半导体及集成电路领域的撰写及常见问题

1、半导体及集成电路领域的撰写及常见问题电学发明审查部 半导体处沈丽本文简介： 申请人和代理人关心的是申请人和代理人关心的是如何将一个技术方案撰写成一个形式合格并且保护范围适当的申请文件，而审查员关心的是审查员关心的是该申请文件中存在哪些专利法和实施细则中不允许的问题。本文从审查员的角本文从审查员的角度度介绍审查标准和常见的撰写问题，希望从不同的角度有助于申请人和代理人理解审查的原则并避免一些常见问题。主要内容： .半导体领域介绍 .申请文件的撰写要求及相应的常见问题 .审查答复通知书时提交文本的常见问题 .导致驳回的几种常见情况及案例分析一、半导体领域介绍 半导体领域广义的说是与半导体材料有关的

2、领域，涉及半导体材料、半导体材料的制备、半导体器件、半导体器件的制备、半导体器件的应用、半导体器件的测量等等半导体器件的制备包含通过常见的半导体工艺形成半导体器件的各个部件以及半导体封装件，半导体器件的应用将具有特定的电学特性的半导体器件例如IC应用在电路、计算机、通信、商业等领域中。典型和常用的半导体材料是硅；硅的制备包括硅单晶的制备、硅晶片的加工；半导体器件从形式分可以分成分立器件和集成器件； 电学发明审查部的半导体处仅涉及分立或集成的半导体器件及其制备，不涉及这些器件的应用，从分类号的角度来说，仅涉及H01L下的专利申请。因此，下面介绍的内容也主要针对半导体器件及其制备。 H01L领域的

3、特点是涉及到的产品种类多产品种类多、工艺方法多工艺方法多、功能性限定相对少功能性限定相对少。半导体器件的零部件半导体器件的零部件例如有：将引线框架、引线键合或焊料凸点、安装架、安装容器、散热装置、密封层、封装树脂层等。产品种类多产品种类多：分立器件分立器件例如有：二极管、晶体管、晶闸管、太阳能电池、压电器件、发光器件等；集成电路集成电路例如有：集成的晶体管、MOS、CMOS、DRAM、SRAM、ROM、EPROM、EEPROM等；工艺方法多工艺方法多：外延生长、掺杂、扩散、离子注入、退火、光刻、湿法蚀刻、干法蚀刻、抛光、引线键合、载带自动焊、芯片倒装焊、外壳封装、表面贴装等等。功能性限定相对少

4、功能性限定相对少：由于涉及元器件和制造工艺多，因此对于元器件来说，通常不需要借助功能性限定，用元器件的结构特征及各个结构特征之间的位置或连接关系就可以将产品限定清楚，对于制造工艺，需要用制造步骤、工艺方法、工艺参数来限定，而不是功能性描述。二、申请文件的撰写要求及相应的常见问题 根据专利法第26条第1款的规定，申请发明或者实用新型专利的，应当提交请求书请求书、说明书说明书及其摘要摘要和权利要求书权利要求书等文件。专利申请文件的组成（一） 说明书应当符合专利法第26条第3款、专利法实施细则第18条、19条的规定。 专利法第26条第3款规定：说明书应当对发明或者实用新型作出清楚清楚、完整完整的说明

5、，以所属技术领域的技术人员能够实现实现为准；必要的时候，应当有附图。1）说明书应当满足专利法第26条第3款的规定i）说明书的内容应当清楚清楚，具体应满足下述要求。l主题明确主题明确，前后一致前后一致l用词准确用词准确，无歧义无歧义ii）说明书的内容应当完整完整 一份完整的说明书应当包含下列各项内容：（1）帮助理解发明或者实用新型不可缺少的内容。（有助于理解发明）（2）确定发明或者实用新型具有新颖性、创造性和实用性所需的内容。（有别于现有技术）（3）再现发明或者实用新型所需的内容。（能够再现） iii）所属技术领域能够实现实现 是指所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容，不需要创造性的劳动，

6、就能够再不需要创造性的劳动，就能够再现现该发明的技术方案，解决其技术问题，并且产生预期的技术效果。提示：如果申请人视为“技术秘密技术秘密”（know-how）的内容是是该技术领域的技术人员实施或再现实施或再现本发明或实用新型所必不可少的必不可少的，就不可作为技术秘密保留起来，应当记载在说明书中应当记载在说明书中；否则否则，由于“说明书的修改不得超出原说明书和权利要求的记载范围”，那些被申请人当作技术秘密保留起来的必不可少的技术内容在修改时就不能补充到就不能补充到说明书中去说明书中去，从而可能导致最后驳回申请。 以下各种情况由于缺乏解决技术问题的技术手段而被认为无法实现： 1）说明书中仅给出了任

