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文档简介

1、芯片消费工艺流程课件 单晶拉制1单晶拉制2单晶拉制3单晶拉制4单晶拉制5环境和着装单项工艺-分散(1)卧式4炉管分散/氧化炉分散/氧化进炉实景图单项工艺-分散(2)立式分散/氧化炉分散/氧化进炉实景图单项工艺-分散(3)分散工序作业现场单项工艺-光刻(1)先进光刻曝光设备单项工艺-光刻(2)现场用光刻曝光设备单项工艺-光刻(3)检查用显微镜单项工艺-光刻(4)清 洗淀积/生长隔离层匀 胶SiO2 Si3N4 金属金属-HMDS喷淋添加Si的粘性 -匀光刻胶单项工艺-光刻(5)前 烘对 版匀 胶-对每个圆片必需按要求对版对每个圆片必需按要求对版-用弧光灯将光刻版上的图案转 移到光刻胶上。-添加黏

2、附作用 -促进有机溶剂挥发单项工艺-光刻(6)显影/漂洗坚 膜腐 蚀-硬化光刻胶。 -添加与硅片的附着性。-将圆片进展显影/漂洗，不需求的的光刻胶溶解到有机溶剂。去 胶-干法腐蚀/湿法腐蚀单项工艺-光刻(7)光刻工艺过程单项工艺-CVD1单项工艺-CVD2初级离子气体被吸收到硅片外表单项工艺-CVD3初级离子气体在硅片外表分解单项工艺-CVD4玻 璃 的 解 吸单项工艺-CVD5单相工艺-离子注入1单相工艺-离子注入2单相工艺-离子注入3单相工艺-蒸发1蒸发原理表示图单相工艺-蒸发2溅射原理表示图单相工艺-蒸发3单相工艺-清洗根底认知衬底资料分散层外延层一次氧化基区光刻干氧氧化离子注入基区分散发射区光刻发射区预淀积发射区分散*发射区低温氧化*氢气处置N+光刻适用于P型片N+淀积分散适用P型片N+低温氧化适用P型片氢气处置适用P型片3B光刻铝蒸发四次光刻氮氢合金AL上CVD2氮气烘焙适用N型片2五次光刻2中测抽测2测试系统减薄、抛光2减薄和抛光部分蒸金/

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