晶振负载电容计算

1、OsciXtal |1 C C2 =?Osco1C1PCF8563C1电容是IC生产中引入的，当芯片确定时这些数值就已经确定。 C是布局布线引入的电容。每个晶振xtal都有要求的负载电容才能实现精确的震荡频率，由上图可知，由于IC以及布局布线，已经引入了 C1和AC,其实还引入了其他寄生 电容，比如Cic，但是这些寄生电容比较小，因此忽略不计。为了使内部集成电容C1和外部电容构成电容三点谐振电路，需要在外部 OSCI与地之间接入一个外接电容C。一旦接入C2,则C1，C2， C, xtal构成电容三点式谐振回路，此时C1，C2， C需要满足xtal的负载电容要求， 即C1*C2/（C1+C2）+

2、 要满足xtal的负载电容要求。当布局布线确定，电容 C已知，芯片确定，C1已知（在一个范围内，典型值25pf，最小 15pf，最大35pf），xtal确定，需要的负载电容已知时，就可以计算出外接电容数值大小。通常计算方法，忽略Cic, C1按典型值25pf，xtal采用32.768khz的TC38封装，需要的负载电容12.5pf左右，混入少量布线寄生电容（约3pf）， 这种情况下的外接电容C2 一般在15pf左右。1hiniF1Y124MC1C2181183图中CI,C2这两个电容就叫晶振的负载电容，分别接在晶振的两个脚上和对地的电容，一般在几十皮法。它会影响到晶振的谐振频率和输出幅度，一般

3、订购晶振时候供货方会问你负载电容是多少。晶振的负载电容=（Cd*Cg）/（Cd+ Cg）+Cic+ C式中Cd,Cg为分别接在晶振的两个脚上和对地的电容,Cic （集成电路内部电容）+C（PCB上电容）经验值为3至5pf。因此，晶振的数 据表中规定12pF的有效负载电容要求在每个引脚 XIN与XOUT上具有22pF（2 * 12pF = 24pF = 22pF + 2pF寄生电容，定值贴片电容没有24pf， 只有 22pf）。两边电容为 Cg,Cd,负载电容为 Cl, cl=cg*cd/（cg+cd）+a ，a= Cic+AC（a 的经验值是 3.5-13.5pf）就是说负载电容15pf的话，

4、两边两个接27pf （定值贴片电容只有27pf，没有30pf）的差不多了，各种逻辑芯片的晶振引脚可以等效为电容三点式振荡器。晶振引脚的内部通常是一个反相器，或者是奇数个反相器串联。在晶振输出引脚XO和晶振输入引脚XI之间用一个电阻连接，对于CMOS芯片通常是数M到数十M欧之间.很多芯片的引脚内部已经包含了这个电阻，引脚 外部就不用接了。这个电阻是为了使反相器在振荡初始时处于线性状态,反相器就如同一个有很大增益的放大器，以便于起振.石英晶体也连接在晶 振引脚的输入和输出之间，等效为一个并联谐振回路，振荡频率应该是石英晶体的并联谐振频率.晶体旁边的两个电容接地，实际上就是电容三点 式电路的分压电容

5、，接地点就是分压点.以接地点即分压点为参考点，振荡引脚的输入和输出是反相的，但从并联谐振回路即石英晶体两端来看，形 成一个正反馈以保证电路持续振荡.在芯片设计时，这两个电容就已经形成了，一般是两个的容量相等，容量大小依工艺和版图而不同，但终归是比 较小，不一定适合很宽的频率范围.外接时大约是数PF到数十PF,依频率和石英晶体的特性而定.需要注意的是：这两个电容串联的值是并联 在谐振回路上的，会影响振荡频率.当两个电容量相等时，反馈系数是0.5, 一般是可以满足振荡条件的，但如果不易起振或振荡不稳定可以减小输 入端对地电容量，而增加输出端的值以提高反馈量.一般芯片的Data sheet上会有说明

6、。另：1.匹配电容负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑 ic 输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高4负载电容是指晶振的两条引线连接 IC 块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的 振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