7、务和仅给出了任务和/或设想或设想，或者或者只表明一种愿望和只表明一种愿望和/或结果或结果，而未给出任何使所属技术领域的技术人员能够实施的技术手段； 2）说明书中给出了解决手段，但对所属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不清的手段是含糊不清的，根据说明书记载的内容无法具体实施； 3）说明书中仅给出了解决手段，但所属技术领域的技术人员采用该手段并不能解决所述技术问该手段并不能解决所述技术问题题； 4）申请的主题为由多个技术措施构成的技术方案，对于其中一个技术措施其中一个技术措施，所属技术领域的技术人员按照说明书记载的内容并不能实现不能实现； 5）说明书中给出了具体的技术方案，但未提未提供实验证据

8、供实验证据，而该方案又必须依赖实验结果加以证实才能成立。举例举例1：发明名称发明名称：半导体器件三维接触的形成背景技术背景技术：现有技术中大多采用等离子体蚀刻等离子体蚀刻技术进行三维蚀刻，但需要价格昂贵的设备价格昂贵的设备，并且等离子体蚀刻中还有晶格损伤问题还有晶格损伤问题，尽管可以通过热处理消除大部分的晶格缺陷，但是必要的热处理过程会导致制造成本上升热处理过程会导致制造成本上升。发明内容发明内容：用特殊的化学药品特殊的化学药品进行各向异性腐蚀形成半导体器件的电极接触，增加电极接触面积，使工作时通过表面的电流密度下降，从而使器件内部的压降降低。 采用化学药品进行腐蚀，晶格损伤为零晶格损伤为零，

9、可以大量成批处理大量成批处理。只要控制化学药品的组成控制化学药品的组成、腐蚀温度和时间，就能得到一定深度的槽状结构。实施例实施例： 结晶方向为单晶棒，按一定的厚度切割成片，表面镜面抛光。然后在表面涂布光刻胶，利用通常的方法进行曝光、显影形成线宽为10micron，间隔为3micron连续图形。如图1所示，光刻胶（A）幅宽为10micron，间隔（B）为3micron。将此硅片放入温度为40的碱性化学药品中。附图1：举例举例2：发明名称发明名称：纳米孔道中的晶体管及其集成电路技术方案技术方案：利用分子筛材料的纳米孔道特点，在纳米在纳米孔道中装入孔道中装入P型和N型半导体材料，并且在P型和N型半导

10、体的结合处形成P-N结。分别在孔道的两端在孔道的两端P型和N型半导体上蒸镀金属电极蒸镀金属电极，作为外部引线的基础。这样便在纳米孔道中构成了一种二极管。以此为出发点，利用分子筛中的纳米孔道可控制生长特性，可以构造晶体管和集成电路构造晶体管和集成电路。附图：分析：申请人在实施例中指出“在孔道内的两侧分别装入P型和N型半导体材料”、“在三个不同方向的微孔内分别装入P型或N型半导体”、“通过分子组装化学方法，将P型半导体材料18、22和N型半导体材料分别装入图2的纳米孔道中”。然而众所周知，制造均匀、具有20nm的孔径、20nm厚度的管壁的纳米管是非常困难的，依据现有的技术条件，本领域普通技术人员难

11、以理解：如何利用分子组装化学方法将P型半导体材料或N型半导体材料分别装入纳米孔道中，如何制造该申请中所述的“T型孔道和Y型孔道”，形成三维尺寸都不超过20纳米的晶体管及其集成电路。也就是说明中仅给出了解决手段，但仅给出了解决手段，但对所对所属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不属技术领域的技术人员来说，该手段是含糊不清的清的，根据说明书记载的内容无法具体实施，不符合专利法第26条第3款的规定。2）说明书的撰写顺序应当符合实施细则第18条的规定，具体为： （1）发明名称i）应与请求书中的名称一致，一般不超过25个字；举例举例：a）“稳定绝缘体基半导体器件的制造方法及绝缘体基半导体器件”； b）

12、“非纺玻璃纤维部件的表面侧覆盖材料的太阳能电池组件” ii）采用所属技术领域通用的技术术语，最好采用国际专利分类表中的技术术语，不得采用非技术术语；举例举例：“形成半导体器件金属互连的方法” H01L 21/768 “形成动态随机存取存储器的方法” H01L21/8242 “线架及其制造方法” “二极体及其制造方法” iii）清楚简明清楚简明地反映要求保护的发明或者实用新型技术方案的主题和类型主题和类型（产品或方法）；举例举例：“半导体封装装置及成形物质引起的寄生电容的计算方法计算方法” “热电半导体材料或元器件材料或元器件及其制造方法与装置” iv）应该全面地反映全面地反映一件申请中包含的各

