，来提高灵敏度往往是很有效的。温度降低，使灵敏范围和峰值向长波范围移动，很有效的。温度降低，使灵敏范围和峰值向长波范围移动，降低了热发射，提高了灵敏度。降低了热发射，提高了灵敏度。红外光电导探测率图红外光电导探测率图 碲镉汞的光谱响应特性碲镉汞的光谱响应特性* *7. 7. 噪声特性噪声特性 l热噪声（1mhz） )(1k4)(202d2nj rftfid2njk4)(rftfi l产生复合噪声(1khz1mhz) 2022ngr1f4 imeif42ngrimeil电流噪声（低频）bffbdlici 212nf高频 低频 高频 低频 1、噪声及探测率/f热噪声产