13、各种发明类型种发明类型；举例举例：“半导体器件的互连线及其制造方法” “一种散热片及形成方法和组合件” “引线框架和半导体器件”（申请文件） “引线框架及其制造方法，和使用此引线框架的半导体器件”（授权） v）不得使用人名、地名、商标、型号或者商品名称，也不得使用商业性宣传用语。举例举例：“一种高效替换备用存储单元阵列的半 导体器件” “一种新颖整流元件的结构及其制法”（2）技术领域 发明或者实用新型的技术领域应当是保护的发明或者实用新型技术方案所属或者直接应用的具体技术领域，而不是上位发明或者实用新型本身。举例举例：发明名称发明名称：半导体器件及其制造方法技术领域技术领域：“本发明涉及半导体

14、器件及其制造方法”点评点评：由于半导体器件种类很多并且零部件也很多，因此写成了广义的技术领域，过于笼统，简单地照抄发明名称。发明名称发明名称：“形成半导体器件的场区的方法”技术领域技术领域：本发明涉及一种形成半导体器件的场区方法，特别涉及一种利用适用于一千兆DRAM规模或更大规模的半导体器件的STI（浅槽隔离）结构形成场区的方法。改进之处改进之处：在形成槽之前先进行离子注入。技术领域技术领域：本发明涉及一种半导体器件的形成方法（上位的技术领域），特别涉及先进行离子注入再形成STI（浅槽隔离）的半导体器件的场区的形成方法（发明本身）。（3）背景技术 发明或者实用新型说明书的背景技术部分应当写明对

15、发明或者实用新型的理解、检索、审查有用的背景技术，并且引证反映这些背景技术的文件。 在说明书涉及背景技术的部分中，还要客观地指出背景技术中存在的问题和缺点。但是，仅限于涉及由发明或者实用新型的技术方案所解决的问题和缺点。在可能的情况下，说明存在这种问题和缺点的原因以及解决这些问题时曾经遇到的困难。一些申请文件中的缺陷： （i）对背景技术的描述过于简单，只是笼统地一提而过，没有引证文件； （ii）有的即使引用了相关文件，也与发明主题相距甚远，有意或无意地掩盖了最相关的背景技术； （iii）有的故意把背景技术说得一无是处，以此衬托发明的所谓“突出”或“显著”； （iv）有的对于不重要的背景技术描述

16、很多，对真正相关的背景技术却避而不谈。举例举例：附图：图面介绍图面介绍： 图1是常规底部引线半导体封装的纵剖图，如该图所示，常规底部引线半导体封装包括：半导体芯片1；和由多根连接基片的引线2a组成的引线2，引线2a的上表面安装半导体芯片1，底表面与基片连接（未示出）。多个连接芯片的引线2b从连接基片的引线2a延伸，以便与半导体芯片1引线接合。 粘结剂3把半导体芯片1粘结在引线2的连接基片的引线2a的上表面上。多根连线5电连接半导体芯片1的芯片焊盘/接合焊盘（未示出）和引线2的连接芯片的引线2a。模制树脂4模制包括已导线连接的半导体芯片1和引线2的两种引线2a及2b的预定区域，以使引线框架的连接

17、基片的引线2a的底表面暴露于封装管座的底表面，引线2的基片连接的引线2a从连接芯片的引线2b向下延伸预定深度。 美国专利5428248中详细说明了这种有上述结构的半导体封装，该专利已转让给本发明的受让者，在此可对它所公开的内容作了引证。然而，在上述常规半导体封装中，当芯片焊盘位于半导体封装的侧边时，可以进行引线接合，但当芯片焊盘位于其中心时，无法进行引线接合。（4）发明或者实用新型的内容要解决的技术问题 是指发明或者实用新型要解决的现有技术中存在的技术问题。发明或者实用新型公开的技术方案应当能够解决这些技术问题。撰写要求： 针对现有技术中存在的缺陷或不足； 用正面、尽可能简洁的语言客观而有根据

18、地反映发明或者实用新型要解决的技术问题，也可以进一步说明其技术效果。举例举例： I.由于与基板等进行电连的外部引线收a被配置为比芯片焊盘3的位置往下，故半导体器件难于薄型化。 II.由于芯片焊盘3设于IC封装主体（铸模树脂5a）内部，故散热性差。 III.由于与基板等进行外部接触的外部引线4a仅仅配置在半导体器件的下边的一个方向，故半导体器件的多层化是困难的。本发明就是为了解决这些问题而创造出来的，目的是提供一种可实现半导体器件的薄型化，可改善散热性，可实现多层化的半导体器件及其制造方法。技术方案技术方案： 说明书中公开的技术方案是一件发明专利申请的核心，技术方案是申请人对要解决的技术问题采取

19、的技术措施的集合。 技术措施通常是由技术特征来体现的。发明为解决其技术问题所不可缺少的技术特征称为必要的技术特征，其总和足以构成发明的技术方案，达到其目的和效果。与发明的目的有关的、用于进一步完善或展开技术方案的技术特征称为附加的技术特征。如果一件申请中有几项发明，应当用独立的自然段说明每项发明的技术方案。（5）有益效果 有益效果是指由构成发明的特征直接带来的，或者是由所述的技术特征必然产生的技术效果。 通常，有益效果可以由产率、质量、精度和效率的提高，能耗、原材料、工序的节省，加工、操作、控制、使用的简便，环境污染的治理或者根治，以及有用性能的增加等方面反映出来。常见缺陷： i）有的说明书提

20、出的发明目的过于笼统。 例如，本发明的发明目的是提供一种半导体器件及其制造方法。 本发明的发明目的是提高器件的可靠性。 ii）有的说明书只讲背景技术的缺点和本发明的优点，而不明确提出本发明和所要解决的问题，也就是没有发明目的部分。 iii）夸大技术效果。（6）附图及附图说明 说明书有附图的，应当写明各幅附图的图名，并且对图示的内容做简要说明。附图不止一幅的，应当对所有附图做出图面说明。例如：i）附图说明中的内容在相应的图中没有； 举例：图9是沿图8的B-B线的断面； 图11是沿图10的C-C线的断面； 图13是沿图12的D-D线的断面； 然而，在相应的图8、10以及12中没有出现B-B、C-C

21、以及D-D。 ii）缺少部分附图的介绍；例如有5个附图，但只介绍了其中4个。（7）具体实施方式 提示：该部分是说明书的重要组成部分，它对于充分公开充分公开、理解理解和再现再现发明或者实用新型，支持支持和解释权利要求解释权利要求都是十分重要的。l在描述具体实施方式时，并不要求对已知技术特征作详细展开说明，但必须详细说明区必须详细说明区别于现有技术的必要别于现有技术的必要技术特征和各附加附加技术特征以及各技术特征之间的关系之间的关系及其功能功能和作用作用；l具体实施方式中至少应包括一个独立权利至少应包括一个独立权利要求的全部必要技术特征要求的全部必要技术特征，具体实施方式实施方式中的技术特征与技术

22、方案技术方案以及独立权利要求独立权利要求中的特征没有矛盾没有矛盾。举例举例： 技术方案对Cx中的x限定为x400，而实施例1中的x = 400，前后矛盾。 在半导体领域中，如果改进之处在于产品产品或材料材料，那么应借助附图将产品的结构结构及组成组成或者将材料的组成材料的组成、性能性能或制备工艺条件制备工艺条件描述得清楚完整，如果改进之处在于方法步骤方法步骤，那么实施例部分应当借助附图清楚地描述出工艺的步骤顺序步骤顺序、工艺方法工艺方法、工艺参数工艺参数以及各步骤各步骤得到的相应结构得到的相应结构。l 当权利要求（尤其是独立权利要求）覆盖的保护范围较宽，其概括的特征不能从一个实不能从一个实施例中

23、找到依据施例中找到依据时，应当给出一个以上的不同应当给出一个以上的不同实施例实施例，以支持所要求保护的范围。举例举例： i）仅给出了“碳化硅”作为基底的实施例，但独立权利要求中要求“半绝缘基底”； ii）实施例中为“绝缘材料膜”，而独立权利要求1要求保护“薄膜层”。l 当权利要求涉及较宽的数值范围时，应给出两端值两端值附近的实施例和至少一个中间值至少一个中间值的实施例。举例举例： i）实施例1中的“充填气体中氩气含量为30%”，实施例2中的“充填气体中氩气含量为70%”，实施例3中的“充填气体中氩气含量为90%”，独立权利要求1中填充的氩气含量为30-90%； ii）实施例中为“MnO2”但独

24、立权利要求1中要求保护“MxOy（x =1-3、y = 2-4）”。l 对照附图描述发明的具体实施方式时，使用的附图标记或符号应当与附图中所示的一致应当与附图中所示的一致，并放在相应的技术名称后面，不加括号。举例举例： i）同一附图标记同一附图标记表示不同的技术特征不同的技术特征；例如芯片5；内引线5； ii）同一技术术语同一技术术语前后采用了不同的附图不同的附图标记标记；例如芯片5；芯片8； iii）附图中显示的内容与显示的内容与附图说明中的内说明中的内容不符容不符；例如：说明书第3页对图1的说明中记载了：绝缘体上有硅基底100包括埋入式氧化层102和硅材层110，然而从图1中可以看出，埋入

25、式氧化层102和硅材层110位于绝缘体上有硅基底100之上，氧化层102和硅材层110与硅基底100并非包含关系。附图：（8）不符合专利法实施细则第18条第3款的撰写缺陷： a）同一技术术语前后不一致同一技术术语前后不一致；例如：“马达16”；“驱动机构16”；“承载台28”；“承载28”；“闸刀33”；“间刀33”；“刀刃33”；“第一和第二导热层17和19”，“金属层17和19”，“保护剂材料61”，“保护材料61”，“包封材料63”，“包封剂材料63”，“接线夹27”，“电连接夹”。 b）采用了不规范的技术术语采用了不规范的技术术语；例如电浆、非等向性、打线、闸极、片子、汲极区、信道、通

26、道、矽、磊晶、晶圆、布植、植入、制程、光罩、罩幕、遮罩、微影、二极体、烧录、黄光暨蚀刻制作工艺、连接垫、主动区域、金氧半、侧壁子、侧子、热载子、电子洞对、载子移动率、淡掺杂、井区、基材、崩溃电压等等； c）没有采用国家法定的计量单位没有采用国家法定的计量单位；例如：达因、密耳、乇、英寸、镑等。（9）说明书附图要符合专利法实施细则第19条的规定。常见问题常见问题： i）说明书中出现的附图标记在附图中没有出现；附图中出现的附图标记在说明书中没有介绍； ii）附图中有英文单词； iii）提交的附图数量不够或数量够内容不够； 例如：提交了两份图2，但是没有图4。（10）说明书摘要及摘要附图的缺陷： a

27、）缺少技术内容，例如只宣传产品的性能； b）包括过多的广告性宣传用语； c）字数超过300字； d）没有提交摘要附图。（二）权利要求书的撰写 要符合专利法第26条第4款、专利法实施细则第20条-23条的规定。1. 权利要求的种类 按照权利要求的内容划分 （1）产品权利要求，即物的权利要求；例如：引线框架及使用该引线框架的半导体封装；动态随机存取存储器；铁电半导体存储器；氮化镓蓝光发光二极管；弹簧夹及散热片组件；静电放电保护电路；带有透明窗口的半导体封装。 （2）方法权利要求，即活动的权利要求；例如：形成半导体器件通孔的方法；在半导体器件内制造互连线的方法；半导体芯片的清洗方法；半导体芯片的贴装

28、方法。 2. 按权利要求的形式划分（1）独立权利要求；保护范围最大。独立权利要求1应当满足实施细则第21条第2款的规定，应当整体上反映发明或者实用新型的技术方案，记载解决技术问题的必要技术特征。 必要技术特征必要技术特征是指，发明或者实用新型为解决其技术问题解决其技术问题所必不可缺少的技术特征，其总和足以构成发明或者实用新型的技术方案，使之区别于背景技术区别于背景技术中所述的其他技术方案。 要解决的技术问题：消除半导体薄膜中存在的大量晶界，从而消除因晶界而产生的能级势垒对相邻晶粒之间的电子移动的妨碍作用。解决此技术问题的关键就是形成基本上无晶界的单畴区。但独立权利要求1中却缺少特征：所述单畴区

29、基本上不包括晶界”。 （2）从属权利要求：如果一项权利要求包含了另一项同类权利要求中的所有技术特征，且对该另一项权利要求的技术方案作了进一步的限制，则该权利要求为从属权利要求。（专利法实施细则第21条第3款）举例举例： a）独立权利要求1、9、10、11、12和13分别是对独立权利要求1中底座厚度和焊料厚度关系的具体限定，因此申请人应将权利要求9-13修改为独立权利要求1的从属权利要求。 b）独立权利要求2与独立权利要求1相比仅增加了“与第二互连相邻的第二焊接区”，而权利要求6与独立权利要求1相比仅增加了位于半导体器件相对侧上的第一和第二刻划线以及钝化层还覆盖导电区的第三和第四部分，因此申请人

30、应将权利要求2和6修改为独立权利要求1的从属权利要求。3 . 权利要求书应当满足的实质性要求 1）权利要求书应当以说明书为依据，是指权利要求应当得到说明书的支持。说明书不仅应当在表述形式上表述形式上得到说明书的支持，而且应当在实质上实质上得到说明书的支持。也就是说，权利要求书中的每一项权利要求所要求保护的技术方案应当的所属技术领域的技术人员能够从说明书公开的内容直接得直接得到或者概括得出到或者概括得出的技术方案，并且权利要求的范围不得超出说明书记载的内容。 （1）如果说明书实施例中实施例中的技术特征是是下位概念下位概念，而发明或实用新型的技术方案技术方案是利利用用该下位概念的个性个性，则不允许

31、不允许权利要求将此技术特征概括成概括成此下位概念的上位概念上位概念。反之，若发明或实用新型的技术方案是利用了利用了此上位概念技术特征的所有下位概念的共性所有下位概念的共性，则允许允许权利要求书将此技术概念概括成上位概念概括成上位概念；例如：仅给出了“碳化硅”作为基底的实施例，但独立权利要求中要求“半绝缘基底”；将“非晶硅”修改为“含硅的半导体膜”。 （2）说明书中的实施例或具体实施方式越多，那么可以允许权利要求书的概括程度越大；但是也可以只有一种具体实施方式，只要这种概括对该技术领域的技术人员是显而易见的；举例举例： 实施例中指出使用镍作为催化剂元素可以得到最显著的效果，其它可利用的催化剂的种

32、类，理想的有Pd、Pt、Cu、Ag、Au、In、Sn、P、As、Sb，使用Fe（铁）作为催化剂元素时，铁的化合物可以使用溴化亚铁、溴化铁；用Co（钴）作为催化剂元素时，钴的化合物可以使用下列的钴盐；用Ru（钌）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如；用Rh（铑）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如；用Pd（钯）作为催化剂元素时，其化合物可以使用例如；由此可见，独立权利要求中的特征“含促进结晶化的催化剂元素的化合物”的概括是允许的。 a）每一项权利要求每一项权利要求所要求保护的技术方案在说明书中都应清楚地记载都应清楚地记载。举例举例： i）权利要求书中的特征“氮化钛热退火的时间30 60分钟”

33、的特征在说明书中没有记载； ii）权利要求书中记载的特征“氮化钛在300 450下热分解”，与说明书中“氮化钛在300 500下热分解”不一致； iii）特征反应室内电极温度“从约-60C到25C”与说明书中记载的反应室内电极温度保持在“-60C到0C”不一致。 iv）特征“位于第二介质层上的第二列键合销”与说明书中记载的“第二列键合销48放置在第三介质层20的顶面”不一致。 b）为了获得尽可能宽的保护范围，权利要求，尤其是独立权利要求一般都要对说明书中记载的一个或多个具体技术方案进行概括，权利要求的概括应当适当，使其保护范围正好保护范围正好适应说明书所公开的内容适应说明书所公开的内容。举例举

34、例： i）独立权利要求1中填充的氩气含量为30-90%，实施例1中的“充填气体中氩气含量为30%”，实施例2中的“充填气体中氩气含量为70%”，实施例3中的“充填气体中氩气含量为90%”。 ii）特征“芯片载体电极的间距为芯片焊盘的间距的整数倍整数倍”，而说明书中记载的是芯片载体电极的间距为芯片焊盘的间距的2倍或更大倍或更大。 分析分析：整数倍包括1及大于1的整数倍两种情况，不能由2倍或更大概括出。iii）权利要求中的特征“导电组件”包含了很宽的范围，仅在半导体器件领域就包括导体、布线、焊盘、突点、引线、焊料球等，而本申请说明书中仅给出了“焊盘及其上导电突点”的实施例。 c）权利要求中应当用技

35、术特征来表达完整的技术方案，所采用的技术特征应当是有技术含义的具体特征（例如，结构特征或方法步骤）。 2）权利要求应当清楚清楚（专利法实施细则第20条第1款） （1）每项权利要求的类型应当清楚每项权利要求的类型应当清楚，并且应当与发明要求保护的主题一致。产品权利要求应当用产品的结构产品的结构和结构关系结构关系来描述。方法权利要求可以用工艺条件、操作条件、步骤或工艺条件、操作条件、步骤或者流程者流程等特征来描述。举例举例： a）一种电光探头电光探头，由可微调位置的透明基板和附着在基板上的有机电光材料层组成，由电光探测光学单元产生的探测光束经显微物镜头聚焦聚焦后，穿过穿过透明基板、基板与电光材料的

36、界面和电光材料层，聚焦光斑落在电光材料层的外表面上，并被该表面上的高反射介质膜反射反射，当聚焦光斑挨近挨近带测的电信号传输线时，信号电场进入进入有机电光材料层。（产品用方法特征限定） b）一种热电半导体材料或元器件材料或元器件，包括。 c）特征“将其其支承在其其周边部”中的两个其指代不清楚。 （2）每项权利要求所确定的保护范围应当清楚。对于产品产品权利要求而言，应当尽量避免应当尽量避免使用功能或者效果特征来限定使用功能或者效果特征来限定发明。举例举例： a）如权利要求4所述的球点阵列集成电路封装的方法，其特征在于：所述散热板的散热散热效果效果是将该芯片于通电运作时的热量导至该封装后的球点阵列（

37、BGA）集成电路之外的效果。 b）权利要求中使用了含义不确定的词语，例如：基本上；大约；尤其是；例如；如；类；优选；等等； c）从属权利要求中引用了在前权利要求中的特征，但在前权利要求中根本没有出现该特征。例如：根据权利要求1的存储器，其中钝化层为氮化硅。 3）权利要求书应当简明简明 每一项权利要求应当简明并且所有权利要求作为一个整体应当简明；权利要求的数量数量应当合理；权利要求的用词用词应当简明；权利要求之间应当避免不必要的重复避免不必要的重复。举例举例： 1. 一种光检测器，包括： 设置在所述n型半导体衬底反面的导体，所述衬底和所述导体之间夹有绝缘体； 12. 根据权利要求1的光检测器，其

38、特征在于：所述n型半导体衬底的反面设置在所述导体上，所述衬底和所述导体之间夹有绝缘体。4 . 权利要求存在的形式缺陷 1）从属权利要求没有紧跟没有紧跟在所引用的独立权利要求之后； 2）权利要求不仅结尾处存在句号，中间处中间处也存在句号也存在句号； 3）权利要求中使用的技术术语技术术语与说明书中使用的不一致； 4）权利要求中存在括号存在括号，但括号中的内容内容不是附图标记不是附图标记； 5）权利要求中存在公司名称或商品名称公司名称或商品名称。5 . 独立权利要求的撰写要求 1）独立权利要求的保护范围应当清楚清楚，以符合专利法实施细则第20条第1款的规定。 2）独立权利要求应当反映出与现有技术的区

39、别，使其描述的发明或实用新型的技术方案具有新颖性和创造性具有新颖性和创造性，以符合专利法第22条的规定。 3）独立权利要求应当从整体上反映出发明或实用新型的技术方案，记载记载为达到发明或实用新型目的的必要技术特征必要技术特征，以符合专利法实施细则第21条的规定。 4）独立权利要求所限定的技术方案应该以说明书为依据以说明书为依据，以符合专利法第26条第4款的规定。6 . 从属权利要求的撰写要求 1）从属权利要求只能只能引用其前面的权利要求，不得不得引用在其后的权利要求或者其本身；例如：5 . 根据权利要求5的制造方法，其中。 2）多项多项从属权利要求不得作为另一项从属权利要求的引用基础；例如：5

40、 . 根据权利要求2或3或4的半导体器件，其中。 6 . 根据权利要求2或3或4或5的半导体器件，其中。 3）多项从属权利要求只能择一地引用择一地引用在前的权利要求；例如：6 . 根据权利要求2、3、4以及5的半导体器件，其中。 4）一项从属一项从属权利要求不得同时引用不得同时引用在前的两项或两项以上两项或两项以上的独立权利要求独立权利要求。 5）从属权利要求的主题名称主题名称应与所引用的主题名称一致；例如：24. 根据权利要求17的电子互连器件，其特征在于：。 25. 根据权利要求24的电子封装外壳，其特征在于：。三.答复通知书时提交文本中的常见问题 （一）说明书中的问题1.发明名称 1）权

41、利要求书中产品或方法的独立权利要求及从属权利要求删除之后，发明名称没没有进行相应的变更有进行相应的变更，仍然是产品和方法； 2）审查员在第一次审查意见通知书中指出修改发明名称，但仍然没有修改没有修改； 3）审查员在通知书中没有指出修改发明名称，但申请人主动变更主动变更了发明名称。2 . 技术领域 发明名称已变更但技术领域没有变更。例如：发明名称已由“芯片尺寸封装及其制造方法”修改为“芯片尺寸封装的制造方法”，但是技术领域仍然为“本发明涉及芯片尺寸封装及其制造方法。3 . 要解决的技术问题 为了相对于审查员提出的对比文件具有新颖性和创造性，修改了独立权利要求，增加了技术特征，但修改后的独立权利要

42、求的技术方案要解决的技术问题明显与说明书中原有的要解决的技术问题不同，此时应该修改说明书中的该部分。4 . 技术方案 申请人修改了独立权利要求，但没有相应地修改技术方案部分。5 . 有益效果 1）为区别于审查员提出的对比文件，申请人在意见陈述书中强调的有益效果在原申请文强调的有益效果在原申请文件中没有记载件中没有记载，也不能明显推导出。 2）申请人修改权利要求的同时，在该部分中添加有益效果添加有益效果，但该效果不能从原申请文件中明显推导出。 3）补充实验数据补充实验数据。6 . 附图说明 由于原说明书中的一些技术特征在附图中没有出现，审查员指出后添加附图及图面添加附图及图面说明说明，但这些内容

43、不能从原申请文件中唯一地推导出，导致修改超范围。7 . 具体实施方式 1）修改技术内容中的连接关系使修改后的技术内容与原说明书中的技术内容完全不同，导致修改超范围。 2）修改技术术语，导致修改超范围。例如：将“非晶硅”修改为“含硅的半导体膜”。 在本领域中半导体材料有很多种，有元素半导体、二元化合物半导体、固溶体半导体、氧化物半导体、玻璃半导体、有机半导体，常用的半导体材料有硅、锗、碳化硅、砷化镓等，半导体材料还分为单晶、多晶、非晶等，因此非晶硅仅是含硅的半导体膜中的一种。8 . 说明书附图9 . 说明书摘要 对独立权利要求进行修改后，没有对摘要中的技术内容进行相应的修改。10. 权利要求书

44、a）意见陈述书中指出已修改，但提交的权利要求书中仍存在同样的缺陷； b）仅提交修改底稿仅提交修改底稿，或者删除部分权利要求之后，权利要求的编号没有改变；例如：i）1 . 一种半导体封装，包括： 2 . （删除） 3 . 根据权利要求1的半导体封装，其中。 ii）6 . 根据权利要求7的引线框架，其中。 c）采用的技术术语与原申请文件中的技术术语不同技术术语不同；例如将“金属化孔”修改为“通过口”； d）意见陈述与修改的内容不一致意见陈述与修改的内容不一致；例如：申请人的意见陈述书中记载“相对低能量的杂质离子不能穿过氧化层的中央部分”，但是权利要求中记载了特征“采用比第一能量低的第二注入能量所述

45、第二注入能量足以足以使杂质的所述离子通过所述场氧化层的所述中央区域”，而说明书记载的是“第二次低能量注入的硼离子不能不能穿过厚的场氧化薄膜102的中心区域，而仅能穿过场氧化薄膜的周围区域即鸟嘴”，因此所述特征既没有记载在原说明书和权利要求书中，也不能由原说明书和权利要求书所记载的内容导出，因此超出了原说明书和权利要求书记载的范围，不符合专利法第33条的规定。 e）修改数值范围，导致修改超范围修改数值范围，导致修改超范围；例如：将独立权利要求1将组合物的淀积厚度由“2.5-11微英寸”修改为“小于11微英寸”。 f）修改技术术语，导致修改超范围修改技术术语，导致修改超范围；例如：将“磷硅玻璃”修

46、改成“玻璃”。特征“玻璃”概括了很宽的范围，广义的玻璃包括单质玻璃、有机玻璃和无机玻璃，除工业上大规模生产的硅酸盐玻璃之外，还有氧化物玻璃、非氧化物玻璃、由某些合金形成的金属玻璃等。因此仅由说明书中记载的“PSG”是无法推导出特征“玻璃”。 g）相对于审查员提出的对比文件修改了独立权利要求，但修改后的权利要求的保护保护范围没有实质性的变化范围没有实质性的变化。四、导致驳回的几种常见情况及案例分析1 . 驳回的条件 1）属于专利法实施细则第五十三条规定的驳回情形； 2）给申请人至少一次陈述意见至少一次陈述意见和/或进行修改修改申请文件的机会；3）申请人在指定的期限内未提出有说服力的意见和/或证据

47、，也未未对申请文件进行符合专利法及实施细则规定的修改修改；4）或者修改后的申请文件中仍然存在足以用已通知过申请人的理由和证据予以驳回的缺陷。2 . 驳回的种类 1）发明专利申请的主题违反国家法律、社会公德或者妨碍公共利益，或者申请的主题属于专利法第25条规定的不授予发明专利权的客体；（专利法第专利法第5条和条和25条条） 2）申请的发明不具备新颖性、创造性和实用性；（专利法专利法22条条） 3）发明专利法申请没有充分公开请求保护的主题（专利法第专利法第26条第条第3款款），或者权利要求未以说明书为依据；（专利法第专利法第26条第条第4款款） 4）申请不符合专利法关于发明专利申请单一性的规定（专

48、利法第（专利法第31条第条第1款）；款）； 5）申请的发明根据“先申请原则”不能取得专利权（专利法第专利法第9条条），或者申请不符合“一发明创造、一专利”的规定；（专利法实施细则第专利法实施细则第13条第条第1款款）； 6）发明专利申请不是对产品、方法或者改进所提出的新的技术方案（细则第细则第2条第条第1款款）； 7）权利要求书不清楚、简要（专利法实施专利法实施细则第细则第20条第条第1款款），独立权利要求缺少解决技术问题的必要技术特征（专利法实施细则第专利法实施细则第21条第条第2款款）； 8）申请的修改或者分案的申请超出原说明书和权利要求书记载的范围（专利法第专利法第33条条）。3 . 案

49、例发明名称发明名称：半导体器件的制造方法申请简介：申请简介：薄膜半导体形成的薄膜晶体管（TFT）通常使用无定形硅膜作为半导体层，通常使用催化元素使其晶化，利用等离子体处理或蒸镀会大量引入上述元素产生不利影响。发明目的：发明目的： 控制引入催化剂元素的量，并且将其控制在最低限度的量 也就是，仅仅在表面引入极微量催化元素申请文件中的部分权利要求申请文件中的部分权利要求： 1）独立权利要求1中包含特征“使含促进结晶化的催化剂元素的溶液与暴露的无定形硅膜连接的工序”； （不支持） 2）从属权利要求4的附加技术特征为催化剂元素使用选自VIII族、IIIb族、IVb族、Vb族元素中的一种或几种元素。审查过程审查过程： 在第一次审查意见通知书第一次审查意见通知书中的其中一条意见中指出：特征“使溶液与硅膜